• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 1998년도 하계종합학술대회논문집
• /
• pp.409-412
• /
• 1998

BCl/sub 3/ 및 Cl/sub 2/ 반응가스를 사용하여 RIE 장치로 GaN의 건식식각을 연구하였다. RF 전력, 반응가스의 유량 및 반응가스의 혼합비 등의 변화에 따른 최적의 식각공정 조건 및 결합특성을 연구하였다. RF 전력에 따른 GaN의 식각율은 챔버압력 25mTorr, BCl/sub 3/ 유량 40 sccm의 조건에서 RF 전력이 100W일때 17nm/min을 얻었다. BCl/sub 3/의 유량에 따른 식각율은 RF 전력 100W 챔버압력 20mTorr, Cl/sub 2/ 유량 5sccm의 조건에서 BCl/sub 3/ 유량이 40 sccm일때 65nm/min을 얻었다. Cl/sub 2//BCl/sub 3/ 혼합가스 비율에 따른 식각율은 Cl/sub 2/ 유량을 5sccm으로 고정하고 BCl/sub 3/ 유량을 변화시켰을때 RF 전력 100W 및 챔버압력 20mTorr의 조건에서 혼합비가 0.25일때 50nm/min을 얻었다. RF 전력에 따른 PR의 식각율은 챔버압력 25mTorr, Cl/sub 2/ 유량 0 sccm 및 BCl/sub 3/ 유량 40 sccm의 조건에서 RF 전려이 100W일때 15nm/min을 얻었다. 또한, 챔버압력 20mTorr, Cl/sub 2/ 유량 5 sccm 및 BCl/sub 3/ 유량 20sccm의 조건에서 RF 전력이 100W 일때 82nm/min을 얻었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2000년도 춘계학술대회 논문집 전자세라믹스 센서 및 박막재료 반도체재료 일렉트렛트 및 응용기술
• /
• pp.180-183
• /
• 2000

Beginning with a brief introduction on near 100 nm or below CMOS devices, this paper addresses novel devices for future sub-100 nm CMOS. First, key issues such as gate materials, gate dielectric, source/drain, and channel in Si bulk CMOS devices are considered. CMOS devices with different channel doping and structure are introduced by explaining a figure of merit. Finally, novel device structures such as SOI, SiGe, and double-gate devices will be discussed for possible candidates for sub-100 nm CMOS.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제6권1호
• /
• pp.38-42
• /
• 2006

We report 1/f noise PSD(Power Spectrum Density) of sub-100 nm MOSFETs as a function of various parameters such as HCS (Hot Carrier Stress), bias condition, temperature, device size and types of MOSFETs. The noise spectra of sub-100 nm devices showed Lorentzian-like noise spectra. We could check roughly the position of a dominant noise source by changing $V_{DS}$. With increasing measurement temperature, the 1/f noise PSD of 50 nm PMOS device decreases, but there is no decrease in the noise of NMOS device. RTN (Random Telegraph Noise) was measured from the device that shows clearly a Lorentzian-like noise spectrum in 1/f noise spectrum.

• 한국표면공학회지
• /
• 제56권3호
• /
• pp.201-207
• /
• 2023

Eu³⁺-doped SnO² (SnO²:Eu³⁺) phosphor thin films were grown on quartz substrates by radio-frequency magnetron sputtering. The deposition temperature was varied from 100 to 400 ℃. The X-ray diffraction patterns showed that all the thin films had two mixed phases of SnO₂ and Eu₂Sn₂O₇. The 880 nmthick SnO²:Eu³⁺ thin film grown at 100 ℃ exhibited numerous pebble-shaped particles. The excitation spectra of SnO²:Eu³⁺ thin films consisted of a strong and broad peak at 312 nm in the vicinity from 250 to 350 nm owing to the O^2--Eu3+ charge transfer band, irrespective of deposition temperature. Upon 312 nm excitation, the SnO²:Eu³⁺ thin films showed a main emission peak at 592 nm arising from the ⁵D₀→⁷F₁ transition and a weak 615 nm red band originating from the ⁵D₀→⁷F₂ transition of Eu³⁺. As the deposition temperature increased, the emission intensities of two bands increased rapidly, approached a maximum at 100 ℃, and then decreased slowly at 400 ℃. The thin film deposited at 200 ℃ exhibited a band gap energy of 3.81 eV and an average transmittance of 73.7% in the wavelength range of 500-1100 nm. These results indicate that the luminescent intensity of SnO²:Eu³⁺ thin films can be controlled by changing the deposition temperature.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제40권7호
• /
• pp.709-714
• /
• 2003

에틸렌글리콜을 용매로 하여 용매열 합성으로 20$0^{\circ}C$에서 3-5시간 반응시킨 후 1000-140$0^{\circ}C$에서 2-4시간동안 대기 중에서 열처리 과정으로 Eu가 도핑된 $Y_2$ $O_3$ 나노 입자는 제조되었다. 100$0^{\circ}C$에서 열처리한 결정의 X-선 회절패턴은 보고되어진 데이터(JCPDS 카드파일 41-1105, a=10.6041 $\AA$)와 거의 일치하는 격자상수 a=10.5856 $\AA$으로 순수한 큐빅 $Y_2$ $O_3$ 상을 나타내었다. 제조된 적색 형광체의 평균입자의 크기는 대략 100 nm로 구형의 형태를 가진다 열처리 온도가 증가함에 따라 형광체 입자의 크기가 감소하였고, 열처리 온도가 증가함에 따라 형광체의 발광 세기가 증가하였다. PL 스펙트럼 분석을 통해 Eu의 농도가 3 ㏖% 도핑된 $Y_2$ $O_3$은 250 nm 파장에서 여기 스펙트럼을 나타내었고 611 nm 파장에서 주발광 스펙트럼을 나타내었다.

• 한국표면공학회지
• /
• 제55권6호
• /
• pp.353-362
• /
• 2022

Recently, transmittance of photomasks for ultra-violet (UV) region is getting more important, as the light source wavelength of an exposure process is shortened due to the demand for technologies about high integration and miniaturization of devices. Meanwhile, such problems can occur as damages or the reduction of yield of photomask as electrostatic damage (ESD) occurs in the weak parts due to the accumulation of static electricity and the electric charge on chromium metal layers which are light shielding layers, caused by the repeated contacts and the peeling off between the photomask and the substrate during the exposure process. Accordingly, there have been studies to improve transmittance and antistatic performance through various functional coatings on the photomask surface. In the present study, we manufactured antireflection films of Nb₂O₅, | SiO₂ structure and antistatic films of ITO designed on 100 × 100 × 3 mmt sodalime glass by DC magnetron sputtering system so that photomask can maintain high transmittance at I-line (365 nm). ITO thin film deposited using In/Sn (10 wt.%) on sodalime glass was optimized to be 10 nm-thick, 3.0 × 103 𝛺/☐ sheet resistance, and about 80% transmittance, which was relatively low transmittance because of the absorption properties of ITO thin film. High average transmittance of 91.45% was obtained from a double side antireflection and antistatic thin films structure of Nb₂O₅ 64 nm | SiO₂ 41 nm | sodalime glass | ITO 10 nm | Nb₂O₅ 64 nm | SiO₂ 41 nm.

• 한국자기학회지
• /
• 제17권6호
• /
• pp.221-225
• /
• 2007

[ $Co_{73}Pt_{27}-TiO_2$ ] 수직자기 기록매체에 대해 집속이온빔(FIB)을 이용한 $Ga^+$ 이온 조사에 따른 자기적 특성의 변화를 조사하였다. $Ga^+$ 이온 도즈량을 $1\times10^{15}ions/cm^2$에서 $30\times10^{15}ions/cm^2$까지 증가시켰을 때 도즈량 $20\times10^{15}ions/cm^2$ 이상에서 수직자기이방성 및 강자성 특성이 사라지는 것이 관찰되었으며, 이는 스퍼터링 효과에 따른 수직자기 기록층의 두께 감소보다는 $Ga^+$ 이온 주입에 따른 수직자기 기록매체내의 조성 분포의 변화에 따른 것으로 보인다. $Ga^+$ 이온 조사법을 이용하며 $70\times70nm^2,\;100\times100nm^2$ 크기의 자기구조체 패턴을 형성하였다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제28권2호
• /
• pp.69-73
• /
• 2018

$100^{\circ}C$에서 0.03 M $FeCl_3$ 용액을 이용하여 수열법으로 제조한 80~90 nm의 ${\alpha}-Fe_2O_3$ 나노크기 입자의 결정 성장이 유연 frit 및 무연 frit에서 조사되었다. 두 종류의 frit 내에 있는 나노사이즈 ${\alpha}-Fe_2O_3$ 입자를 $800^{\circ}C$로 가열하였고 frit 내의 ${\alpha}-Fe_2O_3$ 입자의 평균 입경이 각각 200~210 nm과 150~160로 증가했다. 또한 ${\alpha}-Fe_2O_3$의 응집과 소결로 인해 결정 성장이 촉진된다는 사실도 확인되었다. 직경이 100 nm를 초과하는 큰 입자의 형성 비는 무연 frit에서 54 %, Pb가 함유된 유연 frit에서는 85 %였다. $800^{\circ}C$에서 frits 내에 있는 ${\alpha}-Fe_2O_3$ 입자를 가열함으로써, 평균 직경 7~9 nm의 기공이 ${\alpha}-Fe_2O_3$ 입자 내에 형성되었다. 이들 기공은 원래의 ${\alpha}-Fe_2O_3$ 입자 내의 한층 더 미세한 기공들로 구성된 다공성 구조에서 유래되었고, 소결 중 이들 미세 기공들은 입자에 갇혀있는 상태에서 서로 결합하여 7~9 nm의 기공 크기로 성장하였다.

• 한국재료학회지
• /
• 제30권7호
• /
• pp.338-342
• /
• 2020

Tin oxide (SnO₂) nanocrystals are synthesized by a thermal evaporation method using a mixture of SnO₂ and Mg powders. The synthesis process is performed in air at atmospheric pressure, which makes the process very simple. Nanocrystals with a belt shape start to form at 900 ℃ lower than the melting point of SnO₂. As the synthesis temperature increases to 1,100 ℃, the quantity of nanocrystals increases. The size of the nanocrystals did not change with increasing temperature. When SnO₂ powder without Mg powder is used as the source material, no nanocrystals are synthesized even at 1,100 ℃, indicating that Mg plays an important role in the formation of the SnO₂ nanocrystals at temperatures as low as 900 ℃. X-ray diffraction analysis shows that the SnO₂ nanocrystals have a rutile crystal structure. The belt-shaped SnO₂ nanocrystals have a width of 300~800 nm, a thickness of 50 nm, and a length of several tens of micrometers. A strong blue emission peak centered at 410 nm is observed in the cathodoluminescence spectra of the belt-shaped SnO₂ nanocrystals.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제25권1호
• /
• pp.33-36
• /
• 2012

In this study, the thickness effects of $Al_2O_3$ layer on the sensing properties of $SiO_2/Al_2O_3$ (OA) stacked membrane were investigated using electrolyte-insulator-semiconductor (EIS) structure for high quality pH sensor. The $Al_2O_3$ layers with a respective thickness of 5 nm, 15 nm, 23 nm, 50 nm, and 100 nm were deposited on the 5-nm-thick $SiO_2$ layers. The electrical characteristics and sensing properties of each OA membranes were investigated using metal-insulator-semiconductor (MIS) and EIS devices, respectively. As a result, the OA stacked membrane with 23-nm-thick $Al_2O_3$ layer shows the excellent characteristics as a sensing membrane of EIS sensor, which can enhance the signal to noise ratio.