Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference (한국자기학회:학술대회 개요집)

  • 2002.12a
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  • Pages.170-171
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  • 2002
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  • 2233-9485(pISSN)
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  • 2233-9574(eISSN)
The Korean Magnetics Society (한국자기학회)
권호 표지

Tunneling Properties of Ferromagnet/p-Si Schottky Diode Structure

강자성체/p-Si의 쇼트키 다이오드 구조에서 터널 특성

  • Published : 2002.12.01
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Abstract

최근에 스핀트로닉스 주요 관심 소자의 하나인 자성체와 반도체 하이브리드형 쇼트키 장벽 다이오드 (Schottky Barrier Diode; SBD) 소자는 금속과 반도체간의 장벽전압에 의해 다수 전자가 이동하는 현상을 이용한 것으로서 과거에 신호 검파용으로 사용하던 금속 접촉 다이오드와 유사한 구조와 원리를 가진다. 내부 저항이 작고 동작속도가 빨라서 PC의 전원 장치와 같이 고속, 고효율을 요구하는 환경에 많이 사용된다. 쇼트키 장벽 소신호 다이오드와 쇼트키 장벽 정류기의 구분은 불분명하며 보통 0.5 A를 기준으로 구분한다. (중략)

Keywords