Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.23
no.6
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pp.302-308
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2013
In this study, we report the synthesis and characteristics of gallium oxide ($Ga_2O_3$) nanoparticles prepared by the polymerized complex method. $Ga_2O_3$ nanoparticles were synthesized using $Ga(NO_3)_3$, ethylene glycol, and citric acid as the starting materials at a low temperature of $500{\sim}800^{\circ}C$. The temperature of the weight reduction by the loss of organic precursor was revealed using TG-DTA analysis. The crystal structural change of $Ga_2O_3$ nanoparticles by the annealing process was investigated by XRD analysis. The morphologies and the size distributions of $Ga_2O_3$ nanoparticles were analyzed using SEM.
최근 고온에서 사용 가능한 PEMFC용 고분자전해질 막 개발에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. PEMFC가 고온에서 작동하게 되면 높은 성능과 많은 장점을 갖게 된다. PEMFC를 $100^{\circ}C$ 이상에서 운전하게 될 경우 백금 전극 반응을 향상시켜 고가의 백금 촉매 양을 줄일 수 있게 되고, 수소연료 속에 미량 포함된 CO에 의한 촉매표면 피독현상에 대한 내구성을 높일 수 있어 저 순도 수소연료 사용이 가능해 진다. 또한 가습장치와 수소 연료 개질장치의 부피를 줄일 수 있게 되어 전체적인 PEMFC 시스템이 단순화 된다. 현재 연료전지용 고분자 전해질막으로 DuPont사의 과-불소계 고분자 전해질막인 Nafion$^{(R)}$이 가장 널리 사용되고 있다. Nafion$^{(R)}$은 유연한 분자구조 안에 소수성이 강한 주사슬과 친수성을 나타내는 술폰산이 결합된 곁사슬이 존재하여 술폰화 곁사슬의 클러스터 둘레에는 친수성 영역이 형성이 되기때문에 소수/친수 상 분리가 잘되어 이온 클러스터 형성이 용이하지만 제조비용이 높은 단점을 갖고 있다. 특히, 전해질 막내에서 Bronsted base 역할을 하는 물에 의해 이온전도가 이루어지기 때문에 고온에서는 수분증발로 인해 성능이 급격히 감소된다. 따라서, 본 연구에서는 고온 저가습 조건에서 운전이 가능하고 Nafion이 갖는 문제점을 해결하고자, 내열특성이 뛰어나며 높은 수소이온 전도도 학보가 용이한 Sulfonated Poly(aryl ether)sulfone(SPAES) 고분자 전해질에, 고온에서도 수화성이 유지될 수 있도록 지르코니아를 황산화한 sulfated zirconia(s-$ZrO_2$)를 함침하여 복합 고분자전해질막을 제조하여 고온 저가습 조건에서의 수소이온 전도 특성에 관한 연구를 수행하였다. 개발된 막의 물리/화학적 특성은 water content(Wup%), 이온교환 용량(IEC, meq $g^{-1}$), 수소이온전도도(s $cm^{-1}$) 열 중량 분석(TGA), X선 회절분석(XRD) 등을 통하여 분석 및 관찰하였다. 내화학 및 열적 특성분석 결과, 황산화 반응공정으로 $ZrO_2$에 술폰산기가 안정적으로 결합하고 있음이 관찰되었으며, 본 연구에서 개발된 유 무기 복합막이 $250^{\circ}C$이상 열적안정성을 확보하고 있는 것으로 판단되었다. $100^{\circ}C$ 이하의 저온 영역에서, 일정 비율의 s-$ZrO_2$/SPAES막에서 이온교환용량(IEC)이 순수 SPAES 막보다 낮음에도 불구하고, water uptake가 증가함과 동시에 수소이온 전도도가 향상된 것을 관찰하였다. 또한, 고온에서는 수소이온이 자유롭게 이동할 수 있는 water channel을 형성하는 free water는 증발 하지만 s-$ZrO_2$와 SPAES의 술폰산기 사이에 강력하게 결합하고 있는 bound Water는 $100^{\circ}C$ 이상의 고온 영역에서도 존재하여, 비록 무가습 조건에서도 일정 비율의 s-$ZrO_2$/SPAES50 전해질 막의 경우, 높은 전도도를 나타냄을 관찰할 수 있었다. 따라서 본 연구를 통해 저가습 고온 적용을 목적으로 개발된 s-$ZrO_2$/SPAES50막은 우수한 내열 특성을 나타냄과 동시에 저가습 고온 영역($120^{\circ}C$, $50RH{\downarrow}$)에서 높은 수소이온 전도도를 유지하여, 고온 저가습 연료전지 운전에 적합할 것으로 사료된다.
Interest in environmental pollution is increasing all over the world, and technology development to solve it is actively carried out. In areas where heat is used, especially, combustion is causing countless pollutants in the air environment. Combustion catalyst is a technology that reduces NOx and CO by lowering combustion temperature and enabling complete combustion. Traditional combustion catalysts are expensive and complex in the synthesis process using precious metal catalyst. In this study, hexaaluminate, a high-temperature combustion catalyst, was manufactured using urea, and the properties were investigated according to the synthesis time. The combustion performance and characteristics were evaluated using this catalyst. As the temperature increased, the changing methane conversion rate was shown in two patterns. The conversion rates for 1 hour, 9 hours, and 12 hours were similar, while the conversion rates for 3 hours and 6 hours showed similar patterns. Methane combustion performance increased rapidly as the synthesis time increased from 6 hours to 9 hours, whereas the temperature at T50 was approximately 745 ℃. The performance of the synthesized combustion catalyst for 9 hours was optimum as the NOx emission of this combustion catalyst was not present and the maximum emission of CO was 72 ppm.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.43
no.12
s.354
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pp.55-64
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2006
This work proposes a calibration-free 14b 70MS/s 0.13um CMOS ADC for high-performance integrated systems such as WLAN and high-definition video systems simultaneously requiring high resolution, low power, and small size at high speed. The proposed ADC employs signal insensitive 3-D fully symmetric layout techniques in two MDACs for high matching accuracy without any calibration. A three-stage pipeline architecture minimizes power consumption and chip area at the target resolution and sampling rate. The input SHA with a controlled trans-conductance ratio of two amplifier stages simultaneously achieves high gain and high phase margin with gate-bootstrapped sampling switches for 14b input accuracy at the Nyquist frequency. A back-end sub-ranging flash ADC with open-loop offset cancellation and interpolation achieves 6b accuracy at 70MS/s. Low-noise current and voltage references are employed on chip with optional off-chip reference voltages. The prototype ADC implemented in a 0.13um CMOS is based on a 0.35um minimum channel length for 2.5V applications. The measured DNL and INL are within 0.65LSB and l.80LSB, respectively. The prototype ADC shows maximum SNDR and SFDR of 66dB and 81dB and a power consumption of 235mW at 70MS/s. The active die area is $3.3mm^2$.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.52
no.5
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pp.51-57
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2015
In this paper, in order to design the A / D converter with a high resolution of 14 bits or more for the biological signal processing, CMOS delta sigma modulator that is a 1.8V power supply voltage - were designed. we propose a new structure of The fourth order delta-sigma modulator that needs four op amps but we use only two op amps. By using a time -interleaving technique, we can re-construct the circuit and reuse the op amps. Also, we proposed a KT/C noise reduction circuit to reduce the thermal noise from a noisy resistor. We adjust the size of sampling capacitor between sampling time and integrating time, so we can reduce almost a half of KT/C noise. The measurement results of the chip is fabricated using a Magna 0.18um CMOS n-well1 poly 6 metal process. Power consumption is $828{\mu}W$ from a 1.8V supply voltage. The peak SNDR is measured as a 75.7dB and 81.3dB of DR at 1kHz input frequency and 256kHz sampling frequency. Measurement results show that KT/C noise reduction circuit enhance the 3dB of SNDR. FOM of the circuit is calculated to be 142dB and 41pJ / step.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.18
no.9
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pp.61-67
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2017
Research into the selection of suitable materials and the development of fast processing methods for press die manufacturing is absolutely necessary to reduce the production time and cost. In particular, knowledge of its heat properties must be considered whendeveloping a long press die. Generally, as the main component materials of press dies, Cr, W low alloy tool steel, high carbon-high chrome steel, high speed steel, etc., are used as thetooling steel for the cold die. Machine tools and wire-cut electric discharge machining are mainly used for processing the press die parts. There are many differences in the machining time and life cycle of die parts depending on the machining process. The parts produced by milling and grinding have a high manufacturing time and cost with a long life cycle, while thosemade by milling and wire-cut discharge machining have areduced manufacturing time and cost,whereastheir die life cycle is reduced. Therefore, in this study, we will discuss amethod of improving the life cycle of the die parts by using heat treatment as a processing method that reduces the manufacturing time and cost. SEM, EDS analysis and the surface roughness analysis of the surface and center of the workpiece are used for analyzing the specimens produced by three machining methods, viz. milling - grinding, milling - wire cut discharge, and milling - wire cut discharge - heat treatment. A method of making die parts having the same life cycle as those produced by milling - grinding is developed with the milling - wire cut discharge - high temperature tempering method.
Recent years have witnessed the increased usage of flammable metals, such as aluminum or magnesium, in wide range of high-tech industries. These metals are indispensable for the improvement of physical properties of materials as well as the design capability of the final product. During the process, unwanted metal dusts could be released to the environment. This can lead to an occupational health and safety issues. Due to their flammable nature, more serious problem of an explosion can happen in extreme cases. The explosion is the combustion of tiny solid particles and vapor mixture, caused by pyrolysis. This complex composition makes engineering analysis more difficult, compared to simple gas explosions or vapor cloud combustions. The study was conducted to assess this light metal dust explosion in an effort to provide the bases for a risk assessment. Dust explosion characteristics of each material was carefully evaluated and an appropriate analysis tool was developed. A comprehensive database was also constructed and utilized for the calibration of the developed response model and the verification for its accuracy. Subsequently, guidelines were provided to prevent dust explosions that could occur in top-notch industrial processes.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.40
no.11
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pp.755-759
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2016
The use of heat pipes in the electronic telecommunication field is increasing. Among the various types of heat pipes, the thin flat heat pipe has relatively high applicability compared with the circular heat pipe in the electronic packaging application. The thin flat heat pipe based on extrusion fabrication has a simple capillary wick structure consisting of rectangular cross sectional grooves on the inner wall of the pipe. Although the groove serves as a simple capillary wick, and many such grooves are provided on the inner wall, it is difficult for the grooves to realize a sufficiently high capillary force. In the present study, a thin flat heat pipe with a wire bundle was developed to overcome the drawback of poor capillary force in the thin flat heat pipe with grooves, and was evaluated by conducting tests. In the performance test, the thin flat heat pipe with the wire bundle showed a lower thermal resistance of approximately 3.4 times, and a higher heat transfer rate of approximately 3.8 times with respect to the thin flat heat pipe with grooves as the capillary wick respectively. The possibility of using the wire bundle as a capillary wick in the heat pipe was validated in the present study; further study for commercializing this concept will be taken up in the future.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2015.08a
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pp.170.1-170.1
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2015
안티모니 (Sb)를 기반으로 한 제2형 초격자 (Type II superlattice, T2SL)구조 적외선 검출기 연구는 2000년대 들어 Sb 계열의 화합물 반도체 성장 기술이 발전함에 따라 HgCdTe (MCT), InSb, 양자우물 적외선 검출기 (QWIP)를 대체할 수 있는 고성능의 양자형 적외선 검출 소재로 부상하였으며, 현재 전 세계적으로 활발한 연구가 진행되고 있다. 특히, 기존의 양자형 적외선 검출소자에 비해 전자의 유효질량이 상대적으로 커서 밴드 간의 투과전류가 줄어들 뿐만 아니라, 전자와 정공이 서로 다른 물질 영역에 분포하여 Auger 재결합률을 효과적으로 줄일 수 있어 상온 동작이 가능한 소재로 주목을 받고 있다. 또한, T2SL 구조는 초격자를 구성하는 물질의 두께나 조성 변화를 통한 밴드갭 변조가 용이하여 단파장에서 장파장 적외선에 이르는 광범위한 파장 대역에서 동작이 가능할 뿐만 아니라 구조적 변화를 통해 이중 대역을 동시에 검출 할 수 있는 차세대 적외선 열영상 소자로 알려져 있다. 본 연구에서는 분자선 에피택시(MBE)법을 이용하여 300 주기의 InAs/GaSb (10/10 ML) 제2형 초격자 구조를 성장하여 적외선 검출소자를 제작하였다. 제2형 초격자 구조를 구성하는 물질계에 p-type dopant인 Be을 이용하여 각각 도핑 농도가 다른 시료를 성장하였다. 이때 p-type 도핑 농도는 각각 $1/5/10{\times}10^{15}cm^{-3}$로 변화를 주었다. 성장된 시료의 구조적 특성 분석을 위해 고분해능 X선 회절 (High resolution X-ray diffraction, HRXRD)법을 이용하였으며, 초격자 한 주기의 두께가 6.2~6.4 nm 로 설계된 구조와 동일하게 성장됨을 확인 하였으며, 1차 위성피크의 반치폭은 30~80 arcsec로 우수한 결정성을 가짐을 확인하였다. 적외선 검출을 위한 $410{\times}410{\mu}m^2$ 크기의 단위 소자 공정을 진행하였으며 이때 적외선의 전면 입사를 위해 소자 위에 $300{\mu}m$의 윈도우 창을 제작하였다. 단위 소자의 측벽에는 표면 누설 전류가 흐르는데 이를 방지하기 위해서 표면보호막을 증착하였다. 적외선 검출 소자의 전기적 특성 평가를 위해 각각의 시료의 암전류 (dark current)와 파장별 반응 (spectral response)을 온도별로 측정하여 비교 및 분석하였다.
Jeon Eun Jeong;Yoon Young Soo;Nam Sang Cheol;Cho Won Il;Shin Young Wha
Journal of the Korean Electrochemical Society
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v.3
no.2
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pp.115-120
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2000
All solid-state thin film micro-batteries consisting of lithium metal anode, an amorphous LiPON electrolyte and cathode of vanadium oxide have been fabricated and characterized, which were fabricated with cell structure of $Li/LiPON/V_2O_5Pt$. The effect of various oxygen partial pressure on the electrochemical properties of vanadium oxide thin films formed by d.c. reactive sputtering deposition were investigated. The vanadium oxide thin film with deposition condition of $20\%\;O_2/Ar$ ratio showed good cycling behavior. In in-siか process, the LiPON electrolyte was deposited on the $V_2O_5$ films without breaking vacuum by r.f. magnetron sputtering at room temperature. After deposition of the amorphous LiPON, the Li metal films were grown by a thermal evaporator in a dry room. The charge-discharge cycle measurements as a function of current density and voltage variation revealed that the $Li/LiPON/V_2O_5$ thin film had excellent rechargeable properly when current density was $7{\mu}A/cm^2$. and cut-off voltage was between 3.6 and 2.7V In practical experiment, a stopwatch ran on this $Li/LiPON/V_2O_5$ thin film micro-battery. This result means that thin film micro-battery fabricated by in-siか process is a promising for power source for electronic devices.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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