Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)
- 2008.05a
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- Pages.105-110
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- 2008
Improved Degradation Characteristics in n-TFT of Novel Structure using Hydrogenated Poly-Silicon under Low Temperature
낮은 온도 하에서 수소처리 시킨 다결정 실리콘을 사용한 새로운 구조의 n-TFT에서 개선된 열화특성
- Song, Jae-Ryul (Dongeui University) ;
- Lee, Jong-Hyung (Dongeui University) ;
-
Han, Dae-Hyun
(Dongeui University) ;
- Lee, Yong-Jae (Dongeui University)
- Published : 2008.05.30
Abstract
We have proposed a new structure of poly-silicon thin film transistor(TFT) which was fabricated the LDD region using doping oxide with graded spacer by etching shape retio. The devices of n-channel poly-si TFT's hydrogenated by
식각 형상비에 의해 경사형 스페이스를 갖는 도핑 산화막을 이용한 LDD 영역을 갖도록 제작한 다결정 TFT의 새로운 구조를 제안한다. 소자 특성의 신뢰성을 위해 수소(