• 제목/요약/키워드: 인터페이스 회로

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FSM을 이용한 표준화된 버스와 IP간의 인터페이스 회로 자동생성에 관한 연구 (A Study on Automatic Generation of Interface Circuits Based on FSM between Standard Buses and Ips)

  • 이서훈;문종욱;황선영
    • 한국통신학회논문지
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    • 제30권2A호
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    • pp.137-146
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    • 2005
  • SoC 설계 복잡도의 증가로 인한 설계 비용 감소 및 짧은 time-to-market의 만족을 위해 IP에 기반한 설계 방식이 사용되고 있다. 기존에 설계 검증된 IP를 사용할 경우 시스템 버스와의 통신을 가능하게 하는 인터페이스 회로를 설계해 주어야 하며, 설계 비용을 감소시키기 위해서는 인터페이스 회로의 자동생성이 요구된다. 본 논문에서는 IP프로토콜을 기술하는 방법과 이 기술을 통하여 IP의 프로토콜 제어를 위한 FSM(Finite State Machine)을 생성하여 버스와의 인터페이스 회로를 자동생성하는 방법을 제안한다. 제안한 시스템에서는 프로토콜 분석의 어려움을 줄이기 위해 표준화된 버스의 FSM을 라이브러리화 하였다. 제안된 방법으로 AMBA AHB에 사용되는 슬레이브 형태 IP의 인터페이스 회로를 자동생성한 결과 매뉴얼로 설계한 인터페이스 회로에 비해 면적은 4.5%의 증가를 보였다. 100 Mhz의 버스 동작 속도와 34 Mhz의 슬레이브 모듈의 동작 속도 환경에서 16개의 32 비트 데이터를 버스트 모드로 전송시 latency는 평균 7.1%의 증가를 보였으나, 시스템 버스의 점유는 평균 64.9% 정도로 감소하였다. 본 논문에서 제안한 시스템을 사용하여 시스템 버스의 효율을 증가한 인터페이스 회로를 생성해 낼 수 있다.

위상변조를 이용한 저 전력 입출력 인터페이스 회로 (Low Power Serial Interface I/O by using Phase Modulation)

  • 박형민;강진구
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제48권2호
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    • pp.1-6
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    • 2011
  • 본 논문은 위상 변조를 이용한 직렬 인터페이스 입출력 회로를 설계 하였다. 설계된 직렬 입출력 인터페이스 회로는 수신부와 송신부로 구성되어 있다. 제안하는 위상변조 데이터 전송 방식은 상승 에지 위상은 고정시켜 클록 정보로 사용하고 하강에지 위상을 전송되는 데이터에 따라 변조하여 오프-칩 인터페이스에서도 적용 가능한 효율적인 데이터 전송 방식을 사용한다. 제안하는 회로는 16개의 하강 에지 위상을 사용하여 한 클록 주기마다 4비트씩 데이터를 전송함으로써 시스템에서 사용되는 클록 속도보다 4배 빠른 전송 속도를 갖는 저 전력 회로다. 본 논문에서는 0.13um CMOS 공정을 이용하여 설계 및 검증을 수행 하였고, 칩 면적 $2mm^2$ 하에서 1Gb/s 전송 속도와 12mW의 소비 전력을 갖는다.

MEMS 가속도센서를 위한 CMOS 인터페이스 회로 (CMOS Interface Circuit for MEMS Acceleration Sensor)

  • 정재환;김지용;장정은;신희찬;유종근
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
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    • pp.221-224
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    • 2012
  • 본 논문에서는 MEMS 가속도센서를 위한 CMOS 인터페이스 회로를 설계하였다. 설계된 CMOS 인터페이스 회로는 CVC(Capacitance to Voltage Converter), 그리고 SC-Integrator와 Comparator를 포함하는 ${\Sigma}{\Delta}$ Modulator로 구성되어 있다. 회로에 일정한 Bias를 공급할 수 있도록 Bandgap Reference를 이용하였으며, 저주파 잡음과 offset을 감소시키기 위하여 ${\Sigma}{\Delta}$ Modulator에 CHS(Chopper-Stabilization) 기법을 사용하였다. 그 결과 설계된 ${\Sigma}{\Delta}$ Modulator의 출력은 입력 전압 진폭이 100mV가 증가할 때 duty cycle은 10%의 비율로 증가하고, 전체 회로의 Sensitivity는 x, y축은 0.45V/g, z축은 0.28V/g의 결과를 얻을 수 있었다. 제안된 CMOS 인터페이스 회로는 CMOS 0.35um공정을 이용하여 설계되었다. 입력 전압은 3.3V이며, 샘플링 주파수는 2MHz이다. 설계된 칩의 크기는 PAD를 포함하여 $0.96mm{\times}0.85mm$이다.

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구조적 기술에 의한 전문가 시스템의 사용자 인터페이스 개발 방법 (A Development Method of User Interface Using a Structural Description Schema in an Expert System)

  • 김상길;김성훈;박충식;김재희
    • 전자공학회논문지B
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    • 제32B권1호
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    • pp.161-170
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    • 1995
  • 본 논문에서는 전문가 시스템의 사용자 인터페이스 모듈을 구현하기 위하여 사용자 인터페이스의 구조적 스키마(description schema)로서 수트(SUIT : Schematic User Interface Tasks)를 정의하였으며, 이를 관리하는 '수트관리기'(SUIMAN : SUIT Manager)를 구현하였다. 수트는 전문가 시스템의 사용자 인터페이스 설계 초기 단계에서, 수트를 사용하여 사용자 인터페이스 구현을 위해 이루어져야 할 행위를 개념적인 상위 수준에서 기술한다. 수트관리기는 수트에서 기술된 것이 언제 실행될지 결정한다. 그래픽 사용자 인터페이스의 실현은 X-윈도우의 MOTIF 라이브러리에 의해 제공되는 함수들을 실행함으로써 이루어진다. 즉, 수트관리기는 수트에 기술된 사용자 인터페이스 명세를 해석하여 실제 그래픽 사용자 인터페이스를 자동으로 실현시킨다. 수트와 수트관리기를 사용함으로써 전문가 시스템 개발에서 사용자 인터페이스 모듈의 보다 신속한 개발이 가능하다. 본 논문의 사용자 인터페이스 기술 방법은 `자동 회전 구성 전문가 시스템`의 사용자 인터페이스에 사용되었다.

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2.8기가비트급 Serial-Link Chip에 적용되는 저전압 IPLL설계 (A IVC based PLL(IPLL) Design for 2.8Gbps Serial-Link Chip)

  • 정세진;이현석;성만영
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1999년도 추계학술대회 논문집 학회본부 B
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    • pp.697-699
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    • 1999
  • 2기가비트급 이상의 Serial-Link Chip에 적용되는 PLL의 특성은 lock-in-time이 빨라야하며 low VDD 동작을 확보해야 한다. 본 논문은 2.8기가비트급의 인터페이스 전송칩에 사용되는 PLL에 내부 전원 공급기를 설계하여 외부전원 3.3V시에 2.5V를 제공하며 이를 PFD/CP/VCO에 개별적 적용하는 제어방법 및 회로를 제안하며 이에 따르는 IPLL의 Lock-In-Time을 1mS 이내로 설계하였으며 외부동작 주파수는 100MHz이상이며 인터페이스 전송량은 2.8기가비트에 이른다. 저전압 설계를 통한 동작전류를 내부 전원 제어를 통해 순차적(Sequential Method)동작을 시킴으로 IPLL 동작시의 전류소모을 2mA이하로 제한하였다. 본 논문에서는 2.8기가비트급 인터페이스 전송칩에 적용한 IPLL의 회로 및 내부전원 공급기의 제어 방법 및 설계결과를 제안하며 이에 따르는 전송칩의 동작방법을 제안한다.

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웹 문서 내장형 컷아웃 애니메이션 인터페이스 (Web Embedded Animation Interface using Cutouts)

  • 손의성;최윤철
    • 한국정보과학회논문지:컴퓨팅의 실제 및 레터
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    • 제16권11호
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    • pp.1101-1105
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    • 2010
  • 본 논문에서는 웹 환경에서 컨텐츠의 내용을 시각적으로 보조하는 2D 애니메이션의 생성 인터페이스를 제안한다. 제안된 인터페이스를 이용하여, 애니메이션 생성에 대한 경험이 없는 사용자들도 움직임, 현상의 설명이나 시각적인 효과들을 친숙한 스케치방식으로, 인터렉티브하게 생성하고 공유할 수 있다. 또한, 컷아웃(Cutouts) 인터페이스 방식은 스케치 환경에서 양질의 결과들에서 생성하는데 기여하며, 기존 스케치기반 애니메이션 접근들에서 다루기 어려웠던, 이미지나 관절 객체를 간결한 방식으로 지원할 수 있게 한다.

P/N-CTR 코드를 사용한 SSN과 누화 잡음 감소 I/O 인터페이스 방식 (The SSN and crosstalk noise reduction I/O interface scheme using the P/N-CTR code)

  • 김준배;권오경
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제38권4호
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    • pp.60-60
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    • 2001
  • 칩과 칩 사이의 전송 속도가 증가함에 따라, 누화 및 스위칭 잡음에 의한 시스템의 성능 저하가 심각해지고 있다. 본 논문에서 제안하는 인터페이스는 한 심벌 펄스의 상승/하강 에지 위치에 데이터를 엔코딩하고, 천이 방향이 반대인 P-CTR과 N-CTR (positive/Negative Constant Transition Rate)을 사용하며, P-CTR 드라이버 2개 묶음과 N-CTR 드라이버 2개 묶음을 교대로 배치하여 버스를 구성한다. 제안하는 P/N-CTR 코드 인터페이스에서는 임의의 한 배선에 대해서 양옆의 이웃한 배선 신호가 동시에 같은 방향으로 스위칭하는 경우가 발생하지 않기 때문에 최대 누화 잡음과 최대 스위칭 잡음을 기존의 I/O 인테페이스 보다 감소시킬 수 있다. 제안하는 인터페이스 방식의 잡음 감소 특성을 검증하기 위하여 다양한 배선 구조와 여러 비트 폭의 버스 구조에 적용하고, 0.35㎛ SPICE 파라미터를 이용한 HSPICE 시뮬레이션을 수행하였다. 제안한 인터페이스는 기존의 인터페이스와 비교하여 32 비트 미만의 버스에서는 최대 누화 잡음이 최소26.78 % 감소하고, 누화는 50 % 감소한다.

합성 가능한 IPC 생성 방법 에 관한 연구 (A Generation Method of a Synthesizable IPC)

  • 윤창열;장경선
    • 한국정보처리학회:학술대회논문집
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    • 한국정보처리학회 2003년도 춘계학술발표논문집 (상)
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    • pp.389-392
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    • 2003
  • IP를 제사용 하기 위해 설계자는 IP의 기능에 대한 이해뿐만 아니라, IP의 인터페이스에 대해 알아야하고, 인터페이스 프로토콜에 따라 테스트 벤치의 작성과 프로토콜 변환 회로를 설계해야 한다. 이런 인터페이스 관련 작업은 오류가 생기기 쉽고, 많은 시간을 필요로 한다. 이러한 어려움을 극복하기 위해 설계의 수준을 트랜잭션 수준으로 높여야 한다. 이에 본 논문에서는 IP의 인터페이스 프로토콜을 트랜잭션 수준으로 변환시켜주는 인터페이스 프로토콜 컴포넌트를 제안하고, 이를 합성 가능한 VHDL 형태로 생성하는 방법을 제시한다. 실험을 통해 인터페이스 프로토콜 컴포넌트를 이용한 설계가, 그렇지 않은 설계에 비해 많은 면적을 요구하지 않음을 보인다.

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다양한 열전쌍(TC)의 냉점보상과 단선감지 회로설계 및 이를 이용한 다채널 인터페이스 구현 (Design of Cold-junction Compensation and Disconnection Detection Circuits of Various Thermocouples(TC) and Implementation of Multi-channel Interfaces using Them)

  • 차형우
    • 전기전자학회논문지
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    • 제27권1호
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    • pp.45-52
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    • 2023
  • 다양한 열전쌍(TC)의 냉점보정(CJC)과 단선 감지 회로설계와 이를 이용한 다채널 TC 인터페이스 회로를 설계하였다. 냉점보정(CJC)과 단선 감지 기능 회로는 열전쌍, CJC 반도체 소자, 계측 증폭기(IA), 단선 감지용 저항 2개와 하나의 다이오드로 구성된다. 이 기본회로를 바탕으로 다채널 인터페이스 회로도 구현하였다. CJC는 보상 전용 반도체와 IA를 사용하여 구현하였고, 단선감지는 2개의 저항과 하니의 다이오드를 사용하여 IA 입력전압이 -0.42V가 되도록 하여 검출하였다. R-형 TC를 사용하여 실험한 결과 설계한 회로는 0℃~1400℃의 온도범위에서 냉점보정 후 오차가 0.14mV에서 3㎶로 감소되었다. 또한, TC가 정상에서 단선인 경우 IA의 출력전압이 88mV에서 -0.42V로 포화된 것을 확인하였다. 0℃~1400℃의 온도 범위에서 설계한 회로의 출력전압은 0V~10V이였다. R-형 TC를 사용하여 4-채널 인터페이스를 실험한 결과에서도 각 채널에 CJC와 단선 감지 결과와 거의 동일하였다. 구현한 다채널 인터페이스는 CJC 반도체 소자의 단자의 변경과 IA의 이득을 조절하면 E, J, K, T, R, S-형 TC에도 동일하게 적용할 수 있는 특징을 갖는다.