• Title/Summary/Keyword: 온도마진

Search Result 22, Processing Time 0.026 seconds

A CMOS Bandgap Reference Voltage/Current Bias Generator And Its Responses for Temperature and Radiation (CMOS Bandgap 기준 전압/전류 발생기 및 방사능 응답)

  • Lim, Gyu-Ho;Yu, Seong-Han;Heo, Jin-Seok;Kim, Kwang-Hyun;Jeon, Sung-Chae;Huh, Young;Kim, Young-Hee;Cho, Gyu-Seong
    • Proceedings of the IEEK Conference
    • /
    • 2003.07b
    • /
    • pp.1093-1096
    • /
    • 2003
  • 본 논문에서는, CMOS APS Image Sensor 내에 포함되어 회로의 면적을 줄인 새롭게 제안된 CMOS Bandgap Reference Bias Generator (BGR)를 온도 및 방사능에 대한 응답을 실험하였다. 제안된 BGR 회로의 설계 목표는 V/sub DD/는 2.5V이상이고, V/sub ref/는 0.75V ± 0.5mV 마진을 가지게 하는 것이다. 제안된 BGR회로는 Level Shifter를 갖는 Differential OP-amp단과 Feedback-Loop를 가지는 Cascode Current Mirror를 사용하여 저전압에서도 동작을 가능하게 하였으며, 높은 출력저항 특성을 가지도록 하였다. 제안된 BGR회로는 하이닉스 0.18㎛ ( triple well two-poly five-metal ) CMOS 공정을 이용하여 Test Chip을 제작하였다. 온도의 변화와 Co-60 노출조건 하에서 Total ionization dose (TID) effect된 BGR회로의 V/sub ref/를 측정하여, 이를 평가하였다. 온도에 대한 반응은, 25℃ 일 때의 V/sub ref/에 대해, 각각 45 ℃에서 0.128%. 70℃에서 0.768% 변화하였다. 그리고 온도가 25℃일 때 50krad와 100krad의 방사능을 조사 하였을 경우, V/sub ref/는 각각 2.466%, 그리고 4.612% 변화하였다.

  • PDF

A CMOS 16:1 Binary-Tree Multiplexer applying Delay Compensation Techniques (딜레이 보상 기법을 적용한 바이너리-트리 구조의 CMOS 16:1 멀티플렉서)

  • Shon, Kwan-Su;Kim, Gil-Su;Kim, Kyu-Young;Kim, Soo-Won
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
    • /
    • v.45 no.2
    • /
    • pp.21-27
    • /
    • 2008
  • This paper describes a CMOS 16:1 binary-tree multiplexer(MUX) using $0.18-{\mu}m$ technology. To provide immunity for wide frequency range and process-and-temperature variations, the MUX adopts several delay compensation techniques. Simulation results show that the proposed MUX maintains the setup margins and hold margins close to the optimal value, i.e., 0.5UI, in wide frequency-range and in wide process-and-temperature variations, with standard deviation of 0.05UI approximately. These results represent that these proposed delay compensations are effective and the reliability is much improved although CMOS logic circuits are sensitive to those variations. The MUX is fabricated using $0.18-{\mu}m$ CMOS process, and tested with a test board. At power supply voltage of 1.8-V, maximum data-rate and area of the MUX is 1.65-Gb/s and 0.858 $mm^2$, respectively. The MUX dissipates a power of 24.12 mW, and output eye opening is 272.53 mV, 266.55 ps at 1.65-Gb/s operation.

Experimental Verification of Heat Sink for FPGA Thermal Control (FPGA 열제어용 히트싱크 효과의 실험적 검증)

  • Park, Jin-Han;Kim, Hyeon-Soo;Ko, Hyun-Suk;Jin, Bong-Cheol;Seo, Hak-Keum
    • Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
    • /
    • v.42 no.9
    • /
    • pp.789-794
    • /
    • 2014
  • The FPGA is used to the high speed digital satellite communication on the Digital Signal Process Unit of the next generation GEO communication satellite. The high capacity FPGA has the high power dissipation and it is difficult to satisfy the derating requirement of temperature. This matter is the major factor to degrade the equipment life and reliability. The thermal control at the equipment level has been worked through thermal conduction in the space environment. The FPGA of CCGA or BGA package type was mounted on printed circuit board, but the PCB has low efficient to the thermal control. For the FPGA heat dissipation, the heat sink was applied between part lid and housing of equipment and the performance of heat sink was confirmed via thermal vacuum test under the condition of space qualification level. The FPGA of high power dissipation has been difficult to apply for space application, but FPGA with heat sink could be used to space application with the derating temperature margin.

Separation Device of Deployable SAR Antenna for satellite (위성용 전개형 SAR 안테나 구속분리장치 )

  • Junwoo, Choi;Bohyun, Hwang;Byungkyu, Kim;Dong-yeon, Kim;Hyun-guk, Kim
    • Journal of Aerospace System Engineering
    • /
    • v.16 no.6
    • /
    • pp.123-128
    • /
    • 2022
  • This paper proposes a non-explosive separation device for the deployable SAR antenna. This device utilises a Ni-Cr wire to restrain the antenna's belt mechanism, and joule-heating is used to minimise the impact of deployment. After the Ni-Cr wire has been cut, the device is deployed through the preload of the belt mechanism. Considering the design load(99g) and preload conditions, FEM analysis for AL7050 and Ti was performed. This analysis revealed that the amount of deformation for AL7050 was 0.256 mm with a margin of +0.09. In addition, by performing orbital thermal analysis, the temperature distribution for AL7050 in the worst cold case is confirmed as -50 to +2℃ and -10 to +90℃ in the worst hot case. This analysis confirmed that the separation device would remain stable even in the worst environment.

옆면 접촉 전극을 위한 두꺼운 p-형 질화갈륨층을 가지는 발광다이오드에 대한 연구

  • Lee, Jun-Yeop;Bae, Si-Yeong;Gong, Deuk-Jo;Lee, Dong-Seon
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2013.02a
    • /
    • pp.437-437
    • /
    • 2013
  • 3족 질화물은 우수한 광학 특성과 특히 3족 물질의 조성비 조절로 넓은 대역의 밴드갭 엔지니어링으로 발광다이오드의 물질로 각광 받고 있다. 이와 더불어 발광다이오드의 광추출효율을 향상시키기 위해 다양한 연구들이 활발히 이루어지고 있다. 그 연구 중 하나로 나노, 마이크로 사이즈의 막대와 같은 일차원적 구조와 최근 ITO를 활용한 투명 전극을 대체하여 전도도가 100배 정도 높은 금속을 이용한 옆면 접촉 전극을 도입한 것이 최근 발표되었다. 그러나 옆면 접촉 전극을 형성하기 위해서는 기존의 약 100 nm 정도의 두께의 p-형질화갈륨층은 공정 마진 등에 어려움이 있다. 따라서 기존에 비해 두꺼운 p-형 질화갈륨층이 필요하다. 보통 상용화된 유기 금속화학 증착법을 이용한 p-형 질화갈륨층은 도핑 물질인 Mg의 낮은 활성화와 성장 분위기 중 수소로 인해 양질의 것을 얻기 어렵고 이를 위해 성장 후 추가적인 활성화가 필요하다. 따라서 두꺼워진 p-형 질화갈륨층에 대해서도 기존의 성장 조건과 활성화 조건의 적합 여부와 이에 대한 연구가 필요하다. 따라서 본 연구에서는 양질의 p-형 질화갈륨을 얻기 위하여 성장 조건 및 성장 후 급속 열처리 온도, 시간에 대한 최적화와 약 630 nm 두께의 p-형 갈륨질화층을 가지는 발광다이오드에 대해 급속 열처리 조건에 대한 특성 연구를 실시한다.

  • PDF

Analysis of effect of parasitic schottky diode on sense amplifier in DDI DRAM (DDI DRAM의 감지 증폭기에서 기생 쇼트키 다이오드 영향 분석)

  • Chang, Sung-Keun;Kim, Youn-Jang
    • Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
    • /
    • v.11 no.2
    • /
    • pp.485-490
    • /
    • 2010
  • We propose the equivalent circuit model including all parasitic components in input gate of sense amplifier of DDI DRAM with butting contact structure. We analysed the effect of parasitic schottky diode by using the proposed model in the operation of sense amplifier. The cause of single side fail and the temperature dependence of fail rate in DDI DRAM are due to creation of the parasitic schottky diode in input gate of sense amplifier. The parasitic schottky diode cause the voltage drop in input gate, and result in decreasing noise margin of sense amplifier. therefore single side fail rate increase.

Characteristic Change Of Solution Based ReRAM in Different Annealing Method

  • Park, Jeong-Hun;Jang, Gi-Hyeon;Jo, Won-Ju
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2013.08a
    • /
    • pp.242.1-242.1
    • /
    • 2013
  • 최근, 저항변화 메모리 (resistance random access memory, ReRAM)는 단순한 구조, 고집적성, 낮은 소비 전력, 우수한 retention 특성 CMOS 기술과의 공정호환성 등의 장점으로 인하여 현재 사용되는 메모리의 물리적 한계를 극복할 수 있는 차세대 메모리로써 주목을 받고 있다. 더욱이 용액공정은 높은 균일성, 공정 시간 및 비율 감소 그리고 대면적화가 가능한 장점을 가진 이유로 TiOx, ZrOx ZnO 같은 high-k 물질들을 이용한 연구가 보고되고 있다. 기존의 ReRAM 용액공정에서 결함, 즉 oxygen vacancies 그리고 불순물들을 제어하기 위해 일반적으로 사용되는 furnace 열처리는 낮은 열효율과 고비용등의 문제점을 가지고 있다. 특히 glass 또는 flexble 기판의 경우 열처리 온도에 제약이 있다. 이러한 문제를 해결하기 위한 방법으로 열 균일성, 짧은 공정시간 의 장점을 가진 microwave 열처리 방법이 보고되고 있다. 따라서 본 연구에서는 용액공정을 이용하여 증착한 HfOx 기반의 저항변화 메모리를 제작하여 저온에서 microwave 열처리 와 furnace 열처리의 특성을 비교평가 하였다. 그 결과 microwave 열처리 방법이 furnace 열처리 방법보다 넓은 메모리 마진, 향상된 uniformity 를 가지는 것을 확인 하였다. 이로써 저온공정이 필요한 ReRAM 의 열처리 대안책 으로 사용될 수 있을 것으로 기대된다.

  • PDF

저궤도 위성의 궤도 특성에 따른 버스 운용 고려 사항

  • Jeon, Moon-Jin;Kim, Day-Young;Kim, Gyu-Sun
    • The Bulletin of The Korean Astronomical Society
    • /
    • v.37 no.2
    • /
    • pp.198.1-198.1
    • /
    • 2012
  • 저궤도 위성이 발사체에서 분리된 후 탑재 소프트웨어에 의한 초기 동작이 수행되고 나면 초기 운용이 시작된다. 초기 운용 기간에 수행할 모든 절차와 대처 가능한 긴급 상황이 발생할 경우 수행할 절차는 발사 전에 미리 준비된다. 위성의 각 부분의 설계 마진은 최악 조건을 기준으로 반영되어 있기 때문에 발사 이후의 버스 시스템 관점에서의 위성 특성은 요구 사항을 만족하는 범위가 될 것으로 예상이 가능하다. 실제로 발사 후 위성 텔레메트리 분석을 통해 대부분의 항목에서 요구 조건을 만족하는 것으로 확인되었다. 또한 텔레메트리 분석을 통해 설계 단계에서 예상했던 것 보다 정확한 궤도 특성이 반영된 위성 특성을 파악하였다. 이러한 특성은 설계 시 고려했던 상황과 다르더라도 실제 궤도 특성이 반영된 특성이므로 초기 운용 및 정상 운용 시에 정상적인 상황인 것으로 고려해야 한다. 첫째, 지구 알베도 특성에 따라 태양센서 값이 궤도에 따라 변화한다. 위성의 자세가 정확히 태양을 지향하고 있더라도 태양센서에 지구에서 반사된 빛이 입사되어 자세 제어에 영향을 주게 된다. 알베도의 영향은 적도에서 극지방으로 갈수록 커지며, 계절에 따라 다른 특성을 보인다. 알베도의 영향을 최소화하기 위해 자세 제어 모델에 알베도 효과를 고려하거나 알베도 효과를 무시할 수 있을 정도로 자세 제어 오차 한계를 조정할 수 있다. 둘째, 위성의 지구 회피 회전에 의해 태양 전지판의 온도가 궤도에 따라 변화한다. 위성체는 위성체에 장착된 두 개의 별센서의 가시성 확보를 위해 태양 지향 자세에서 요축으로 일정 속도로 회전한다. 남극 부근에서는 두 태양 센서가 모두 지구의 반대편인 남쪽을 지향하도록 하며, 북극 부근에서는 북쪽을 지향하도록 한다. 이 때 두 태양 센서의 방향에 장착된 태양 전지판은 극지방에서 지구 반대편에 위치하므로 다른 태양 전지판에 비해 낮은 온도를 갖게 된다. 이 논문에서는 위성의 궤도 특성에 따른 고려 사항에 대해 설명하였다.

  • PDF

Dyeability of Low-melting Polyester at Low Temperature (LMP 복합사의 저온 염색성)

  • Hwang, Ji-Hyun;Kim, Chang-Nam;Ma, Jin-Suk;Yoon, Nam-Sik
    • Proceedings of the Korean Society of Dyers and Finishers Conference
    • /
    • 2012.03a
    • /
    • pp.49-49
    • /
    • 2012
  • 바닥재 자카드직물에 사용이 예상되는 LMP(low meltig polyester) 복합사는 사염 시 높은 수축율 및 열융착의 가능성 때문에 일반적인 폴리에스테르의 염색조건에서는 염색이 불가하다. 따라서 적정의 수축율 내에서 가능한 염색조건에 대해 고찰하였다. LMP 복합사는 웅진케미컬에서 생산된 Regular PET/LMP(75:25) 260d/48f 원사를 사용하였다. 수축율은 KS K 0215에 준하여 측정하였다. 염색은 E-type 및 S-type(Foron Dark Blue S-WF) 분산염료를 사용하였으며, E-type 중에서는 아조계(Lumacron Blue SERL 200%) 와 안트라퀴논계(Foron Blue E-BL 150)의 2 종류를 사용하였다. 염색된 시료는 현미경 단면사진을 이용하여 염료의 내부확산을 확인하였으며, 환원세정 전후의 K/S 값을 측정하였다. LMP원사의 수축율을 시험한 결과 $90^{\circ}C$에서 9% 정도의 수축율을 나타내어, $90^{\circ}C$ 이상에서는 사염이 어려운 것으로 나타났다. 따라서 염색온도는 $80^{\circ}C$$90^{\circ}C$로 하였다. S-type의 염료를 이용한 경우 $90^{\circ}C$에서 4일 이상 염색해도 염착이 이루어지지 않아 대상 염료에서 제외하였다. E-type 염료인 경우 아조계는 흡진율은 높았으나 내부 regular PET에의 확산이 매우 느리고, 안트라퀴논계는 상대적으로 확산이 빠른 것으로 나타났다. 안트라퀴논계 분산염료는 $80^{\circ}C$에서 내부로의 확산에 4일 이상이 소요되며, $90^{\circ}C$에서는 2일 이상이 소요되었다. 이 후 환원세정에 의한 K/S 값의 변화 및 마찰견뢰도를 시험하였으며, 환원세정 후의 섬유단면 사진을 통해 염료의 migration성을 평가하였다.

  • PDF

Effect of extract temperature and duration on antioxidant activity and sensory characteristics of Ulmus pumila bark extract (추출온도 및 시간에 따른 유백피 추출물의 항산화 활성과 음료의 관능적 특성)

  • Cho, Myoung Lae;Oh, Yu-Na;Ma, Jin-Gyeong;Lee, Su-Jin;Choi, Young-Hee;Son, Dong-Hwa;Jang, Eun Hee;Kim, Jong-Yea
    • Food Science and Preservation
    • /
    • v.23 no.7
    • /
    • pp.995-1003
    • /
    • 2016
  • Ulmus pumila L. bark underwent distilled water extraction under three temperature condition ($4^{\circ}C$, room temperature, or $80^{\circ}C$) and two extraction times (1, or 5 min) in order to develop a functional beverage products. Changes in yield, pH, color, total phenolic (TP) content, tannin content and antioxidant activity of the aqueous extracts were evaluated for each extraction temperature and duration. Extraction conditions did not affect yield or pH value of the extracts; however CIE $b^*$ values were high in extracts prepared under high extraction temperature ($80^{\circ}C$) and long extraction duration (5 min) conditions. Both extraction temperature and duration affected the TP and tannin contents of the extracts; however, all extraction conditions resulted in ${\geq}450\;mg\;GAE/g$ TP content and ${\geq}80\;mg\;CE/g$ tannin content. All extracts exhibited ABTS and DPPH radical scavenging ability similar to that of vitamin C. Nitric oxide inhibition activity was lower in the 5 min duration sample than in the 1 min sample. The $4^{\circ}C$ extraction temperature produced an extract with the highest reducing power and hydrogen peroxide values. Extraction temperature also affected sensory evaluation results with the $80^{\circ}C$ extraction temperature producing significantly higher flavor, bitterness, and color score, than those obtained under $4^{\circ}C$ and room temperature extraction conditions.