• 한국통신학회논문지
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• 제26권12C호
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• pp.240-248
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• 2001

본 논문에서는 현재 우리 나라의 초고속 국가기간전송망의 기본 전송장비인 2.5Gb/s SDH 전송시스템에 적용되어 2-선 양방향 선로 스위칭 링의 자기치유동작을 가능하게 하는 공간분할스위치 소자의 설계와 시스템에의 적용을 다룬다. Compass tool로 설계된 스위치 소자는 1.25Gb/s의 스위치 처리용량을 가지며 0.8$\mu\textrm{m}$ CMOS gate-array로 제작되었다. 제안된 스위치 소자는 2-선 양방향 전송선로 상에 장애가 발생했을 때 신속한 자기치유동작을 가능하게 한다. 스위치의 구조는 Add/Drop 제어부, Cross-point switch, 데이터 프레임 위상 정렬부, 비장착(Unequipped) 신호 프레이머부, 프로세서 접속부 등으로 구성된다. 제작된 2개의 스위치를 병렬구조로 구성하여 2.5Gb/s SDH 전송시스템에 적용하여 시험한 결과 임의의 광선로 장애 시 신호채널들의 링 스위칭 동작으로 즉시 복구가 가능함을 보여준다.

• 한국자기학회지
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• 제19권3호
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• pp.113-119
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• 2009

sol-gel 방법을 이용하여 제작된 $^{57}Fe_xCu_{1-x}O$(x = 0.0, 0.02) 분말 시료들에 대한 결정구조 및 초미세 자기적 특성을 X-선 회절(XRD)과 $M{\ddot{o}}ssbauer$ 분광법을 이용하여 조사하였다. XRD 측정 결과 단사(monoclinic) 구조의 CuO 단일상 만이 나타났고, 열처리 온도 상승에 따라 격자상수 값들은 소폭 증가하였다. 또한, 열처리 온도 증가에 따라 $Fe^{3+}$ 스핀들의 정렬과 관련되는 산소 vacancy 농도가 증가하며, 이에 따라 상온에서의 강자성 상의 세기가 증가되었다. Jahn-Teller 효과에 의하여 왜곡된 팔면체 자리에 위치하는 $^{57}Fe$ 이온에 대하여 CuO의 Neel 온도보다 매우 낮은 17 K에서 사중극자 상호작용과 초미세 자기장 상호작용이 동시에 작용하는 조건을 적용하여 분석한 결과, 초미세 자기장 방향은 전기장 기울기 텐서의 세 주축에 대하여 ${\theta}=65^{\circ}$, ${\phi}=0^{\circ}$이고, 비대칭인자 ${\eta}=0.6$으로 나타났다. 그리고 Jahn-Teller 효과에 의한 왜곡으로 비교적 큰 사중극자 분열 ${\Delta}E_Q=-3.67\;mm/s$ 값이 나타났으며, 이성질체 이동 값은 $Fe^{3+}$에 대한 값인 0.32 mm/s으로 얻어졌다. $500^{\circ}C$에서 열처리를 통하여 얻어진 $^{57}Fe_{0.02}Cu_{0.98}O$ 시료에 대하여 17 K에서 취한 $H_{hf}$ 값은 426.94 kOe로 비교적 작은 값으로 얻어졌는데, 이것은 $H_{hf}$에 관계되는 세가지 항 $H_L$, $H_d$, $H_c$ 사이의 온도 의존성 차이에 기인하는 것으로 해석된다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제32권6호
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• pp.448-453
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• 2019

This work reports the electrical characteristics of and temperature distribution in chalcogenide phase change memory (PCM) devices that have a self-aligned structure. GST (Ge-Sb-Te) chalcogenide alloy films were formed in a self-aligned manner by interdiffusion between sputter-deposited Ge and $Sb_2Te_3$ films during thermal annealing. A transmission electron microscopy-energy dispersive X-ray spectroscopy (TEM-EDS) analysis demonstrated that the local composition of the GST alloy differed significantly and that a $Ge_2Sb_2Te_5$ intermediate layer was formed near the $Ge/Sb_2Te_3$ interface. The programming current and threshold switching voltage of the PCM device were much smaller than those of a control device; this implies that a phase transition occurred only in the $Ge_2Sb_2Te_5$ intermediate layer and not in the entire thickness of the GST alloy. It was confirmed by computer simulation, that the localized phase transition and heat loss suppression of the GST alloy promoted a temperature rise in the PCM device.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1989년도 하계종합학술대회 논문집
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• pp.655-658
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• 1989

The characteristics of proton-diffused $LiNbO_3$ optical waveguides with self-aligned $SiO_2$-cladding are reported. When the proton diffusion occurs, the $SiO_2$-cladding limits the lateral diffusion of protons by out-diffusion of protons in unclad region. Proton indiffusion in depth direction is promoted by inhibition of out-diffusion in clad region. Consequently, the mode profile in depth direction can be nealy symmetric. The extent of the proton exchange was observed by measuring the infrared absorption peak at about $3500cm^{-1}$. It is confirmed that proton diffusion with $SiO_2$-cladding has structural excellency.

• 대한전기학회논문지
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• 제36권7호
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• pp.462-469
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• 1987

A metal gate MOSFET with source/drain regions self-aligned to gate region is proposed. The proposed MOS transistor is fabricated by utilizing the higher oxidation rate of source/drain regions with high doping concentration when compared with channel region with moderate doping. The thick oxide on the source/drain regions reduces the gate and drain(source) overlap capacitance down to that of a self-aligned polysilicon gate device while allowing the use of a metal gate with much lower resistivity than the more commonly used polycrystalline silicon. A ring oscillator composed of 15 inverter stages has been computer simulated using SPICE. The results of the simulation show good agreement with experimental measurement confirming the fast switching speed of propesed MOSFET.

• 대한전기학회논문지
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• 제45권2호
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• pp.249-255
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• 1996

A self-aligned latch-up suppressed IGBT has been proposed and the process method and the device characteristics of the IGBT have been verified by numerical simulation. As the source is laterally diffused through the sidewall of the trench in the middle of the body, the size of the source is small and the doping concentration of the source is lower than that of the p++ body and the emitter efficiency of the parasitic npn transistor is low so that latch-up may be suppressed. No additional mask steps for p++ region, source, and source contact are required so that small sized body can be obtained Latch-u current density higher than 10000 A/cm$^{2}$ have been achieved by adjusting the process conditions.

• 전기학회논문지P
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• 제59권4호
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• pp.450-455
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• 2010

The performance modeling of a $25{\mu}m$ pitch VGA ${\mu}$-bolometer with the self-aligned thermal resistor structure is carried out. The self-aligned thermal resistor can be utilized for the maximizing the thermal resistance and the fill factor of a bolometer, so the performance improvement can be expected. From the results of the performance modeling of the micro-bolometer with self-align thermal resistor for a $25{\mu}m$ pitch $640{\times}480$ microbolometer designed with $0.6{\mu}m$ minimum feature size, the drastic improvements of NETD from 38.7 mK to 19.1 mK, responsivity of 1.9 times are expected with a self aligned thermal resistor structure. The main reason for the performance improvements with a self-aligned thermal resistor structure comes from the increasement of the thermal resistance.

• 한국자기학회지
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• 제21권6호
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• pp.198-203
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• 2011

연 x선 광흡수 분광법(soft x-ray absorption spectroscopy: XAS)과 연 x선 자기 원편광 이색성(soft x-ray magnetic circular dichroism: XMCD)을 이용하여 스피넬 준강자성 산화물인 $FeV_2O_4$의 전자 구조를 연구하였다. Fe 2p XAS와 V 2p XAS 측정으로 부터 $FeV_2O_4$에서 Fe 이온과 V이온의 고유한 원자가는 각각 약 $Fe^{2.3+}$의 혼합원자가 상태와 약 $V^{3+}$의 상태임을 알 수 있었다. 실험적으로 측정된 Fe 2p XMCD의 신호는 거의 $Fe^{2+}$ 상태에서 기인하였으며, $Fe^{3+}$ 상태는 Fe 2p XMCD의 신호에 거의 기여하지 않는다는 사실이 발견되었다. 그러므로 $FeV_2O_4$의 자성 특성을 결정함에 있어서 자기적으로 정렬된 $Fe^{2+}$ 상태 이온들이 중요한 역할을 한다고 생각된다.

• 한국자기학회지
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• 제16권3호
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• pp.168-172
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• 2006

졸-겔(sol-gel) 방법을 이용하여 제작된 산소결핍(oxygen vacancy)들을 내포하는 Ni 도핑된 루타일(rutile) 구조의 $TiO_{2-{\delta}}$ 박막들에 대하여 그 자기적 성질 및 관련된 전자구조적 성질에 대하여 조사분석 하였다. $TiO_{2-{\delta}}$:Ni 박막들에서 상온 강자성이 관측되었으며 Ni 도핑량이 증가할수록 포화 자화량($M_s$)이 점차 감소하여 6 at% 이상에서 일정한 값으로 유지되었다. 이와 같은 Ni 도핑량 6 at% 이하에서의 강자성 현상은 산소결핍 자리에 속박된 전자를 매개로 그 주위에 존재하는 불순물 이온들의 자기 능률들이 강자성 정렬을 이루게 되는 자기 폴라론(magnetic polaron)의 형성에 의한 것으로 해석된다. 소량의 Ni 도핑 시 각 이온당 최대 $3.7{\mu}_B/Ni$의 큰 $M_s$ 값이 나타났으며 6 at% 이상에서의 일정한 $M_s$ 값은 Ni cluster 형성에 의한 것으로 해석된다. 이와 같은 Ni cluster의 존재는 시료들에 대한 Hall 측정 결과 나타난 Ni 도핑량 증가에 따르는 p-n 전도성 전이를 설명하여 줄 수 있다.

• 한국자기학회지
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• 제24권5호
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• pp.135-139
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• 2014

물리적 기상합성법인 전기선폭발법을 이용하여 챔버내 산소분압을 바꾸면서 철산화물을 제조하였다. 제조된 철산화물은 산소 분압에 따라 $Fe_2O_3$ 및 $Fe_3O_4$상으로 제조되었다. 산소분압이 30 %인 경우 ${\gamma}-Fe_2O_3$와 ${\alpha}-Fe_2O_3$와 같이 $Fe^{3+}$의 형성이 용이함을 확인 하였다. 산소 분압을 15 %로 줄이면 $Fe_3O_4$가 형성되어 $Fe^{2+}$ 이온을 확인할 수 있었다. 뫼스바우어분광분석을 활용하여 ${\gamma}-Fe_2O_3$와 $Fe_3O_4$상 분석을 수행하였다. 13 K에서 295 K까지의 뫼스바우어 스펙트럼으로부터 자기정렬구조가 사라진 면적비로부터 약 12 % 정도의 ${\gamma}-Fe_2O_3$상이 초상자성 특성을 보임을 확인하였다.