• 전기학회논문지
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• 제61권11호
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• pp.1646-1649
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• 2012

The $O_2$ annealing technique has considerably suppressed the leakage current of GaN power devices, but this forms NiO at Ni-based Schottky contact with increasing on-resistance. The purpose of the present study was to fabricate 1.5 kV GaN Schottky barrier diodes by improving $O_2$-annealing process and GaN buffer. The proposed $O_2$ annealing performed after alloying ohmic contacts in order to avoid NiO construction. The ohmic contact resistance ($R_C$) was degraded from 0.43 to $3.42{\Omega}-mm$ after $O_2$ annealing at $800^{\circ}C$. We can decrease RC by lowering temperature of $O_2$ annealing. The isolation resistance of test structure which indicated the surface and buffer leakage current was significantly increased from $2.43{\times}10^7$ to $1.32{\times}10^{13}{\Omega}$ due to $O_2$ annealing. The improvement of isolation resistance can be caused by formation of group-III oxides on the surface. The leakage current of GaN Schottky barrier diode was also suppressed from $2.38{\times}10^{-5}$ to $1.68{\times}10^{-7}$ A/mm at -100 V by $O_2$ annealing. The GaN Schottky barrier diodes achieved the high breakdown voltage of 700, 1400, and 1530 V at the anode-cathode distance of 5, 10, and $20{\mu}m$, respectively. The optimized $O_2$ annealing and $4{\mu}m$-thick C-doped GaN buffer obtained the high breakdown voltage at short drift length. The proposed $O_2$ annealing is suitable for next-generation GaN power switches due to the simple process and the low the leakage current.

• Journal of Microbiology and Biotechnology
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• 제23권1호
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• pp.99-105
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• 2013

In this study, nitrous oxide ($N_2O$) emission was compared between the operations of two different sequencing batch reactors, conventional sequencing batch reactor (CNVSBR) and simultaneous nitrification and denitrification sequencing batch reactor (SND-SBR), using synthetic wastewater. The CNV-SBR consisted of anoxic (denitrification) and aerobic phases, whereas the SND-SBR consisted of a microaerobic (low dissolved oxygen concentration) phase, which was achieved by intermittent aeration for simultaneous nitrification and denitrification. The CNV-SBR emitted 3.9 mg of $N_2O$-N in the denitrification phase and 1.6 mg of $N_2O$-N in the nitrification phase, resulting in a total emission of 5.5mg from 432mg of $NH_4^+$-N input. In contrast, the SND-SBR emitted 26.2mg of $N_2O$-N under the microaerobic condition, which was about 5 times higher than the emission obtained with the CNV-SBR at the same $NH_4^+$-N input. From the $N_2O$ yield based on $NH_4^+$-N input, the microaerobic condition produced the highest yield (6.1%), followed by the anoxic (0.9%) and aerobic (0.4%) conditions. It is thought that an appropriate dissolved oxygen level is critical for reducing $N_2O$ emission during nitrification and denitrification at wastewater treatment plants.

• 한국세라믹학회지
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• 제38권5호
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• pp.424-430
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• 2001

Cut-off 전압 변화에 따른 충방전 특성을 알아보기 위하여 Mn을 다른 전이 금속이 Co와 Ni로 소량 치환시킨 Li(M $n_{1-{\delta}}$ $n_{\delta}$)$_2$ $O_4$(M=Ni, Co, $\delta$=0, 0.05, 0.1, 0.2)를 고상 반응법으로 80$0^{\circ}C$에서 48시간 동안 유지하여 합성하였다. 충방전의 cut-off 전압은 2.5~4.4V, 3.0~4.5V, 3.5~4.5V, 3.5V~4.7V의 네 가지 전압범위고 하였다. 충방전 실험결과, Li(M $n_{1-{\delta}}$ $n_{\delta}$)$_2$ $O_4$의 용량은 각각 Co와 Ni의 $\delta$=0.1에서 최대를 보였다. Co 치환 조성 재료와 순물질 모두에서 최대의 용량을 보인 cut-off 전압대는 3.5~4.5V 이었는데 이때의 Li(M $n_{0.9}$ $Co_{0.1}$)$_2$ $O_4$와 LiM $n_2$ $O_4$의 초기 충전용량과 초기 방전용량은 각각 118, 119mAh/g과 114, 104mAh/g 이었다. 또한 모든 cut-off 전압대에서 Li(M $n_{0.9}$ $Co_{0.1}$)$_2$ $O_4$는 순수한 LiM $n_2$ $O_4$보다 더 높은 용량과 우수한 싸이클 성능을 보였으며 그 결과는 밀착형 전지구성에서도 일치하였다.하였다.

• 농업과학연구
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• 제44권2호
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• pp.211-220
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• 2017

We conducted this study to determine the recommended application rate of fertilizer for Houttuynia cordata Thunb cultivation. The effects of various application levels of N, $P_2O_5$, and $K_2O$ fertilizers on the growth of this plant were investigated and the associated changes in soil properties were evaluated in the field. Soil pH at harvest time of Houttuynia cordata Thunb did not differ from that before fertilization, whereas EC tended to decrease during cultivation. The soil organic matter (SOM) and available phosphorus increased after treatment, and the amount of applied fertilizer ($P_2O_5$) and available phosphorus were proportional. The nitrogen absorption amount increased in N 100% treatment, but decreased in N 150% treatment. The phosphorus absorption amount rose with the fertilizer treatment concentration until $P_2O_5$ 150% treatment. The amount of absorbed potassium decreased in treatments with $K_2O$ 150% and $K_2O$ 200%. The plant length was the longest in N 100%, $P_2O_5$ 150%, and $K_2O$ 200%. The stem diameter was estimated to be 3.46 - 3.67 mm in N 100 - 200% treatment, 3.55 - 3.67 mm in $P_2O_5$ 100 - 150%, and 3.79 mm in $K_2O$ 200%. The number of tillers did not differ amongst fertilization treatments. The fresh weight was summed to be 3.67 ton/10 a in N 100% treatment, 3.79 Mg/10 a in $P_2O_5$ 150%, and 3.83 Mg/10 a in $K_2O$ 150%. Thus, the relationship between the fertilizer amount and yields of the plant showed that the most economical quantity of fertilizers should be 10.2 N kg/10 a, 5.5 $P_2O_5$ kg/10 a, and 8.2 $K_2O$ kg/10 a for Houttuynia Cordata Thunb.

• 대한화학회지
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• 제59권5호
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• pp.387-396
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• 2015

HOOO-(H₂O)_n (n=1~5) 클러스터에 대해서 다양한 기저집합과 밀도 범함수 이론(DFT) 및 순 이론(ab initio) 방법을 사용하여 가능한 여러 구조를 최적화하고 결합에너지와 조화진동수를 계산하였다. HOOO 단량체의 경우에는 CCSD(T) 이론 수준에서 trans 구조가 cis 구조보다 열역학적으로 더 안정한 것으로 계산되었다. HOOO-(H₂O)_n 클러스터에 대해서는 B3LYP/aug-cc-pVTZ와 CAM-B3LYP/aug-cc-pVTZ 이론 수준에서 분자 구조를 최적화하고 열역학적으로 가장 안정한 분자구조를 예측하였다. HOOO-H₂O 클러스터의 결합에너지는 MP2//CAM-B3LYP 한 점 에너지 계산에서 영점 진동에너지(ZPVE)와 바탕 집합 중첩에러(BSSE)까지 모두 보정한 후 6.05 kcal/mol로 계산되었으며, n=2-5의 경우에는 물 분자의 수가 증가 할수록 물분자 1개 당 평균 결합에너지는 증가하여 약 7.2 kcal/mol의 값으로 수렴하였다.

• 대한환경공학회지
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• 제30권12호
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• pp.1281-1286
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• 2008

하수처리과정에서 온실가스인 N$_2$O가 발생하는데, N$_2$O의 지구온난화 기여율은 CO$_2$의 310배에 달한다. 본 연구에서는 하수처리공정에 따라 온실가스 배출계수가 어떤 차이를 보이는지를 분석하기위해 운전 중인 4개의 하수처리공정을 대상으로 조사하였다. 배출계수 산정을 위한 시료채취는 Flux Chamber를 이용하였으며, N$_2$O 정량은 6 port gas sampling valve가 장착된 Agilent사의 GC로 분석하였으며, 검출기는 ECD를 사용하였다. 하수처리공정별 오염물질 유입 부하에 대한 N$_2$O 배출계수 산정결과 5-stage공정은 0.94 g-N$_2$O/kg-TN으로 가장 낮았으며, 다음으로 활성슬러지공정이 2.65 g-N$_2$O/kg-TN, Denipho공정이 9.30 g-N$_2$O/kg-TN, 그리고 SBR공정이 26.73 g-N$_2$O/kg-TN으로 가장 높게 나타났다. 하수처리에서 N$_2$O 배출량 감소를 위해서는 조사대상 시설 중 5-stage 공정이 가장 적절한 것으로 평가하였다.

• 대한화학회지
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• 제61권6호
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• pp.328-338
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• 2017

$H_2O_3(H_2O)_n$ (n=1-5) 클러스터들에 대해서 밀도 범함수 이론(DFT)과 순 이론(ab initio) 방법을 cc-pVD(T)Z 바탕집합(basis set)과 함께 사용하여 가능한 여러 구조를 최적화하고 결합에너지와 조화진동수를 계산하였다. $H_2O_3$ 단량체의 경우 CCSD(T)/ccp-VTZ 이론 수준에서 트랜스(trans) 구조가 시스(cis) 구조보다 더 안정한 것으로 계산되었다. 클러스터에 대해서는 MP2/cc-pVTZ 수준까지 분자 구조를 최적화하고 열역학적으로 가장 안정한 분자구조를 예측하였다. 클러스터의 결합에너지는 CCSD(T)//MP2 수준에서 영점 진동에너지(ZPVE)와 바탕집합 중첩에러(BSSE)를 모두 보정한 후 n=1일 때 -6.39 kcal/mol 계산 되었으며 이 같은 결과는 $H_2O$와 $H_2O_2$의 물 클러스터 보다 더 좋은 수소 주게 즉 산(acid)으로서 작용할 것으로 기대된다. 물 분자 1개 당 평균 결합에너지는 n=2의 경우 8.25 kcal/mol, n=3일 때 7.22 kcal/mol, n=4의 경우 8.50 kcal/mol 그리고 n=5의 경우 8.16 kcal/mol로 계산되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제37권1호
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• pp.1-5
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• 2000

Cathodoluminescence(CL) properties of ZnO:Zn green phosphor were investigated. ZnO:Zn phosphor was synthesized by varying reducing agents and firing temperatures. ZnS, charcoal and 5% H2 gas mixed with 95% N2 gas(5H2-95N2) were used as the reducing agent and atmosphere. The highest CL intensity of ZnO:Zn phosphor was observed under the condition of 5H2-95N2 atmosphere and firing temperature of 90$0^{\circ}C$ for 1h. Charocal and ZnO as reducing agents in the syntehsis of ZnO:Zn phosphor exhibited about 60% and 40%, respectively, of the CL intensity obtained with 5H2-95N2 atmosphere.

• 전기전자학회논문지
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• 제24권4호
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• pp.1117-1121
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• 2020

본 연구에서는, 원자막증착법(ALD) 공정으로 증착된 SnO2 촉매를 AlGaN/GaN 이종접합 FET에 적용하여 NO2 가스 검출이 가능한 것을 확인하였다. AlGaN/GaN-on-si 플랫폼에서 제작 된 HFET 센서로 NO2 100 ppm에 대하여 In-situ SiN이 있는 소자와 없는 소자가 각각 100 ℃, 200 ℃에서 10.1% 및 17.7%, 5.5% 및 38%의 감지성능을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.403-406
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• 2000

The piezoelectric properties and the doping effect of N $b_2$ $O_{5}$ and Mn $O_2$for 0.95PbZ $r_{x}$ $Ti_{x}$ $O_3$+0.05Pb(M $n_{0.42}$ $W_{0.26}$S $b_{0.32}$) $O_3$ compositions have been investigated. In the composition of 0.95PbZ $r_{0.54}$ $Ti_{0.46}$ $O_3$+0.05Pb(M $n_{0.42}$ $W_{0.26}$S $b_{0.32}$) $O_3$the Values Of $k_{p}$ find and $\varepsilon$$_{33}$ $^{T}$ are maximized, but $Q_{m}$ Was minimized ( $k_{p}$ =0.51, $Q_{m}$ =1750). The grain size was suppressed and the uniformity of grain was improved with doping concentration of N $b_2$ $O_{5}$ for 0.95PbZ $r_{0.54}$ $Ti_{0.46}$ $O_3$+0.005Pb(M $n_{0.42}$ $W_{0.26}$S $b_{0.32}$) $O_3$sample. The values of $k_{p}$ increased and the values of $Q_{m}$ slightly decreased when 0.5 wt% of N $b_2$ $O_{5}$ is doped. And the values of $k_{p}$ was the same formation of the N $b_2$ $O_{5}$ dopant when 0.5 wt% of M $n_2$ $O_{5}$ is doped. But the values of $Q_{m}$ was deeply decreased when 0.5 wt% of Mn $O_2$is doped. As a experiment results under high electric field driving, this piezoelectric ceramics are very stable. Conclusively, piezoelectric ceramic compsiton investigated at this paper is suitable for application to high power piezoelectric devices.. devices..ices.. devices..