본 고에서는 공통선 신호망을 이용한 망 서비스 및 개념 모델의 세계적인 동향을 제시하였다. 또한 앞으로 국내에서 제공 가능한 서비스 및 서비스 망구조에 대하여 개략적으로 서술한다.

본 고에서는 디지틀 이동통신 기술개발에 의한 FPLMTS의 구축시 검토하여 할 사항에 대하여 논하였다. ISDN의 개요와 이동통신계의 ISDN화에 따른 문제점, 디지틀 이동통신 개발현황 및 CCIR을 비롯한 국제표준기구에서의 표준화 동향에 관하여 소개하였으며, 디지틀 이동통신 시스팀 개발시 극복해야 할 과제를 제시하였다.

GaAs는 Si보다 이동도가 커서 고속성을 나타낸다. 그런데 이동도는 온도에 따라 저온에서는 불순물의 영향을 받으며 실온 이상에서는 격자 산란의 영향을 받는다. HEMT는 불순물의 영향을 제거하여 초고속성을 가지나 격자산란의 효과는 제거하지 못하였다. 격자산란을 제거하기 위해 HEMT소자에 초격자를 도입하여 초격자 응용 HEMT가 MBE에 의하여 개발되고 있다.

ECR 플라즈마는 활성도가 크고 지향성이 강한 고에너지 빔으로서, 고속.고정밀.고 선택비의 식각공정과, 저온.저손상.고 평탄화의 증착공정, 3차원 구조에도 불순물을 원하는 깊이만큼 도우핑할 수 있는 불순물 주입공정 등에 폭넓게 응용될 수 있다.

반도체 가스의 순도에 따라 반도체 박막의 특성이 좌우되기 때문에 현재의 고순도 가스에서 초고순도 가스로 사용하여야 한다. 최근 반도체 공정기술은 화학증착법으로 많은 특수 가스를 사용하는데 이런 가스들은 사전에 가스에 대한 전문 지식과 기술을 충분히 이해한 다음 사용하여야만 고성능화 공정기술이 가능하다. 반도체용 가스는 회로의 집적도가 높아짐에 따라 요구되는 가스의 품질이 점점 고순도화되고 있다. 따라서 현 반도체 공정에 사용되는 가스 순도를 초고순도화 시켜야만 초고집적 소자인 4M DRAM, 16M DRAM, 64M DRAM 제품 개발 및 제조가 가능하다. 다시말해서 공정에 따른 주변조건이 이루어져야 만 반도체 산업이 크게 신장 할 수 있다. 최근 반도체 공정 기술로는 플라즈마(Plasma), 드라이에칭(Dry etching), CVD(Chemical Vapor Deposition), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), Ion Implantation, EPI 공정으로 거의 대부분 공정 가스가 가연성, 폭발성, 독성, 부식성 이기 때문에 한번 취급을 잘못하면 막대한 인명 및 재산 피해를 입히므로 취급상 특별한 주의를 요하고 사전에 가스의 전문 지식과 기술을 충분히 이해한 다음 사용하여야 한다.

미국은 통신망에 접속되는 모든 단말기기에 대해 인증을 받도록 하고 있다. 이는 통신망에 위해(harm)를 주지않게 하기 위함이다. 작년 우리나라의 대미통신기기 수출은 7.5억불에 이르고 이로써 미국의 대한 통신시장개방 요구도 더욱 드세어 지고 있다. 인증은 FCC규정에 의한다. 이 원고는 인증기술의 모체인 Part 68규정을 요약정리한 기술문서이다.

본고에서는 컴퓨터 범죄에 대한 특성, 각국의 컴퓨터 범죄 사례 및 분석과 새로운 컴퓨터 범죄자의 유형과 범죄에 사용되는 수법에 대해 기술하였다.

본고는 "세계의 테레코무니우스"지에서 발췌한 내용으로서 최근의 AT&T 경영실적과 전망을 비롯하여 조직, 사업내용 및 재무상황등을 광범위하게 다루고 있다.

ASIC (Application Specific Integrated Circuit)은 직역하면 응용특정 IC, 혹은 특정용도 IC로서 LSI시장의 조사회사인 Dataquest사가 '84년경부터 사용하기 시작한 말이다. ASIC이 최근 크게 주목을 끌고있는 것은, 반도체 사용자가 자신의 제품에 개성을 불어넣기 위해서는 범용IC를 사용해온 것으로는 기술적 우위성이 확보되지 않는다고 판단했기 때문에 주문형 LSI를 강하게 추진해 왔다는 것과 반도체 메이커도 메모리IC를 중심으로 한 범용IC시장의 부진, 더우기 날로 더해가는 반도체 시장의 시장쟁탈 및 무역마찰로 인해 ASIC 시장에로의 참여가 강화되어 왔다는 점 등을 들수있다. 집적화 기술은 매년 진보하여 지금은 100만개 이상의 트랜지스터를 집적할 수 있게 되었다. 따라서 지금까지 SSI/MSI를 사용해서 회로설계한 기능단위의 칩을 프린터 기판위에 조합시켜 시스팀을 구축해 왔으나, 앞으로는 하나의 칩위에 시스팀을 구성하는 시대로 변하고 있다. ASIC은 그 요청에 따라서 one-chip화의 개념에 따라서 만들어진 것으로서, 시장환경에 대단히 유익한 디바이스로 생각할 수 있다. 시스팀의 one-chip화의 실현결과 압도적으로 소형화, 경량화, 성자원화가 달성됨과 동시에 신뢰성 및 동작성능도 우수하게 되었다. ASIC기술은 현재 주류로 되어있는 게이트 어레이를 볼때, 개발비용은 크게 감소하여 개발기간도 논리회로가 완성된다면 3~4주 정도로 단축시킬수 있다. ASIC 설계에는 각 공정에 있어서 고도의 컴퓨터 지원설계가 채용되고 제조공정에서는 첨단의 프로세서 기술 등이 이용되므로 ASIC기술은 종합적인 첨단기술의 집약이라고 불러도 좋을것이다. 이러한 기술추세에 맞추어 전자통신 동향분석지 제3권 제1호(1988.3.)에 발표된 최신 ASIC기술동향의 후속편으로 ASIC에 관련된 중요용어 50개를 선정, 알파벳 순으로 나열하여 설명하였다.