• Membrane Journal
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• v.26 no.1
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• pp.1-13
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• 2016

Fuel cells are regarded as a representative energy source expected to replace fossil fuels particularly used in internal combustion engines. One of the most important components is polymer electrolyte membranes (PEMs) acting as a proton conducting barrier to prevent fuel gas crossover. Since water channels act as proton pathways through PEMs, many researchers have been focused on the 'good phase-separation of hydrophilic moiety' which ensures high water retention under low humidity enough to keep the water channel for good proton conduction. Here, we summarized the strategies which have been adopted to synthesize sulfonated PEMs having high proton conductivities even under low humidified conditions, and hope this review will be helpful to design high performance hydrocarbon PEMs.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.19 no.11
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• pp.2643-2648
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• 2015

This paper analyzes the phenomenon of drain induced barrier lowering(DIBL) for doping profiles in channel of asymmetric double gate(DG) MOSFET. The DIBL, the important short channel effect, is described as lowering of source barrier height by drain voltage. The analytical potential distribution is derived from Poisson's equation to analyze the DIBL, and the DIBL is observed according to the change of doping profile to influence on potential distribution. As a results, the DIBL is significantly influenced by projected range and standard projected deviation, the variables of channel doping profiles. The change of DIBL shows greatly in the range of high doping concentration such as $10^{18}/cm^3$. The DIBL increases with decrease of channel length and increase of channel thickness, and with increase of bottom gate voltage and top/bottom gate oxide film thickness.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• v.9 no.2
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• pp.887-890
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• 2005

The double gate(DG) MOSFET is a promising candidate to further extend the CMOS scaling and provide better control of short channel effect(SCE). DGMOSFETs, having ultra thin updoped Si channel for SCEs control, are being validated for sub-20nm scaling, A channel effects such as the subthreshold swing(SS), and the threshold voltage roll-off(${\Delta}V_{th}$). The propsed model includes the effects of thermionic emission and quantum tunneling of carriers through the source-drain barrier. The proposed model is used to design contours for gate length, channel thickness, and gate oxide thickness.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.47 no.10
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• pp.14-22
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• 2010

The source/channel/drain regions are formed by ion implantation with different dopant types of $n^+/p^{(+)}/n^+$ in the fabrication of the conventional n-type metal-oxide-semiconductor field effect transistor(NMOSFET). In implementing the ultra-small devices with channel length of sub-30 nm, in order to achieve the designed effective channel length accurately, low thermal budget should be considered in the fabrication processes for minimizing the lateral diffusion of dopants although the implanted ions should be activated as completely as possible for higher on-current level. Junctionless (JL) MOSFETs fully capable of the the conventional NMOSFET operations without p-type channel for enlarging the process margin are under researches. In this paper, the optimum design of the JL MOSFET based on silicon nanowire (SNW) structure is carried out by 3-D device simulation and the basic radio frequency (RF) characteristics such as conductance, maximum oscillation frequency($f_{max}$), current gain cut-off frequency($f_T$) for the optimized device. The channel length was 30 run and the design variables were the channel doping concentration and SNW radius. For the optimally designed JL SNW NMOSFET, $f_T$ and $f_{max}$ high as 367.5 GHz and 602.5 GHz could be obtained, respectively, at the operating bias condition $V_{GS}$ = $V_{DS}$ = 1.0 V).

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.27 no.2
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• pp.98-104
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• 1990

A study of the operation of surface and buried mode PMOSFET's is condusted. Using device with different channel length and channel implant dosage, threshold voltage lowering, transcon-diuctance and subthreshold characteristics of surface mode PMOFET are compared with those of buried mode MPOSFET. From the results, the surface channel device were more resistant to short channel effect than the buried channel device.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.22 no.1
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• pp.22-27
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• 1985

본 논문에서는 채널에 붕소를 이온주입하여 불균일한 도우핑 profile을 가지는 n-채럴 MOSFET의 threshold 전압에 대하여 보다 간단한 모델링을 기술하였다. 실제의 도우핑 Profile들 지수적인 Profile을 지수적인 profile로 근이시키고 Poisson방정식과 depletion approximation을 이용하여 실리콘 표면의 Potential, 최대 공핍층의 폭 그리고 threshold 전압을 구하였다. 계산한 threshold 전압이 실험치와 잘 일치한다는 사실은 이온 주입한 MOS소자들에 대하여 지수적인 도우핑 Profile로 근이시킬 수 있다는 타당성을 보여 주고 있다.

• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.9 no.8
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• pp.847-852
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• 2014

As the scaling trend becomes accelerated in process technology for cost reduction in semiconductor chip manufacturing, the requirement for shrink technology has increased. Hot Carrier Injection (HCI) degradation for I/O transistors is most concerning part when shrink. To solve this, the effective channel length (Leff) was increased using liner oxide before Light Doped Drain (LDD) implants and optimized the tilt angle to increase Leff without E-field degradation in LDD region, satisfying the HCI specification.

• Proceedings of the Korean Society of Applied Pharmacology
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• 1994.04a
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• pp.231-231
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• 1994

이 연구는 인삼 성분 약물이 도파민 수용체에 미치는 영향을 연구하기 위한 첫 단계로써 그 기본적인 assay system을 정착 시키기 위함이 목적이었다. 우리는 이 연구를 수행하기 위하여 생후 2-4 일의 쥐를 사용하여 흑질, 선조체, 해마구, nucleus accumbens등의 뇌 부위에서 신경세포 배양을 시도하였다. 흑질로 부터 배양한 신경세포들의 경우엔 면역 세포학적방법을 써서 살펴본 결과 대부분의 신경이 도파민성 신경이나 GABA성 신경들 이었다. 또한 이들 세포들의 전기 생리학적 상태를 알아보기 위하여 흑질에서 신호 전달체계가 잘 확립된 GABA 수용체의 작용을 살펴 본 결과 이 신경세포들은 GABA-A 및 GABA-B 수용체의 발현은 물론 이온 채널에 미치는 신호 전달체계를 완전히 갖추고 있었다. 도파민 수용체의 작용을 전기 생리학적으로 연구하기 위하여 배양한 신경세포에 도파민agonist를 가해서 이온 채널에 미치는 효과를 살펴 보았다. 선조체에서 배양한 신경세포들은 Dl 과 D2 agonist에 대해서 상반되는 반응을 나타냈다. 즉 Dl agonist는 선조체 신경세포를 활성화 시켰으나 D2 agonist는 선조체 신경세포들을 억제 하였다. 한편 해마구의 CAI 과 CA3 부위로 부터 배양한 신경세포에 대한 도파민 agonists의 작용은 선조체의 신경세포에 대한도파민 agonists의 작용과는 상반되는 반응 이었다. Dl agonist는 해마구로 부터 배양한 신경세포의 활성을 억제 하였으나 D2 agonist는 이들 신경세포들의 활성을 증가 시켰다. Nucleus accumbens 에서 배양한 신경세포들은 도파민에 의해서 그 활성이 억제 되었다. 이러한 결과로 미루어 봐서 같은 도파민 수용체라도 분포되어 있는 조직에 따라서 신호전달 에 관여 하고 있는 C-단백이나 이차 전령물질이 달라서 신경세포에 대한 작용이 다르든지. 약리학적으로는 구분되지 않으나 뇌의 조직에 따라서 분포가 다른 도파민 수용체의 아그룹이 존재 한다고 생각된다.

• ETRI Journal
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• v.14 no.1
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• pp.52-65
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• 1992

전자선 직접묘사 (E-beam direct writing lithography) 방법을 이용하여 $0.2\mum$ 과 $0.3\mum$ 의 게이트길이를 가지는 NMOS 트랜지스터를 제작하였다. 게이트만 전자선 직접묘사 방법으로 정의하고 나머지는 optical stepper를 이용하는 Mix & Match 방식을 사용하였다. 게이트산화막의 두께는 최소 6nm까지 성장시켰으며, 트랜지스터구조로서는 lightly-doped drain(LDD) 구조를 채택하였다. 짧은 채널효과 및 punch through를 줄이기 위한 방안으로 채널에 깊이 붕소이온을 주입하는 방법과 well을 고농도로 도핑하는 방법 및 소스와 드레인에 $p^-$halo를 이온주입하는 enhanced lightly-doped drain(ELDD) 방법을 적용하였으며, 제작후 성능을 각각 비교하였다. 제작된 $0.2\mum$의 게이트길이를 가지는 소자에서는 문턱전압과 subthreshold기울기는 각각 0.69V 및 88mV/dec. 이었으며, Vds=3.3V에서 측정한 포화 transconductance와 포화 드레인전류는 각각 200mS/mm, 0.6mA/$\mum$이었다. $0.3\mum$소자에서는 문턱전압과 subthreshold 기울기는 각각 0.72V 및 82mV/dec. 이었으며, Vds=3.3V에서 측정한 포화 transconductance는 184mS/mm이었다. 이러한 결과는 전원전압이 3.3V일 때 실제 ULSI에 적용가능함을 알 수 있다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.18 no.8
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• pp.1925-1930
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• 2014

This paper has analyzed the relation of conduction path and subthreshold swing for doping profile in channel of asymmetric double gate(DG) MOSFET. Since the channel size of asymmetric DGMOSFET is greatly small and number of impurity is few, the high doping channel is analyzed. The analytical potential distribution is derived from Possion's equation, and Gaussian distribution function is used as doping profile. The conduction path and subthreshold swing are derived from this analytical potential distribution, and those are investigated for variables of doping profile, projected range and standard projected deviation, according to the change of channel length and thickness. As a result, subthreshold swing is reduced when conduction path is approaching to top gate, and that is increased with a decrease of channel length and a increase of channel thickness due to short channel effects.