• Journal of Korean Electronics
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• v.3 no.7
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• pp.22-25
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• 1983

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.46 no.5
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• pp.9-14
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• 2009

In this paper, we proposed a novel OTP unit bit of CMOS gate oxide antifuse using the standard CMOS process without additional process. The proposed OTP unit bit is composed of 3 transistors including an NMOS gate oxide antifuse and a sense amplifier of inverter type. The layout area of the proposed OTP unit bit is $22{\mu}m^2$ similar to a conventional OTP unit bit. The programming time of the proposed OTP unit bit is 3.6msec that is improved than that of the conventional OTP unit bit because it doesn't use high voltage blocking elements such as high voltage blocking switch transistor and resistor. And the OTP array with the proposed OTP unit bit doesn't need sense amplifier and bias generation circuit that are used in a conventional OTP array because sense amplifier of inverter type is included to the proposed OTP unit bit.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 1998.10a
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• pp.1199-1202
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• 1998

4채널 입력으로부터 입력되는 오디오를 압축,복원,저장, 전송하는 ㅅ스템을 설계한다. 이러한 시스템은 보안 시스템 중에서 특정 센서로부터 alarm 신호를 디지털 데이터로 변환한 후, 압축시켜 저장하고 동시에 압축된 오디오 데이터를 비디오 데이터와 통합하여 하나의 스트림으로 만들어 통신망으로 보내주는 시스템에 적용된다. 이러한 시스템의 구조를 간단히 설명하면 아날로그 음성 신호를 디지털 음성 data로 변환하기 위해 OKI사의 MSM 7570L-91이라는 ADPCM codec을 사용하였고 ADPCMcodec을 거쳐 나온 ADPCM 데이터를 64Mbyte SDRAM에 저장하였다가 FIFO를 거쳐서 통신망으로 전송을 한다. 복원은 SDRAM에 저장된 ADPCM 데이터를 MSM 7570L-01을 거쳐 아날로그 신호로 변환한 후 엠프를 거쳐 스피커로 출력을 하게 된다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1999.07f
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• pp.2704-2707
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• 1999

This paper presents a simple high power audio class amplifier which is controlled by a new current control switching method. Although this class D amplifier has an only one current control loop with the proposed switching method, a good performance can be obtained. And a novel switching strategy for driving stereo signal amplifier circuit with three phase full bridge is discussed also. With the simulation and experimental results, usefulness of the proposed amplifier is confirmed.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.04a
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• pp.9-11
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• 2002

본 논문에서는 고속 회전기의 자기 베어링을 위한 새로운 파인 앰프(Power Amplifier) 구성 방법에 대하여 논하고자 한다. 그리고 이를 위한 새로운 PWM 구현 방법을 제안한다. 제안된 방법은 6개의 IGBT로 구성된 3개의 암(Arm)을 내장한 파워 모듈(Power Module)을 이용한다. 제안된 방법을 통해 필요한 파워 모듈의 숫자를 줄이면서도 자기 베어링 코일에 효과적으로 전압을 인가할 수 있음을 보인다. 또한 자기 베어링 1자유도 모의 실험 장치를 구성하여 제안된 방법의 실효성을 검증한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1999.07g
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• pp.3178-3180
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• 1999

초음파 진단기의 신호처리에 필요한 8-b 해상도와 40MS/s 이상의 변환속도를 갖는 ADC를 Folding and Interpolating 형태로 설계했다. 전력소모와 입력단의 오프셋에 의한 영향을 줄이기 위해 프리엠프의 출력을 Interpolation하여 그 개수를 절반으로 줄임으로써 전력소모를 줄였고, 기존의 전압모드 Interpolation 회로에서의 단순한 source follower를 정궤환을 이용한 버퍼의 형태로 바꾸어 이득을 개선시킴으로써 전압의 이용율을 높일 수 있었다. ADC에서 가장 중요한 비교기를 설계함에 있어서는 다이나믹 전력 소모만 있는 구조에 킥-백 노이즈를 줄이기 위한 설계를 했다 $0.6{\mu}m$ CMOS 공정을 이용해 설계되었고, Layout 결과 칩의 면적은 $1.3mm{\times}1.3mm$. 모의 실험결과 40MS/s에서 70mw의 전력을 소모하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.07a
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• pp.1112-1113
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• 2007

능동형 자기베어링과 보(Beam)와 피봇으로 구성되는 시소 (SISO)는 제어적 관점에서 보면 많은 유사성이 있다. 본 논문에서는 Carl R. Knospe 등이 제안한 보와 피봇을 이용한 1자유도 자기베어링 시뮬레이터를 실제 제작하여, 비레 미분 적분 제어 알고리즘을 적용한 디지털 제어기와, 큰 힘을 발생시키기 위해서는 필연적인 전자석 코일의 큰 인덕턴스에 의해 제한되는 Bandwidth(BW)를 보상하기 위해 앞섬 보상기를 가지는 전류제어기를 구현하였다. 복잡한 자기베어링 시스템을 기구적으로 간단한 보와 피봇 시스템으로 상사시킴으로써, 자기베어링 제어 알고리즘 개발 및 파라미터 튜닝의 목적을 달성할 수 있었다.

• Proceedings of the Acoustical Society of Korea Conference
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• spring
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• pp.363-366
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• 1999

본 논문은 움직이는 물체의 거리와 속도측정을 위한 고전력 쏘나(SONAR)시스템 개발에 목적을 두었다. 고전력 딘나 시스템은 이동하는 물체에 주파수가 190kHz이고, 1.6ms 만큼의 시간차를 가지는 두 개의 정현 구동신호를 보내, 되돌아오는 초음파의 시간차를 이용했다. 초음파 센서의 송신부에는 고전력 엠프를 사용하여 ${\pm}60V$의 정현 구동 신호가 송신 초음파 센서에 전달 되도록 하였다. 초음파 센서의 신호 발진 및 수신된 신호의 저장을 위하여 IM RAM을 활용하였다. 150-250kHr 대역의 아날로그 BP필터를 거쳐 RAM에 저장된 수신신호는 송신신호와 함께 Cross-correlation을 행하여 시간지 연값을 계산하였고, 이로부터 거리 및 속도를 측정했다. 이 실험에서 설계 제작된 쓰나 시스템으로부터 측정된 값은 오실로스코프와 광 센서를 이용하여 직접 측정한 값들과 비교했다. 그 결과 $2\%$의 오차로 근접함을 확인하였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.37 no.6
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• pp.1-8
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• 2000

In this paper, design of sense amplifier for a flash memory minimizing bit line disturbance due to common bit line is presented. There is a disturbance problem at output modes by using common bit line, when the external devices access an internal flash memory. This phenomenon is resulted form hot carrier between floating gates and bit lines by thin oxide thickness. To minimize bit line disturbance, lower it line voltage is required and need sense amplifier to detect data existence in lower bit line voltage. Proposed circuits is operated at lower bit line voltage and we fabricated a embedded flash memory MCU using 0.6u technology.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.40 no.6
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• pp.421-430
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• 2003

In the embedded system, EPROM is difficult to replace a mask ROM for the applications using battery, because the low voltage characteristic of an EPROM is inferior to that of a mask ROM. In this paper, the new circuits such as a word line voltage hoosier scheme and a sense amplifier without reference input for an embedded EPROM in MCU are proposed. The circuits can detect bit line voltage a predetermined level, which is caused by the degradation of the battery. We fabricated a MCU embedded 32Kbytes EPROM. The proposed circuits well operated at 1.5V supply voltage and thus the low voltage performance was improved by about 30%.