• 전자공학회논문지A
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• 제31A권8호
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• pp.34-45
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• 1994

We studied threshold voltages and I-V characteristics. considering short channel effect of the fully depleted thin film n-channel SOI MOSFET. We presented a charge sharing model when the back surface of short channel shows accumulation depletion and inversion state respectively. A degree of charge sharing can be compared according to each of back-surface conditions. Mobility is not assumed as constant and besides bulk mobility both the mobility defined by acoustic phonon scattering and the mobility by surface roughness scattering are taken into consideration. I-V characteristics is then implemented by the mobility including vertical and parallel electric field. kThe validity of the model is proved with the 2-dimensional device simulation (MEDICI) and experimental results. The threshold voltage and charge sharing region controlled by source or drain reduced with increasing back gate voltage. The mobility is dependent upon scattering effect and electric field. so it has a strong influence on I-V characteristics.

• 한국지하수토양환경학회지:지하수토양환경
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• 제20권6호
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• pp.1-7
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• 2015

The most critical health effect of lead exposure is the neurodevelopmental effect to children caused by the increased blood lead level. Therefore, the endpoint of the risk assessment for lead-contaminated sites should be set at the blood lead level of children. In foreign countries, the risk assessment for lead-contaminated sites is conducted by estimating the increased blood lead level of children via oral intake and/or inhalation (United States Environmental Protection Agency, USEPA), or by comparing the estimated oral dose to the threshold oral dose of lead, which is derived from the permissible blood lead level of children (Dutch National Institute for Public Health and the Environment, RIVM). For the risk assessment, USEPA employs Integrated-Exposure-Uptake-Biokinetic (IEUBK) Model to check whether the estimated portion of children whose blood lead level exceeds 10 µg/dL, threshold blood lead level determined by USEPA, is higher than 5%, while Dutch RIVM compares the estimated oral dose of lead to the threshold oral dose (2.8 µg/kg-day), which is derived from the permissible blood lead level of children. In Korea, like The Netherlands, risk assessment for lead-contaminated sites is conducted by comparing the estimated oral dose to the threshold oral dose; however, because the threshold oral dose listed in Korean risk assessment guidance is an unidentified value, it is recommended to revise the existing threshold oral dose described in Korean risk assessment guidance. And, if significant lead exposure via inhalation is suspected, it is useful to employ IEUBK Model to derive the risk posed via multimedia exposure (i.e., both oral ingestion and inhalation).

• 대한토목학회논문집
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• 제31권1B호
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• pp.1-11
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• 2011

DEM을 이용한 수로망의 생성은 수문해석모형의 적용을 위한 전처리 과정으로써 실제 유역시스템의 배수구조를 결정하는 중요한 인자로 활용된다. 본 연구에서는 DEM으로부터 합리적인 수로망 추출과정 수립을 목적으로 보편적으로 사용되고 있는 면적한계기준과 국부경사와 기여면적사이의 특성에 근거한 경사-면적한계기준 기법을 이용하여 수로망을 생성하고 지형법칙에 의거하여 각 기법에 따른 소규모 유역(진안천 유역; $18.28km^2$) 배수구조의 신뢰성을 평가하였다. 그 결과, 면적한계 기준 기법은 수원유역의 크기의 인위적 결정에 의해 지형법칙을 만족시키지 못하고 유역전체의 배수구조를 왜곡되게 묘사한 반면, 경사-면적한계기준 기법의 경우 물리적인 지형법칙을 만족시키는 우수한 결과를 나타냈다. 따라서 경사-면적한계기준 기법은 DEM 기반의 수문모형을 적용 시 효율적이고 객관적인 수로망 생성을 위한 방법론으로서 활용이 가능하리라 판단된다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2006년도 춘계종합학술대회
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• pp.869-872
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• 2006

본 연구에서는 나노구조 이중게이트 FinFET에 대하여 문턱전압이동 특성을 분석하였다. 분석을 위하여 분석학적 전류모델을 개발하였으며 열방사 전류 및 터널링 전류를 포함하였다. 열방사전류는 포아슨방정식에 의하여 구한 포텐셜분포 및 맥스월-볼쯔만통계를 이용한 캐리어분포를 이용하여 구하였으며 터널링전류는 WKB(Wentzel-framers-Brillouin)근사를 이용하였다. 이 두 모델은 상호 독립적이므로 각각 전류를 구해 더함으로써 문턱전압을 구하였다. 본 연구에서 제시한 모델을 이용하여 구한 문턱전압이동값이 이차원시뮬레이션값과 비교되었으며 잘 일치함을 알 수 있었다. 분석 결과 10nm이하에서 특히 터널링의 영향이 증가하여 문턱전압이동이 매우 현저하게 나타남을 알 수 있었다. 이러한 단채널현상을 감소시키기 위하여 채널두께 및 게이트산화막의 두께를 가능한한 얇게 제작하여야함을 알았으며 이를 위한 산화공정개발이 중요하다고 사료된다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제17권1호
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• pp.145-150
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• 2013

본 연구에서는 차세대 나노소자인 DGMOSFET에 대하여 문턱전압 이하영역에서 발생하는 단채널 효과 중 문턱전압 및 드레인유도장벽감소의 변화를 스켈링 이론에 따라 분석하였다. 포아송방정식의 분석학적 해를 구하기 위하여 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 이때 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차 그리고 소자 파라미터인 채널의 두께, 도핑농도 등에 대하여 문턱전압 특성의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 문턱전압이하 특성을 분석하였다. 분석결과 스켈링 이론 적용 시 문턱전압 및 드레인유도장벽감소 현상이 변화하였으며 변화 정도는 소자파라미터에 따라 변화한다는 것을 관찰하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제11권4호
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• pp.760-765
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• 2007

본 연구에서는 나노구조 이중게이트 FinFET에 대하여 문턱전압이동 특성 및 드레인유기장벽저하(Drain Induced Barrier Lowering; DIBL)특성을 분석하였다. 분석을 위하여 분석학적 전류모델을 개발하였으며 열방사전류 및 터널링전류를 포함하였다. 열방사전류는 포아슨방정식에 의하여 구한 포텐셜분포 및 맥스월-볼쯔만통계를 이용한 캐리어분포를 이용하여 구하였으며 터널링 전류는 WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin)근사를 이용하였다. 이 두 모델은 상호 독립적이므로 각각 전류를 구해 더함으로써 문턱 전압을 구하였다. 본 연구에서 제시한 모델을 이용하여 구한 문턱 전압 이동값이 이차원 시뮬레이션값과 비교되었으며 잘 일치함을 알 수 있었다. 분석 결과 10nm 이하에서 특히 터널링의 영향이 증가하여 문턱전압이동 및 DIBL이 매우 현저하게 나타남을 알 수 있었다. 이러한 단채널현상을 감소시키기 위하여 채널두께 및 게이트산화막의 두께를 가능한한 얇게 제작하여야함을 알았으며 이를 위한 산화공정개발이 중요하다고 사료된다.

• Journal of the Korean Data and Information Science Society
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• 제26권2호
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• pp.289-299
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• 2015

본 연구는 PM10 농도에 대한 계량치 예측모형 개발을 목적으로 한다. 세 종류의 자료 (기상관측 자료, 세계기상통신망 중국 관측자료, 대기질 화학수치모델자료)를 예측인자로 사용하였으며, 일일 단기예보 시스템에 쉽게 적용할 수 있도록 시간자료를 일자료로 변환하였고 시차변환을 수행하였다. 상관분석과 다중공선성 진단을 통하여 예측인자를 선택하고 두 종류의 모형 (중회귀모형, 문턱치 회귀모형)을 각각 적합하였다. 모형 안정성 검사를 위하여 모형검증을 수행하였으며, 전체자료를 사용하여 모형을 재추정한 후 예측치와 관측치 사이의 산점도와 시계열그림, RMSE, 예측성 평가측도를 작성 및 산출하여 두 모형을 비교하였다. 문턱치 회귀모형의 예측력이 고농도 PM10예측에서 다소 우수한 결과를 보였다.

• 대한의용생체공학회:의공학회지
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• 제23권4호
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• pp.329-332
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• 2002

일반적으로 금지뉴런의 효과는 신경망을 안정시킨다고 알려져 있다. 본 연구에서는 확률적 평균 필드 이론에 근거한 신경망 모델에서 느린 금지뉴런의 역할을 살펴보았다. 흥분뉴런과 빠른 금지뉴런으로 구성된 신경망에 느린 금지뉴런을 더하면, 느린 금지 뉴런이 없는 모델에서보다 매우 낮은 역치에서 안정적인 동시적 활동이 유도된다는 것을 발견하였다. 이 역치는 대뇌 피질 신경의 생리학적 역치와 일치하며. 느린 금지 뉴런만이 신경망에 낮은 발화율과 낮은 역치를 유지시키는 네거티브 피드백을 줄 수 있다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제5권3호
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• pp.173-181
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• 2005

A new two dimensional (2-D) model for the potential distribution of fully depleted short-channel ion-implanted silicon MESFET's has been presented in this paper. The solution of the 2-D Poisson's equation has been considered as the superposition of the solutions of 1-D Poisson's equation in the lateral direction and the 2-D homogeneous Laplace equation with suitable boundary conditions. The minimum bottom potential at the interface of the depletion region due to the metal-semiconductor junction at the Schottky gate and depletion region due to the substrate-channel junction has been used to investigate the drain-induced barrier lowering (DIBL) and its effects on the threshold voltage of the device. Numerical results have been presented for the potential distribution and threshold voltage for different parameters such as the channel length, drain-source voltage, and implanted-dose and silicon film thickness.

• 산경연구논집
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• 제4권2호
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• pp.13-19
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• 2013

Purpose - The paper tested the relationship between the stock markets of the Middle East and the USA with the oil price and US dollar index as threshold variables. Research design, data, and methodology - The stock price indices of the USA, the Middle East (Abu Dhabi, Jordan), WTI spot crude oil price, and US dollar index were daily returns in the research period from May 21, 2001 to August 9, 2012. Following Hansen (1999), the panel threshold regression model was used. Results - With the US dollar index as the threshold variable, a negative relationship existed between the stock price indices of Jordan and the USA but no significant result was found between the stock price indices of Abu Dhabi and the USA. Conclusions - The USA is an economic power today:even if it has a closer relationship with the US stock market, the dynamic US economy can learn about subsequent developments and plan in advance. Conversely, if it has an estranged relationship with the US stock market, thinking in a different direction and different investment strategies will achieve good results.