• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.11a
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• pp.269-270
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• 2015

상용 교류전원 환경에서 구동되는 조명용 OLED의 연구를 위하여 적색 형광 소자를 제작하여 교류 순방향 바이어스 인가에 따른 유기 전계발광 소자의 발광 특성을 분석하였다. 순방향 교류전원으로 구동된 유기발광 소자의 경우 직류 구동 방식과 비교하여 인가전압에 따른 전류 밀도와 발광 휘도는 유사한 특성을 나타내나, 높은 구동 전압에서 시간에 따른 열화가 빠르게 진행되는 결과를 나타내었다. 이러한 원인은 동일한 인가전압에서 교류의 경우 첨두치 전압이 높아 OLED 구동에 치명적인 열화의 원인으로 작용한다는 것을 실험적으로 확인하였다. 조명 용도로 교류전원 환경에서 OLED를 직결로 구동시키기 위해서는 소자를 안정적으로 구동할 수 있는 전압 범위의 첨두치 전압 조건에서 충분한 휘도와 효율 특성이 요구됨을 본 연구 결과를 통해 알 수 있다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.11a
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• pp.9-12
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• 2002

NPT IGBT의 게이트 길이 최적화에 대해 수치 해석적으로 분석하였다. 게이트가 길어질 때 드리프트 영역의 전압강하는 급격히 감소하는 반면 소자 표면의 전압강하는 일정하게 증가하기 때문에 순방향 전압강하가 최소가 되는 게이트 길이를 얻을 수 있음을 보였고 시뮬레이션 결과에 부합하는 표면 전압 강하에 대한 해석적인 모델을 처음으로 제시하였으며 그 결과가 시뮬레이션과 잘 일치함을 보였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.40 no.6
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• pp.393-399
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• 2003

The current paper presents a new Mo-MPS rectifier using molybdenum as barrier metal to improve on the low forward voltage drop and power dissipation of the coventional Al-MPS and Pt-MPS rectifier. Electrical characteristics of the fabricated Mo-MPS rectifier are imvestigated compared with Al-MPS and Pt-MPS rectifier. At the same current level, the forward voltage drop of the Mo-MPS was reduced by 0.11V~0.24V compared to that of the conventional MPS rectifier. Accordingly, since the Power dissipation of a rectifier mostly depends on the forward current density and forward voltage drop, the Mo-MPS rectifier achieved improved power dissipation when compared to the conventional MPS rectifier. The reverse breakdown voltage of a Mo-MPS rectifier with 68% Schottky junction area was about 304y. Despite having a lower forward voltage drop than a conventional MPS rectifier, the Mo-MPS rectifier still exhibited a higher reverse breakdown voltage.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2004.11a
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• pp.17-19
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• 2004

트렌치 게이트 구조를 통해 순방향 전압 강하 손실 없이 기생 사이리스터 래치-업을 억제시키는 새로운 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (LIGBT)를 제안하였다. 제안된 소자의 베이스 션트 저항은 정공의 우회로 인하여 감소하였으며, 이에 따라 기생 사이리스터 래치-업이 억제되었다. 제안된 소자의 순방향 전압강하는 트렌치 구조에 의한 유효 채널 폭 증가로 감소하였다. 제안된 소자의 동작 원리 분석을 위해 ISE-TCAD를 이용한 3차원 시뮬레이션을 수행하였으며, 표준 CMOS 공정을 이용하여 소자를 제작 및 측정하였다. 제안된 소자의 순방향 전압 강하는 기존의 LIGBT에 비해 증가하지 않았으며, 래치-업 용량은 2배로 향상되었다. 제안된 소자의 포화 전류는 감소하였으며, 이로 인하여 소자의 강인성 (ruggedness)이 향상되었다.

• Journal of IKEEE
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• v.17 no.4
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• pp.428-433
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• 2013

In this study, an 4H-SiC Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) rectifier which utilizes the trapezoid mesa structure and the upper half of the trench sidewall is proposed to improve the forward voltage drop and reverse blocking voltage concurrently. The proposed 4H-SiC TMBS rectifier reduces the forward voltage drop by 12% compared to the conventional 4H-SiC TMBS rectifier with the tilted sidewall and improves the reverse blocking voltage by 11% with adjusting the length of the upper sidewall. The Silvaco T-CAD was used to analyze the electrical characteristics.

• Journal of IKEEE
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• v.15 no.2
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• pp.164-170
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• 2011

In this paper, we present a novel Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor(LIGBT) structure. The proposed structure has extra emitter between emitter and collector of the conventional structure. The added emitter can significantly improve latch-up current densities, forward voltage drop (Vce,sat) and turn-off characteristics. From the simulation results, the proposed LIGBT has the lower forward voltage drop(1.05V), the higher latch-up current densities($2.5{\times}10^3\;A/{\mu}m^2$), and the shorter turn-off time(7.4us) than those of the conventional LIGBT.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.11a
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• pp.289-292
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• 2004

반도체 소자의 파괴 원인으로는 주로 열, 전압, 전류, 진동 및 압력 등이 있다. 이 중에서 전압과 열을 스트레스 인자로 적용하여 가속열화 시험을 진행하였다. 전압 및 열에 의한 소자의 열화정도를 파악하기 위해 현재 상용화되어 있는 Phase Control Thyristor 중 $V_{DRM}\;=\;1500V,\;V_{BRM}\;=\;1500V, \;T_{HS}\;=\;-40{\sim}125^{\circ}C$ 정도의 사양을 가지는 소자를 사용하였다. 열화에 의한 여러 가지 변동특성 중에서 소자의 순방향 및 역방향 항복특성의 변화와 누설전류의 변화에 대해 실험을 통해 알아보았다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2013.11a
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• pp.67-68
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• 2013

저가형 저전력 LED 구동회로에서는 종종 직렬 저항을 이용한 전류 밸런스 회로를 사용한다. 이러한 회로에서 밸런싱 저항은 양산시 생기는 LED 순방향 전압의 편차에 관계없이 LED 스트링간의 전류 밸런싱을 유지시키는 역할을 한다. 본 논문에서는 직렬 저항의 공칭값과 공급 전압값을 최적설계 하기위한 효과적인 설계 알고리즘을 제안한다. 제안한 알고리즘은 몬테카를로 기법을 사용하여 순방향 전압의 통계적인 산포와 직렬저항 소자의 상용값 및 공차를 동시에 고려하고, 비용함수를 도입하여 회로 최적화를 진행한다. 기존의 설계 방법 대비 성능 개선 정도를 구체적인 설계사례를 통해 비교 분석함으로써 제안 방법을 검증한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 1998.05a
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• pp.405-408
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• 1998

In this paper, We analyzed the current-voltage characteristics with n-type silicon substrates concentration and temperature variations (Room temperature, 5$0^{\circ}C$, 75$^{\circ}C$) in platinum silicide and silicon junction. Measurement electrical parameters are forward turn-on voltage, reverse breakdown voltage, barrier height, saturation current, ideality factor, dynamic resistance acceding to junction concentration of substrates and temperature variations. As a result, the forward turn-on voltage, reverse breakdown voltage, barrier height and dynamic resistance were decreased but saturation current and ideality factor were increased by substrates concentration variations. Reverse breakdown voltage and dynamic resistance were increased by temperature variations.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2020.08a
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• pp.31-33
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• 2020

본 논문은 고효율 11kW급 양방향 탑재형 충전기에 대한 연구결과를 발표한다. 토폴로지로는 3상 2-레벨 인버터와 CLLLC 공진형 컨버터를 적용하였으며, 모든 전력반도체 소자는 SiC-MOSFET를 적용하였다. CLLLC 공진형 컨버터의 고효율 달성을 위해, 배터리 전압에 따라 DC 링크 전압 가변 알고리즘을 적용하였으며 양방향 동작시 정류단이 동기 정류기로 동작하도록 설계하였다. 인버터 스위칭 주파수 20kHz, CLLLC 공진형 컨버터 스위칭 주파수 80~300kHz, 배터리 전압 213~413V, 계통 전압 380V/60Hz 사양으로 프로토타입을 설계/제작하였으며 순방향 전력전달 최대 효율 95.8%이상, 역방향 전력전달시 최대효율 95.1%이상의 결과를 달성하였다.