• 공업화학
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• 제25권1호
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• pp.53-57
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• 2014

본 연구에서는 micro-contact printing을 통하여 니오븀 호일 표면 위에 균일한 에칭 pits를 형성하였다. 균일한 보호층을 형성하고자 전해연마의 효과를 확인하였으며, 기존의 $O_2$ 플라즈마 공정 없이 손쉽게 균일한 에칭 pits를 형성시킬 수 있는 조건을 확인하였다. 메탄올 혼합 전해질을 사용하여 10 min 동안 에칭을 진행한 결과 니오븀 호일 표면 위에 지름과 간격이 각각 $10{\mu}m$와 $5{\mu}m$로 잘 정렬된 에칭 pits를 관찰하였다.

• 한국표면공학회지
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• 제26권4호
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• pp.192-202
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• 1993

The characteristics of the high-performance ceramic coatings fabricated on the optimum processings con-ditions for the atmospheric plasma spraying are evaluated by various material tests and analyses. The opti-mum processing parameters for the plasma spraying are determined by using the two-level orthogonal arrays of fractional factorial testing method as a statistical approach. Material tests for the coating specimens are carried out to evaluate microstructure, hardness, adhesion strength, and deposition efficiency. The properties of Al2O3-13%TiO2 coating are discussed with regard to the effective processings parameters. The decarburization effects of WC-12%Co coating is examined by XRD analysis in terms of the arc power and the secondary gas species. The hardness of Al2O2-13%TiO2 coating is increased with the arc power and shows the maximum value at around 40 lpm of Ar gas flowrate, which appears to be the most critical parame-ter on the deposition efficiency. For reducing the decarburization of WC-12%Co coating, the injection of inert He gas instead of reactive H2 gas as a secondary gas is more effective than the dropping of arc power to lessen the plasma enthalpy.

• 한국표면공학회지
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• 제45권5호
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• pp.206-211
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• 2012

Process analysis was carried out during deposition of MgO by inductively coupled plasma assisted reactive magnetron sputtering in Ar and $O_2$ ambient. At the initiation of Mg sputtering with bipolar pulsed dc power in Ar ambient, total pressure showed sharp increase and then slow fall. To analyse partial pressure change, QMS was used in downstream region, where the total pressure was maintained as low as $10^{-5}$ Torr during plasma processing, good for ion source and quadrupole operation. At base pressure, the major impurity was $H_2O$ and the second major impurity was $CO/N_2$ about 10%. During sputtering of Mg in Ar, $H_2$ soared up to 10.7% of Ar and remained as the major impurity during all the later process time. When $O_2$ was mixed with Ar, the partial pressure of Ar decreased in proportion to $O_2$ flow rate and that of $H_2$ dropped down to 2%. It was understood as Mg target surface was oxidized to stop $H_2$ emission by Ar ion sputtering. With ICP turned on, the major impurity $H_2$ was converted into $H_2O$ consuming $O_2$ and C was also oxidized to evolve CO and $CO_2$.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제17권4호
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• pp.97-100
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• 2018

$NF_3$ Plasma etching of silicon was conducted by injecting only $NF_3$ gas into reactive ion etching. $NF_3$ Plasma etching was done in intermediate pressure. Silicon etching by $NF_3$ plasma in reactive ion etching was diagnosed through residual gas analyzer and optical emission spectroscopy. In plasma etching, optical emission spectroscopy is generally used to know what kinds of species in plasma. Also, residual gas analyzer is mainly to know the byproducts of etching process. Through experiments, the results of optical emission spectroscopy during silicon etching by $NF_3$ plasma was analyzed with connecting the results of etch rate of silicon and residual gas analyzer. It was confirmed that $NF_3$ plasma etching of silicon in reactive ion etching accords with the characteristic of reactive ion etching.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제20권3호
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• pp.32-38
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• 2021

We developed an inductively coupled plasma (ICP) etcher for GaN etching using a parallel plasma electrode source with a multifunctional chuck matched to it in order for the low power consumption and low process cost in comparison with the conventional ICP system with a helical-type plasma electrode source. The optimization process condition using it for the micro light-emitting diode (µ-LED) chip fabrication was established, which is an ICP RF power of 300 W, a chuck power of 200 W, a BCl₃/Cl₂ gas ratio of 3:2. Under this condition, the mesa structure with the etch depth over 1 ㎛ and the etch angle over 75° and also with no etching residue was obtained for the µ-LED chip. The developed ICP showed the improved values on the process pressure, the etch selectivity, the etch depth uniformity, the etch angle profile and the substrate temperature uniformity in comparison with the commercial ICP. The µ-LED chip fabricated using the developed ICP showed the similar or improved characteristics in the L-I-V measurements compared with the one fabricated using the conventional ICP method

• 대한금속재료학회지
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• 제49권1호
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• pp.40-45
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• 2011

Using the spark plasma sintering process (SPS process), the WC-6wt.%Co hard materials were densified using an ultra fine WC-Co powder. The WC-Co was almost completely dense with a relative density of up to 100% after the simultaneous application of a pressure of 60 MPa and the DC pulse current for 3 min without any significant change in the grain size. The average grain size of WC that was produced through this experiment was about $0.2{\sim}0.8{\mu}m$. The hardness and fracture toughness were about $1816kg/mm^2$ and $15.1MPa{\cdot}m^{1/2}$, respectively, for 60 MPa at $1200^{\circ}C$.

• 한국재료학회지
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• 제31권7호
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• pp.397-402
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• 2021

In this study, binderless-WC, WC-6 wt%Co, WC-6wt% 1 and 2.5 B₄C materials are fabricated by spark plasma sintering process (SPS process). Each fabricated WC material is almost completely dense, with a relative density up to 99.5 % after the simultaneous application of pressure of 60 MPa. The WC added Co and Co-B₄C materials resulted in crystalline growth. The WC with HCP crystal structure has respective interfacial energy (basal facet direction: 1.07 ~ 1.34 J·m^-2, prismatic direction: 1.43 ~ 3.02 J·m^-2) that depends on the grain growth direction. It is confirmed that the continuous grain growth, biased by the basal facet, which has relatively low energy, is promoted at the WC/Co interface. As abnormal grain growth takes place, the grain size increases more than twice from 0.37 to 0.8 um. It is found through analysis that the hardness property also greatly decreases from about 2661.4 to 1721.4 kg/mm², along with the grain growth.

• 멤브레인
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• 제33권1호
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• pp.1-12
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• 2023

본 총설은 소수성 불소수지계 분리막의 표면 개질에 대한 개론으로 다양한 표면 개질 방법 및 그 연구 결과를 중점적으로 서술하였다. PTFE로 대표되는 불소수지계 고분자 분리막은 막 증류, 유수 분리, 기체 분리를 포함한 다양한 막 분리 공정에서 사용되어왔다. PTFE 막은 내화학성, 내열성, 높은 기계적 강도와 같은 뛰어난 물성에도 불구하고 소수성 표면 특성으로 인해 기술 적용의 확장에 제한적이다. 친수성 향상을 위해 습식 화학법, 친수성 고분자 코팅, 플라즈마 처리, 조사, 원자층 증착과 같은 다양한 PTFE 표면 개질 방법을 이용하며 이를 통해 불소수지계 분리막의 응용분야가 확장될 수 있다.

• 정보처리학회논문지D
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• 제13D권7호
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• pp.985-996
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• 2006

인터넷 기술의 발전에 따라 분산 지리정보 시스템 환경이 웹 기반 서비스로 변화되고 있는 추세이다. 기존의 웹 지리정보 서비스의 지리정보는 다양한 지도 포맷을 지원하여 상호운용하지 못하도록 독립적으로 개발되어 왔다. 동일한 지리정보임에도 불구하고 이러한 정보는 서로 다른 목적에 따라 개별적인 지리정보 시스템에 의해 중복된다 이는 중복된 지리정보 객체를 식별하는 문제와 중복된 지리정보 객체들 중에 클라이언트에게 가장 적합한 복사본을 선정하기 위한 지능적인 전략이 요구되고 있다. 그리고 중복 객체를 관리하기 위해 OMG와 GLOBE 그리고 GRID 컴퓨팅에서 관련 프레임워크를 제안하고 있다. 그러나 지리정보 객체에 대한 연구는 미흡하다. 따라서, 본 논문에서 이름 또는 속성으로 중복된 서비스 객체들의 효율적인 관리와 중복 서비스 객체들 중 가장 적합한 객체를 선정하기 위한 위치 서비스 모델을 제시하였다. 위치 서비스 모델은 세 개의 주요 서비스로 구성되어 있다. 첫 번째로 바인딩 서비스는 사용자가 객체의 이름과 속성으로 정의하여 서비스 오퍼 단위로 저장하고 클라이언트가 서비스 오퍼를 검색 할 수 있다. 두 번째는 위치 서비스로 컨택 레코드를 갖는 위치 정보를 관리한다. 그리고 컨택 주소를 갖는 독립적인 시스템상의 LSF에 의해 성능 정보를 획득한다. 세 번째는 지능형 선정 서비스로 바인딩/위치 서비스로부터 기본/성능 정보를 획득하고, 러프집합 기반의 지능형 모델에 의한 규칙에 의해 보다 빠르게 접근하고 성능이 우수한 특징을 제공한다. 본 논문에서 제시한 위치 서비스 모델에 대한 검증을 위해 그래픽 사용자 인터페이스를 통해 위치 서비스의 처리 과정을 보였다.효과를 나타냈다.\alpha}-amylase$ 활성을 고려한 적정 종자수분 함량은 단옥수수는 15%, 초당옥수수는 12%이었다.미관련(食味關聯) 미질특성(米質特性)을 이용한 토요식미치 추정(推定) 중회귀식(重回歸式)에 채택(採擇)된 주요 특성은 단백질함량, 알칼리붕괴도 및 최저점도(最低粘度)였으며 결정계수(決定係數)로 보아 약 49%의 적중율(的中率)을 나타내었다. 생물학적 기능의 상관관계를 이해하는데 활용될 수 있을 것이다.V는 앞으로 바이러스와 기주의 다양한 상호관계를 이해하는데 있어서 중요한 병원학적 성질을 가지고 있는 것으로 생각되었다.>$300^{\circ}C$ 이하, 공정압력 1 Torr, 그리고 bias전압과 기체 혼합비를 변화시키면서 증착하였다. 증착시 in-situ OES 분석결과 플라즈마 내의 질소종의 함유량 변화에 따라 증착속도가 크게 변화됨을 알 수 있었고, 많은 질소기체를 인입하면 질소종이 많아지지만 증착률은 급격히 감소하였고 박막내 탄소의 함량이 커지면서 막질이 비정질로 바뀌고 미세경도 또한 감소함을 알 수 있었다. 이는 in-situ 플라즈마 진단분석이 전체 PEMOCVD 공정에 있어서 대단히 중요하고, Ti(C,N)과 Hf(C,N) 코팅막의 탄소함량과 미세경도는 플라즈마내의 CH과 CN radical종의 세기에 크게 의존함을 의미한다. 그리고 Hf(C,N) 박막의 경우도 Ti(C,N) 박막의 경우와 유사하게 최대 미세경도값$(2460\;Hk_{0.025})$이 -600 V bias 전압과 10% 질소기체 혼합비를 사용한 경우에 얻어졌고, 이는 박막이 주로(111) 방향으로 성장됨에 기인한 것으로

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2008년도 춘계종합학술대회 A
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• pp.105-110
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• 2008

식각 형상비에 의해 경사형 스페이스를 갖는 도핑 산화막을 이용한 LDD 영역을 갖도록 제작한 다결정 TFT의 새로운 구조를 제안한다. 소자 특성의 신뢰성을 위해 수소($H_2$)와 수소/플라즈마 처리 공정으로 다결정 실리콘에 수소 처리시킨 n-채널 다결정 실리콘 TFT 소자를 제작하였다. 소자에 최대 누설전류의 게이트 전압 조건에서 소자에 스트레스를 인가시켰다. 게이트 전압 스트레스 조건에 의해 야기되는 열화 특성인자들은 드레인 전류, 문턱전압($V_{th}$), 부-문턱전압 기울기(S), 최대 전달 컨덕턴스($g_m$), 그리고 파워인자 값을 측정/추출하였으며, 수소처리 공정이 소자 특성의 열화 결과에 미치는 관계를 분석하였다. 특성 파라미터의 분석 결과로써, 수소화 처리시킨 n-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에서 열화특성의 원인들은 다결정 실리콘/산화막의 계면과 다결정 실리콘의 그레인 경계에서 실리콘-수소 본드의 해리에 의한 현수 본드의 증가이었다. 이 증가가 소자의 핫-캐리어와 결합으로 개선된 열화 특성의 원인이 되었다. 따라서 새로 제안한 다결정 TFT의 구조는 제작 공정 단계가 간단하며, 소자 특성에서 누설전류가 드레인 영역 근처 감소된 수평 전계에 의해 감소되었다.