The average temperatures by the land cover class, by the elevation extent, by the slope and by the aspect have been calculated using multitemporal Landsat TM band 6 and DEM. For this, the TM band 6 data from October 21, 1985, June 2, 1992, September 1, 1996, May 7, 2000 and the 28.5m x 28.5m grid elevation data of Seoul have been used. From the varying curve of the average land surface temperature by the elevation extent, the presence of the atmospheric inversion phenomenon and the scope of the inversion layer can be inferred. Especially, the average land surface temperature by the aspect can be effective for deciding a road line. For these reasons, it is expected that temperature estimation using remote sensing data shall be effective for the survey of heat damage, environmental temperature monitoring, and urban and environmental Planning usage.
Park, Il-Soo;Park, Moon-Soo;Lee, Joonsuk;Jang, Yu Woon
한국환경과학회지
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제29권12호
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pp.1223-1237
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2020
This study focused on comparing the meteorological conditions in the Atmospheric Boundary Layer (ABL) on high-event days and non-event days in the Seoul Metropolitan Area (SMA). We utilized observed PM10 and meteorological variables at the surface as well as at the upper heights. The results showed that high-event days were consistently associated with lower wind speed, whereas wind direction showed no particular difference between high-event and non-event days with frequent westerlies and northwesterlies for both cases. During high-event days, the temperature was much warmer than the monthly normal values with a sharp increasing trend, and Relative Humidity (RH) was higher than the monthly normal, especially on high-event days in February. During high-event days in spring, a double inversion layer was present at surface and upper heights. This indicates that stability in the multi-layer is an important indicator of higher PM10 concentrations. Net radiation in spring and winter is also closely associated with higher PM10 concentrations. Strong net radiation resulted in large sensible heat, which in turn facilitated a deeper mixing height with diluted PM10 concentrations; in contrast, PM10 concentrations were higher when sensible heat in spring and winter was very low. We also confirmed that convective and friction velocity was higher on non-event days than on high-event days, and this was especially obvious in spring and winter. This indicated that thermal turbulence was dominant in spring, whereas in winter, mechanical turbulence was dominant over the SMA.
Thermal reoxidation was carried out to eliminate hole traps at the surface of Si wafer. As the result, the good surface state of wafer was obtained and hole traps were eliminate at the inversion layer. For the evaluation of reoxidation effects. MOS diode was fabricated and its C-Y curve was plotted.
In this study, a MWCNT(multi-wall carbon nanotube) was added to polysulfone(PSf) support layer to improve flux of TFC(thin film composite) RO(reverse osmosis) membrane. Two different kinds of MWCNT were used. Surfaces of some MWCNTs were modified hydrophilically through acid treatment, while those of other MWCNTs were modified through heat treatment to maintain their hydrophobicity. MWCNT/PSf support layer was prepared by adding PSf to the NMP mixed solvent containing 0.1 wt% MWCNTs using a phase inversion method. The surface porosity of the MWCNT/PSf support increased by 42~46% while its surface pore size being maintained. The TFC RO membrane made of MWCNT/PSf support layer showed a 20% flux increase while its salt rejection characteristics is sustained. In addition, the MWCNT/PSf support layer has better mechanical stability than the PSf support layer, there resulting in an increased resistance of flux reduction due to physical pressure.
본 연구에서는 양자 현상을 고려한 나노미터 MuGFET의 C-V 특성을 분석하기 위하여 2차원 Poisson-$Schr{\ddot{o}}dinger$ 방정식을 self-consisnt하게 풀 수 있는 시뮬레이터를 구현하였다. 소자 시뮬레이터를 이용하여 양자 현상으로 인한 소자크기와 게이트 구조에 따른 게이트-채널 커패시턴스 특성을 분석하였다. 소자의 크기가 감소할수록 단위 면적당 게이트-채널 커패시턴스는 증가하였다. 그리고 게이트 구조가 다른 소자에서는 게이트-채널 커패시턴스가 유효게이트 수가 증가할수록 감소하였다. 이런 결과를 실리콘 표면의 전자농도 분포와 인버전 커패시턴스로 설명하였다 또한 인버전 커패시턴스로부터 소자의 크기 및 게이트 구조에 따른 inversion-layer centroid 길이도 계산하였다.
In this paper, the dynamic response of a piezoelectric layer with a penny-shaped crack is investigated. The piezoelectric layer is subjected to an axisymmetrical action of both mechanical and electrical impacts. Two kinds of crack surface conditions, i.e., electrically impermeable and electrically permeable, are adopted. Based upon integral transform technique, the crack boundary value problem is reduced to a system of Fredholm integral equations in the Laplace transform domain. By making use of numerical Laplace inversion the time-dependent dynamic stress and electric displacement intensity factors are obtained, and the dynamic energy release rate is further derived. Numerical results are plotted to show the effects of both the piezoelectric layer thickness and the electrical impact loadings on the dynamic fracture behaviors of the crack tips.
We present a comprehensive study on the integration of h-BN with silicon MOSFET. Temperature dependent mobility modeling is used to discern the effects of top-gate dielectric on carrier transport and identify limiting factors of the system. The result indicates that coulomb scattering and surface roughness scattering are the dominant scattering mechanisms for silicon MOSFETs at relatively low temperature. Interposing a layer of h-BN between $SiO_2$ and Si effectively weakens coulomb scattering by separating carriers in the silicon inversion layer from the charged centers as 2-dimensional h-BN is relatively inert and is expected to be free of dangling bonds or surface charge traps owing to the strong, in-plane, ionic bonding of the planar hexagonal lattice structure, thus leading to a significant improvement in mobility relative to undecorated system. Furthermore, the atomically planar surface of h-BN also suppresses surface roughness scattering in this Si MOSFET system, resulting in a monotonously increasing mobility curve along with gate voltage, which is different from the traditional one with a extremum in a certain voltage. Alternatively, high-k dielectrics can lead to enhanced transport properties through dielectric screening. Modeling indicates that we can achieve even higher mobility by using h-BN decorated $HfO_2$ as gate dielectric in silicon MOSFETs instead of h-BN decorated $SiO_2$.
육상 탄성파 탐사에서 불규칙한 지표 고도차와 천부 지층의 풍화대는 자료의 반사파 신호를 왜곡시킨다. 그러므로 일반적인 육상 탄성파 탐사 자료는 정적 보정(static correction)을 통해 이러한 왜곡을 보정해야 한다. 정적 보정을 하기 위해 천부 지층의 속도가 필요하며, 이 속도는 굴절법 탐사를 통해 구할 수 있다. 그러나 육상 탄성파 탐사자료는 탐사 현장에 대한 허가나 현장 여건 그리고 장비 보유 현황에 따라 제한된 형태로 취득되는 경우가 많다. 이러한 상황에서는 송수신기 배열이 제한되어 굴절법 탐사에 적합한 자료를 얻을 수 없기 때문에 반사법 자료로 굴절법 해석을 수행할 수 밖에 없다. 따라서 본 연구에서는 불규칙 지표 모델에서 제한된 송수신기 배열을 이용하여 얻은 반사법 자료로 굴절 주시 역산을 수행하고 결과의 신뢰성을 분석하였다. 불규칙한 지표와 평탄한 지표를 갖는 모델에 대한 역산 결과를 비교하여 지표 고도 차이가 역산 결과의 신뢰성에 약간의 영향을 주는 것을 확인하였다. 또한, 송신원 개수에 따른 역산을 통해 극히 적은 수의 송신원이 아니라면 역산 결과의 신뢰성에 크게 영향을 주지 않음을 보였다. 반면에 제한된 배열의 수신기를 사용할 경우에는 수신기 전개영역의 중첩된 부분에서 속도왜곡이 발생함을 관찰하였고, 속도왜곡이 발생하지 않기 위한 최소 중첩영역의 크기를 제안하였다. 마지막으로 현장 자료의 지형 조건과 송수신기 배열 정보를 이용하여 수치 모형 실험을 수행하였고, 신뢰성 분석 결과를 검증하였다. 신뢰성 분석 결과를 토대로 현장 자료 역산 결과에 신뢰할 수 있는 영역과 해석에 유의해야 할 영역을 구분하였다.
동계 동해와 황해 표층 수십 메터에서 불안정 성층을 수반한 해양 온도 역전 현상이 종종 발생한다. 수온 역전층 발생의 원인으로서는 (1) 해면으로부터의 열손실을 보상하기 위한 해양 내부의 대류에 기인한 수온 역전, (2) 계절적 수온 변화가 하방으로 전달되면서 진폭과 위상이 바뀜에 따른 동계의 수온 역전, 그리고 (3) 냉수역에서 온수역으로 취송류가 이동함에 따른 수온 역전 등을 들 수 있는 바, 이 논문에서는 위의 세가지 수온 역전 발생 원인에 대하여 해석적인 모델을 제시한다.
이 연구에서는 심부 퇴적층의 S-파 속도구조 추정을 위하여 여러 지점에서 획득된 수신함수와 표면파 위상속도 자료를 이용하는 유전자 알고리즘 기반 복합 역산기법을 제안하였다. 이 방법은 서로 다른 지점에서 획득된 자료를 동시에 역산하기 위해, 역산대상 지역 내 모든 측점 상부의 지층 물성 - 특히 S-파 속도 -이 균열하다고 가정하는 방식으로 역산대상 지역 상부층의 층서적 연속성을 고려한다. 인공합성 자료를 이용한 수치실험 결과, 본 방법은 제한된 주기대역을 가지는 표면파 위상속도 자료만을 모델링 할 때 발생하는 심부 지층 물성정보에 대한 불확실성을 효과적으로 줄일 수 있음을 보여주었다. 또한 본 연구에서는 한 지점에서 획득된 지진파 기록으로부터 구해진 수선함수와, 일본 동경 중부지역에서 수행된 미소진동탐사로부터 획득된 두 개의 레일리파 위상속도 자료에 대해 제안된 기법을 적용하였다. 그 결과, 추정된 지하 구조는 선행된 탄성파 굴절법 탐사와 심부 시추공 자료와 잘 일치하는 양상을 보여주었다. 이러한 측면에서, 제안된 방법은 수신함수만을, 흑은 표면파 위상속도 자료만을 이용하는 개별역산에 비해 보다 정확하고 신뢰할 수 있는 모델을 제공하는 방법이 될 수 있을 것으로 판단된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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