Suppression of the leakage current of a Ni/Au Schottky barrier diode fabricated on AlGaN/GaN hetero-structure by oxidation (Ni/Au 쇼트키 접합의 산화를 통해, AlGaN/GaN heterostructure 웨이퍼 위에 제작한 쇼트키 장벽 다이오드의 누설전류 억제)
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- Proceedings of the KIEE Conference
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- 2005.11a
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- pp.3-5
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- 2005