Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)
- 1998.05a
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- Pages.405-408
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- 1998
Parameter Analysis of Platinum Silicide Rectifier Junctions acceding to measurement Temperature Variations
측정 온도 변화에 따른 백금실리사이드 정류성 접합의 파라미터 분석
Abstract
In this paper, We analyzed the current-voltage characteristics with n-type silicon substrates concentration and temperature variations (Room temperature, 5
본 논문에서는, 백금 실리사이드와 실리콘 접합에서 n형 실리콘 기판의 농도와 온도 변화(상온, 55
Keywords