Proceedings of the IEEK Conference (대한전자공학회:학술대회논문집)
- 2003.07b
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- Pages.1093-1096
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- 2003
A CMOS Bandgap Reference Voltage/Current Bias Generator And Its Responses for Temperature and Radiation
CMOS Bandgap 기준 전압/전류 발생기 및 방사능 응답
- Lim, Gyu-Ho (Dept. of Electronic Engineering, Changwon National University) ;
- Yu, Seong-Han (Dept. of Electronic Engineering, Changwon National University) ;
- Heo, Jin-Seok (Dept. of Electronic Engineering, Changwon National University) ;
- Kim, Kwang-Hyun (Dept. of Nuclear and Quantum Engineering, KAIST) ;
- Jeon, Sung-Chae (Dept. of Nuclear and Quantum Engineering, KAIST) ;
-
Huh, Young
(Korea Electrotechnology Research Institute)
;
-
Kim, Young-Hee
(Dept. of Electronic Engineering, Changwon National University)
;
-
Cho, Gyu-Seong
(Dept. of Nuclear and Quantum Engineering, KAIST)
- 임규호 (창원대학교) ;
- 유성한 (창원대학교) ;
- 허진석 (창원대학교) ;
- 김광현 (한국과학기술원) ;
- 전성채 (한국과학기술원) ;
-
허영
(한국전기연구원)
;
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김영희
(창원대학교)
;
-
조규성
(한국과학기술원)
- Published : 2003.07.01
Abstract
본 논문에서는, CMOS APS Image Sensor 내에 포함되어 회로의 면적을 줄인 새롭게 제안된 CMOS Bandgap Reference Bias Generator (BGR)를 온도 및 방사능에 대한 응답을 실험하였다. 제안된 BGR 회로의 설계 목표는 V/sub DD/는 2.5V이상이고, V/sub ref/는 0.75V ± 0.5mV 마진을 가지게 하는 것이다. 제안된 BGR회로는 Level Shifter를 갖는 Differential OP-amp단과 Feedback-Loop를 가지는 Cascode Current Mirror를 사용하여 저전압에서도 동작을 가능하게 하였으며, 높은 출력저항 특성을 가지도록 하였다. 제안된 BGR회로는 하이닉스 0.18㎛ ( triple well two-poly five-metal ) CMOS 공정을 이용하여 Test Chip을 제작하였다. 온도의 변화와 Co-60 노출조건 하에서 Total ionization dose (TID) effect된 BGR회로의 V/sub ref/를 측정하여, 이를 평가하였다. 온도에 대한 반응은, 25℃ 일 때의 V/sub ref/에 대해, 각각 45 ℃에서 0.128%. 70℃에서 0.768% 변화하였다. 그리고 온도가 25℃일 때 50krad와 100krad의 방사능을 조사 하였을 경우, V/sub ref/는 각각 2.466%, 그리고 4.612% 변화하였다.
Keywords