• 제목/요약/키워드: 감지회로

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vMOS 기반의 DLC와 MUX를 이용한 용량성 감지회로 (Design of a Capacitive Detection Circuit using MUX and DLC based on a vMOS)

  • 정승민
    • 한국ITS학회 논문지
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    • 제11권4호
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    • pp.63-69
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    • 2012
  • 본 논문에서는 용량성 지문센서의 회색조 이미지를 얻기 위한 새로운 회로를 제안하고 있다. 기존의 회로는 회색조 이미지를 얻기 위해 많은 칩 면적을 차지하는 DAC를 적용하거나 전력소모가 많고 전역 클럭을 적용하는 비휘발성 메모리에 적용되는 승압회로를 픽셀별로 적용하였다. 개선된 전하분할 방식의 용량성 지문센서 감지회로는 뉴런모스(vMOS) 기반의 DLC(down literal circuit) 회로와 단순화된 아날로그 MUX(multiplexor)를 적용하였다. 설계된 감지회로는 0.3V, $0.35{\mu}m$ CMOS공정을 적용하여 동작을 검증하였다. 제안된 회로는 기존의 비교기와 주변회로를 필요로하지 않으므로 단위 픽셀의 레이아웃 면적을 줄이고 이미지의 해상도를 향상 시킬 수 있다.

용량성 지문센서를 위한 저전력 감지회로 (Low Power Detection Circuit for a Capacitive Fingerprint Sensor)

  • 정승민
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제15권6호
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    • pp.1343-1348
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    • 2011
  • 본 논문에서는 개선된 회로를 적용한 용량성 센서용 저전력 전하분할 방식의 지문센서 감지회로를 제안하고 있다. 제안된 회로는 기존회로에 비하여 전력소모를 크게 줄이고 융선과 골간의 감지전압차를 확대하였다. 설계된 회로는 40MHz 동작주파수, 3.3V 전원에 $0.35{\mu}m$ 표준 CMOS 공정 파라미터를 적용하여 시뮬레이션을 실시하였다. 검증결과 47% 전력소모 감소를 보였고 융선과 골간의 감지 전압 차에 있어서 90% 증가를 나타내었다. 제안된 회로는 면적의 증가 없이 기존 픽셀 레이아웃에 구현되었다.

초전형 적외선 센서 회전방식을 이용한 정지 인체 감지 시스템에 관한 연구 (A Design of Standing Human Body Sensing System Using Rotation of a PIR Sensor)

  • 차형우;조민형
    • 전자공학회논문지
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    • 제53권1호
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    • pp.129-136
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    • 2016
  • 초전형 적외선(pyroelectric infrared : PIR) 센서를 이용하여 정지 및 이동인체 감지 시스템을 개발하였다. 감지 시스템은 전원부, 초전형 적외선 센서 인터페이스 회로, 극소형 스템핑 모터, 그리고 디지털 제어부로 구성된다. 정지된 인체를 감지하는 원리는 PIR 센서와 프레넬 렌즈(Fresnel lens)를 부착한 스템핑 모터를 180도로 6초 간격으로 회전하여 인체의 유무를 검출하고 일정기간 동안 인체 감지 신호가 없으면 모터를 정지시키는 것이다. 제안한 감지 시스템에 필요한 제어 알고리즘을 개발하였다. 실험을 통해 감지 시스템은 $37^{\circ}C$의 정지 및 이동하는 인체에 대하여 6m의 감지거리와 30도의 감지 각도를 갖고 있다는 것을 확인하였다.

인 메모리 컴퓨팅을 위한 고속 감지 증폭기 설계 (Design of High-Speed Sense Amplifier for In-Memory Computing)

  • 김나현;김정범
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제18권5호
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    • pp.777-784
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    • 2023
  • 감지 증폭기는 메모리 설계에 필수적인 주변 회로로서, 작은 차동 입력 신호를 감지하여 디지털 신호로 증폭하기 위해 사용된다. 본 논문에서는 인 메모리 컴퓨팅 회로에서 활용 가능한 고속 감지 증폭기를 제안하였다. 제안하는 회로는 추가적인 방전 경로를 제공하는 트랜지스터 Mtail을 통해 감지 지연 시간을 감소시키고, m-GDI(:modified Gate Diffusion Input)를 적용하여 감지 증폭기의 회로 성능을 개선하였다. 기존 구조와 비교했을 때 감지 지연 시간은 16.82% 감소하였으며, PDP(: Power Delay Product)는 17.23%, EDP(: Energy Delay Product)은 31.1%가 감소하는 결과를 보였다. 제안하는 회로는 TSMC의 65nm CMOS 공정을 사용하여 구현하였으며 SPECTRE 시뮬레이션을 통해 본 연구의 타당성을 검증하였다.

신경회로망기반 다중고장모델에 의한 비선형시스템의 고장감지와 분류 ((Fault Detection and Isolation of the Nonlinear systems Using Neural Network-Based Multi-Fault Models))

  • 이인수
    • 전자공학회논문지SC
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    • 제39권1호
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    • pp.42-50
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    • 2002
  • 본 논문에서는 비선형시스템에서 발생한 고장을 감지하고 분류하기 위한 신경회로망기반 다중고장모델을 이용한 고장감지 및 분류 방법을 제안한다. 시스템에 변화가 발생하면 시스템의 출력과 신경회로망 공칭모델 출력 사이의 오차가 고장감지를 위한 문턱값을 넘고, 고장이 감지되면 각 신경회로망 고장모델 출력과 시스템 출력 사이의 오차를 이용하여 통계적 기법으로 고장을 분류한다. 컴퓨터 시뮬레이션 결과로부터 제안한 고장진단방법이 비선형시스템에서의 고장감지 및 분류문제에 잘 적용됨을 알 수 있다.

CCD Image Sensor에서 전압분배회로가 있는 고감도 감지회로의 설계 (Design of high sensitivity sense amplifier with self-bias circuit for CCD image sensor)

  • 김용국
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제5권2호
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    • pp.65-69
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    • 1998
  • 본 연구는 전하 결합 영양소자에서 감지회로의 특성을 향상시키기 위하여 N형 MOSFET과 Polysilcon 저항에 의한 전압 분배 회로를 가진 감지회로를 설계하였다. 감지회 로에 흐르는 전류는 전압분배회로를 N형 MOSFET으로 설계하였을때가 Polysilicon 저항으 로 설계한 경우보다 감도 특성도 좋은 것으로 나타났다. 이는 전압분배회로를 Polysilicon으 로 설계한 경우보다 N형 MOSFET으로 설계하였을 때 동작 주파수가 높을수록 전압이득 특성이 우수하기 때문이다. 감지회로에 흐르는 전류는 전압분배회로를 N형 MOSFET으로 설계하였을 때 2mA 정도를 나타내고 polysilcon으로 설계하였을 때 4mAwjd도로 나타났다.

On-line 테스팅을 위한 새로운 내장형 전류 감지 회로의 설계 (Design of New Built-ln Current Sensor for On-Line Testing)

  • 곽철호;김정범
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제38권7호
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    • pp.493-502
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    • 2001
  • 기존의 논리 테스팅에 비하여 여러 가지 장점을 가지는 전류 테스팅을 위하여 새로운 내장형 전류 감지 회로를 설계하였다. 본 논문에서 제안된 내장형 전류 감지 회로는 시험 대상 회로에서 발생하는 전류와 인버터의 전류 발생 특성에 의해 복사되어진 전류를 비교함으로서 시험 대상 회로의 고장 존재 여부를 감지하여 Pass/Fail 신호로 발생시킨다. 설계된 회로는 차동 증폭 형태의 증폭기와 비교기로 이루어져 있으며, 시험 대상 회로의 전류를 복사해 내기 위한 인버터를 포함하고 있어서 총 10개의 트랜지스터와 3개의 인버터를 사용한다. 본 논문에서 제안된 내장형 전류 감지 회로는 고장 테스트를 위하여 별도의 클럭을 사용하지 않는다. 또한 모드 선택이 필요하지 않아 on-line 테스팅이 가능하며, Pass/Fail 신호를 칩의 외부로 전달하는 출력단자 하나를 제외하고는 별도의 제어단자가 필요하지 않은 장점을 가진다. HSPICE를 사용한 컴퓨터 모의 실험을 통하여 시험 대상 회로에 삽입된 고장을 정확하게 검출해 낼 수 있음을 확인하였다. 제안된 내장형 전류 감지 회로가 칩의 전체 면적에서 차지하는 면적소모는 8×8 병렬 승산기를 시험 대상 회로로 사용한 경우에 약 4.34 %로 매우 작아서 내장형 전류 감지회로에 의한 면적 소모에 대한 부담은 거의 없는 것으로 측정되었다.

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Floating P-well 전압 감지 방법과 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(LIGBT)를 이용한 새로운 1200V 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)의 보호회로 (A New 1200V PT-IGBT with Protection Circuit employing the Lateral IGBT and Floating p-well Voltage Sensing Scheme)

  • 조규헌;지인환;한영환;이병철;한민구
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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    • pp.99-100
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    • 2006
  • 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (Insuialed atc Bipolar Transistor : IGBT)는 높은 전류구동 능력과 높은 입력 임피던스 특성으로 인해 대전력 스위칭 소자로 널리 응용되고 있다. 특히, 대용량 모터 구동을 위해 응용되는 경우, 모터의 부하 특성상, 모터의 단락에 의한 단락 회로 (Short-circuit fault) 현상을 비롯한 클램핑 다이오드의 파손으로 인한 unclamped 유도성 부하 스위칭 (UIS) 상황에서 견딜 수 있도록 설계되어야 한다. 이를 위해, 이전 연구를 통해 Floating p-well을 600V급 IGBT에 도입함으로써 UIS 상황에서 IGBT가 견딜 수 있는 에너지(항복 에너지)륵 증가시키고 Floating p-weil 전압을 감지함으로써 단락 회로 상황에서 IGBT가 보호될 수 있도록 보호회로를 제안하고 검증하였다. 그러나 이 보호회로는 수평형 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터 (Latcral MOSFET)로 제작됨으로써 보호회로 기능을 수행하기 위해서는 넓은 면적을 요구하였다. 또한, 정상적인 동작 상황에서 오류를 감지 (오류 감지: False detection)하는 동작으로 인해 추가적인 filter를 요구함으로써 보호회로 동작 속도를 감소시켰다. 이러한 단점을 해결하기 위해, 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (Lateral IGBT : LIGBT)를 보호회로에 적용함으로써 LIGBT의 높은 전류 구동능력을 이용하여 기존 보호회로 면적의 30% 수준의 보호회로를 구현하였다. 또한, 구현된 보호회로는 오류 감지 현상을 제거함으로써 보호회로의 동작 속도를 개선하였다. 제안된 보호회로와 1200V급 IGBT는 7장의 마스크를 이용한 표준 수평형 IGBT 공정을 이용하여 제작되었으며, 특히, 전자빔 조사를 이하여 턴오프 속도를 개선함으로써 고속 스위칭에 적합하도록 최적화 되었다.

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신경회로망을 이용한 3D 하천환경에서의 충돌감지 (Detection of Collision in the 3D Rivers using the Artificial Neural Network)

  • 제성관;김철기;서창진;차의영
    • 한국멀티미디어학회논문지
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    • 제6권5호
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    • pp.921-927
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    • 2003
  • 자연생태환경에서의 하천변화에 대한 연구는 관찰자가 상주해야하는 문제점과 사람의 주관적인 분석으로 인해 부정확한 결과물을 초래한다. 본 논문은 자연하천생태의 현장조사를 통한 자료획득과 동수역학 모형의 모의를 바탕으로 정확한 분석을 통한 자원관리 및 평가를 할 수 있는 모델을 제안한다. 하천의 생태에서의 유체의 변화는 신경회로망을 이용하여 충돌을 감지하였다. 실험결과, 충돌감지에 따르는 시간비용을 줄였으며, 그 정확도 또한 우수하였다.

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CMOS 집적회로 테스팅을 위한 내장형 전류 감지 회로 설계 (Design of a Built-In Current Sensor for CMOS IC Testing)

  • 김태상;홍승호;곽철호;김정범
    • 전기전자학회논문지
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    • 제9권1호
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    • pp.57-64
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    • 2005
  • 본 논문에서는 전류 테스팅을 이용하여 CMOS 집적회로에 존재하는 결함을 검출하는 내장형 전류 감지회로를 설계하였다. 이 회로는 일반적인 CMOS 공정으로 구현하였으며 결함전류와 기준전류를 전압으로 변환시켜 시험대상 회로의 결함을 고속으로 검출하며, 미세공정에도 적용가능한 회로이다 제안한 전류 감지회로는 전류원 내장으로 인한 추가적인 전력소모를 문제를 해결하였다. 제안한 회로의 정당성 및 효율성은 HSPICE를 이용한 시뮬레이션으로 그 타당성을 입증하였다. 제안한 전류 감지회로가 칩의 전체 면적에서 차지하는 면적소모는 시험대상회로에서 약 9.2%로, 내장형 전류 감지회로에 의한 면적소모는 무시할 만 하다. 제안한 회로는 Hynix O.35um 2-poly 4-metal N-Well 표준 CMOS 공정으로 제작하였다.

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