• 한국진공학회지
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• 제14권1호
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• pp.17-23
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• 2005

본 논문은 글로우방전 질량분석법(Glow Discharge Mass Spectrometry: GDMS)을 이용하여 구리 박막내의 미량 불순물의 농도분석과 음의 기판 바이어스에 대한 구리 박막내의 불순물의 농도변화에 대해서 고찰하였다. 구리 박막은 실리콘 기판 위에 비질량 분리형 이온빔 증착장비를 이용하여 기판 바이어스를 걸지 않은 경우와 -50 V의 기판 바이어스를 걸은 상태에서 증착하였다. 전기를 통하지 않는 분석 샘플의 경우, 직류(DC) GDMS에 의한 분석시, 샘플 표면에서의 charge-up 효과에 의해 분석에 어려움이 있었지만, 본 실험에서는 간편하게 분석이 가능하도록 샘플을 알루미늄 포일(foil)로 감싸서 구리 박막으로부터 실리콘 기판 뒤의 샘플 홀더까지 전기적 접촉이 이루어지도록 하였다. 구리 타겟과 증착된 구리 박막들에 대한 GDMS 분석결과에 의해서, 전체적으로 박막내의 불순물의 양이 음의 기판 바이어스에 의해 줄어듦으로써 구리 박막의 전체 순도를 높일 수 있다는 것을 알게 되었다. 음의 기판 바이어스에 의한 불순물들의 농도변화는 각각의 불순물의 이온화 포텐셜의 차이에 의한 것으로, 박막 증착시 플라즈마내의 Penning ionization effect와 본 논문에서 제시한 이온화 과정에 의해 각 불순물의 농도변화가 설명되어질 수 있었다. 또한, 기판 위에서의 구리 이온들의 충격에 의한 cleaning effect도 박막내의 불순물의 농도변화에 기여했다고 판단된다.

• 한국표면공학회지
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• 제32권3호
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• pp.303-306
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• 1999

On the effect of substrate bias at first stage of diamond synthesis at lower substrate temperature(approximately 673K) using microwave plasma CVD and effect of reaction gas system for the bias enhanced nucleation were studied. The reaction gas was mixture of methane and hydrogen or carbon monoxide and hydrogen. The nucleation density of applied bias -150V using $CH_4-H_2$ reaction gas system, significantly higher than that of $C-H_2$ reaction gas system. When the $CH_4-H_2$ reaction was used, nucleation density was increased because of existence of SiC as a interface for diamond nucleation. By use of this negative bias effect for fabrication of CVD diamond film using two-step diamond growth without pre-treatment, fabrication of the diamond film consist of diamond grains $0.2\mu\textrm{m}$ in diameter was demonstrated

• Environmental Engineering Research
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• 제24권3호
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• pp.449-455
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• 2019

To investigate the effect of seaweed (SW) addition on anaerobic co-digestion of food waste (FW) and sewage sludge (SS), batch experiments were conducted at various substrate concentrations (2.5, 5.0, 7.5, and 10.0 g volatile solids (VS)/L) and mixing ratios ((FW or SS):SW = 100:0, 75:25, 50:50, 25:75, and 0:100 on a VS basis). The effect of SW addition on FW digestion was negligible at low substrate concentration, while it was substantial at high substrate concentrations by balancing the rate of acidogenesis and methanogenesis. At 10 g VS/L, $CH_4$ production yield was increased from 103 to $350mL\;CH_4/g$ VS by SW addition (FW:SW = 75:25). On the other hand, SW addition to SS enhanced the digestion performance at all substrate concentrations, by providing easily biodegradable organics, which promoted the hydrolysis of SS. $k_{hyd}$ (hydrolysis constant) value was increased from 0.19 to $0.28d^{-1}$ by SW addition. The calculation showed that the synergistic $CH_4$ production increment by co-digesting with SW accounted for up to 24% and 20% of total amount of $CH_4$ production in digesting FW and SS, respectively.

• 한국세라믹학회지
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• 제52권6호
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• pp.417-422
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• 2015

In this study, we investigate the effect of porous $Al_2O_3$ substrate on the strengths of asymmetric structures after we prepare such a structure consisting of a dense $Li_2ZrO_3$ top layer and porous $Al_2O_3$ substrate layer. The porosity and elastic modulus of the substrate layer are controlled by sintering temperature, which has three values of 1150, 1250 and $1350^{\circ}C$. The porosity is controlled in the range of ~ 30-50 vol%, elastic modulus is ~80-120 GPa and elastic mismatch $E_s/E_c$ is ~ 0.6-1.0. Indentation stress-strain curves are obtained and analyzed to evaluate the yield stress of the asymmetric structure by concentrated local loading of WC balls. Conventional flexural strengths are also obtained to evaluate the strength of the asymmetric structure. The results indicate that the local yield strength of the asymmetric structure has mid-values between the top and the substrate layer; however, the flexural strength of the asymmetric structure are mainly influenced by elastic modulus and strength of the substrate.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권4호
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• pp.327-332
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• 2010

We report on the effect of PET substrate preheating on the characteristics of the flexible and transparent indium tin oxide (ITO) electrode grown by a specially designed roll-to-roll sputtering system for touch panel applications. It was found that electrical and optical properties of the roll-to-roll sputter grown ITO film were critically dependent on the preheating of the PET substrate. In addition, the roll-to-roll sputter-grown ITO film after post annealing test at $140^{\circ}C$ for 90 min showed stable electrical and optical properties. The low sheet resistance and high optical transmittance of the ITO film grown on the preheated PET substrate demonstrate that the preheating process before ITO sputtering is one of the effective way to improve the characteristics of ITO/PET film. Furthermore, the superior flexibility of the ITO electrode grown on the preheated PET substrate indicates that the preheating treatment is a promising technique to obtain robust ITO/PET sample for touch panel applications.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1996년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1421-1423
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• 1996

In this study, the effect of solar cell cover glass on the solar cell performance is evaluated. Silicon solar cell (active area:4*6cm, efficiency:12.6% at AMO condition) is used for this study. ITO(Indium tin Oxide) film thickness of the ITO/AR/substrate glass/solar cell structure samples are $40{\AA}$, $60{\AA}$, $160{\AA}$, $240{\AA}$ respectively. The solar cell maximum output power on the stacking structure variations showed 465mW in the AR/ITO/substrate glass/solar cell, and minimum output power showed 403mW in the AR/substrate glass/solar cell. The maximum output power of the solar cell on the ITO thickness variations of the ITO/AR/substrate glass/solar cell showed 460mW at $40{\AA}$ then decrease output power as ITO thickness increase. For environment tests, all samples are exposed UV light in the vacuum chanber. The output power degradation of AR(UVR)/substrate glass/solar cell stacking structure is small compared with ITO/AR(UVR)/substrate glass/solar cell stacking structure.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제46권6호
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• pp.118-127
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• 2009

정사각형 기판의 크기가 패치 안테나의 방사 특성에 미치는 영향을 연구하기 위하여 마이크로스트립 패치 안테나를 제작하고 측정한 결과를 전산모의한 결과와 비교하였다. 전산모의한 방사 특성 결과와 측정한 방사 특성 결과가 잘 일치함을 볼 수 있었다. 기판의 크기가 패치 안테나의 공진 주파수와 대역폭에 미치는 영향은 작으나 방사패턴에 미치는 영향은 매우 큼을 볼 수 있었다. 기판 두께가 증가할수록 표면파의 발생이 증가하여 기판 크기에 따른 전방 방사 이득 변화 폭, 최대 방사가 일어나는 각도의 변화 폭과 방사패턴의 변화가 크게 발생한다. 기판 두께에 관계없이 기판 크기가 $0.8\;{\lambda}_0$ 일 때 전방방사 이득이 크고 전방방사와 후방방사 이득의 차이도 매우 크다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제39권1호
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• pp.49-57
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• 2002

이 논문에서는 패키지 인덕턴스를 고려한 다중 단자에서의 전도성 실리콘 기판에서의 커플링을 모델링하고 정량적으로 특성화한다. 이것을 위해 2단자 커플링 모델로부터 추출할 수 있는 모델 파라미터를 일반적인 구조에 적용할 수 있도록 개선하였다. 그리고 다중 단자의 노이즈 소스에 의한 기판 커플링 특성을 위해 기판의 주파수 의존적인 특성을 정확히 반영하는 2단자 기판 커플링 모델을 선형적으로 결합함으로써 일반적인 구조에 적용될 수 있도록 확장하였다. 또한 패키지 인덕턴스는 시스템의 특성 주파수를 높은 주파수 영역으로 이동시킴으로써 결과적으로 기판 커플링을 증가시키므로 정확한 분석이 요구된다. 따라서 기판 커플링 모델에 패키지 인덕턴스 성분을 추가하고 이를 정량적으로 분석함으로써 설계 초기 단계에서 패키지의 영향과 기판 커플링의 영향을 동시에 고려한 회로 성능 분석이 가능하도록 하였다. 그러므로 이 논문에서 제안한 방법은 복잡한 혼성 신호 회로의 성능 분석에 매우 유용하게 이용될 수 있다.

• Journal of Magnetics
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• 제3권2호
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• pp.64-67
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• 1998

Microwave absorbing properties of ferrite-epoxy composite (absorbing layer) attached on the carbon fiber polymer composite (reflective substrate) are analyzed on the basis of wave propagation theory. A modified equation for wave-impedance-matching at the front surface of absorbing layer including the effect of electrical properties of the quasi-conducting substrate is proposed. Based on this analysis, the frequency and layer dimension that produce zero-reflection can be estimated from the intrinsic material properties of the obsorbing layer and the substrate. It is demonstrated that the microwave reflectivity of carbon fiber composite has a strong influence on the microwave absorbance of front magnetic layer.

• 대한전자공학회논문지
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• 제27권6호
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• pp.895-900
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• 1990

With the MOS device scailing down, the substrate concentration must increase in order to avoid punchthrough leakage current due to the DIBL(Drain Induced Barrier Lowering) effect. However the enhancement of the substrate concentration increases source, drain juntion capacitances and substrate current due to hot elelctron, degrading the speed characteristics and reliability of the MOS devices. In this paper, a new device, called CODE(Channel Only Dopant Enhancement) MOS, an its fabrication are proposed. By comparing the fabricated CODE MOSFET with the conventional device, the improvements on DIBL, substrate current and source, drain juntion capacitances are realized.