• 한국CDE학회논문집
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• 제1권2호
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• pp.87-96
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• 1996

IGES is a file format which has gained widespread use but has certain limitations such as limited information coverage and ambiguous definitions. In order to overcome the limitations of existing neutral file formats, STEP has been developed as a more comprehensive mechanism for product data exchange by ISO. This paper describes a file translation system between IGES and STEP. In this system, three EXPRESS schemata are defined for IGES, STEP and the translation relationship between IGES and STEP. Object codes are generated from the schemata and linked with file access libraries to IGES and STEP files. The translation was verified by visualization and reverse translation. The system developed in this study can easily applied to translate other file formats because the file structure and translation relationship are defined in EXPRESS - a high level information modeling language.

• 한국세라믹학회지
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• 제31권8호
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• pp.927-933
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• 1994

Alumina composite membranes were prepared by chemical vapor deposition (CVD) using aluminum-tri-isopropoxide as a precursor. Porous alumina supports were used in deposition, which were in disk shape with mean pore diameter of 0.1 ${\mu}{\textrm}{m}$ and prepared by slip-coasting process. film deposition morphology on porous support was simulated through depositing alumina film on polycrystalline silicon pattern, and its step coverage observed by SEM showed one deviated from uniform step coverage. N2 permeability through composite membranes and the pressure dependence decreased as the deposition time increased. Initially, the N2 permeability of the top layer was tend to decrease rapidly, and then the degree of decrease in N2 permeability was tend to diminish with deposition time. The N2 permeability increased with heat treatment temperature and the crack was generated in top layer at 100$0^{\circ}C$.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.169-169
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• 2003

실리콘 절연막은 반도체 및 디스플레이 소자의 gate 절연막과 보호막으로, 그리고 배선공정에서는 층간절연막(ILD, Inter Layer Dielectric)으로 사용하는데, 주로 IPCVD, PECVD, APCVD법에 의하여 증착되고 있다. 그러나 이러한 방법들은 반도체 소자의 고집적화가 진행됨에 따라 증착온도와 step coverage 및 물성 이 문제점으로 대두되고 있다. 이러한 문제점들을 해결할 수 있는 원자층 증착(ALD, Atomic Layer Deposition)기술은 기판 표면에서의 self-limiting reaction을 통해 매우 얇은 박막을 형성할 수 있고, 두께 및 조성 제어를 정확히 할 수 있으며, 복잡한 형상의 기판에서도 우수한 step coverage를 얻을 수 있어 초미세패턴의 형성과 매우 얇은 두께에서 균일한 물리적, 전기적 특성이 요구되는 초미세 반도체 공정에 적합하다. 또 저온에서 증착이 가능해 유리를 기판으로 사용하는 TFT-LCD소자의 gate 절연막에 적용이 가능하다.

• 전자공학회논문지A
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• 제29A권9호
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• pp.15-19
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• 1992

Tungsten silicied (WSix) has been widely used for interconnection line to improve the speed and reliability of devices. It is known that WSix formed by silane reduction has poor step coverage and poor adhesion. In this research, WSix by dichlorosilane reduction showed excellent adhesion in cellophane adhesive tape test, and improved step coverage by two times. The crystal structure of the as-deposited WSix film by silane reduction was transformed from the hexagonal to the tetragonal structure during annealing treatment, while that by dichlorosilane reduction kept the stable tetragonal structure. The fluorine concentration in the WSix film by dichlorosilane was lower than that by silane.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.207-207
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• 2010

휴대용 기기의 사용이 증가하면서 전지의 고용량화와 소형화가 요구되고 있다. 특히 의료용 센서 기기에서는 소형화가 매우 중요하며 인체에 해로운 물질로 구성되지 않는 것이 바람직하다. 최근 고체전해질을 사용하는 마이크로 배터리가 개발되고 있으나, 에너지 저장용량이 작아 응용분야가 제한적이다. Silicon wafer 위에 형성된 고단차의 3차원 박막 배터리를 형성한다면 표면적 증가에 의해 에너지 저장용량 역시 크게 증가할 것이다. 따라서 고단차의 3차원 구조위에 confomal한 박막을 형성하기 위해서는 기존 물리증착방법과는 달리 새로운 step coverage가 우수한 박막증착법이 필요하다. 본 연구에서는 atomic layer deposition(ALD)으로 박막 배터리의 cathode 물질인 $LiCoO_2$를 증착하기 위한 기초연구로서 cobalt oxide 박막의 ALD 공정을 연구하였다. Cobalt +2가 전구체와 $O_3$를 교대로 공급하여 박막을 증착하고 그 박막의 물리적, 화학적, 전기적 특성을 조사하였다. 이를 통해 exposure와 기판온도가 박막의 특성에 미치는 영향을 고찰하였다. 또한 pattern wafer위에 박막을 증착하여 step coverage를 조사하였다.

• 로봇학회논문지
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• 제16권2호
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• pp.122-129
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• 2021

For the Simultaneous Localization and Mapping (SLAM) problem, a different path results in different SLAM results. Usually, SLAM follows a trail of input data. Active SLAM, which determines where to sense for the next step, can suggest a better path for a better SLAM result during the data acquisition step. In this paper, we will use reinforcement learning to find where to perceive. By assigning entire target area coverage to a goal and uncertainty as a negative reward, the reinforcement learning network finds an optimal path to minimize trajectory uncertainty and maximize map coverage. However, most active SLAM researches are performed in indoor or aerial environments where robots can move in every direction. In the urban environment, vehicles only can move following road structure and traffic rules. Graph structure can efficiently express road environment, considering crossroads and streets as nodes and edges, respectively. In this paper, we propose a novel method to find optimal SLAM path using graph structure and reinforcement learning technique.

• 대한심미치과학회지
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• 제26권1호
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• pp.4-16
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• 2017

현대의 치과 치료에서는 환자들의 심미적 요구도가 점점 높아지고 있다. 그리고, 이러한 심미 치과 영역에서 치은을 비롯한 연조직이 차지하는 비중은 매우 크다고 할 수 있다. 자연치나 임플란트 주위 조직을 분명히 이해하고 적절한 치료를 해줌으로써 환자들의 요구도를 만족시킬 수 있을 것이다. 연조직 부위의 심미를 pink esthetic이라고도 하는데, 이 pink esthetic에서 가장 중요한 영향을 미치는 것이 치은선이라고 할 수 있다. 이 치은선은 순측 치은의 높이, 치간유두의 높이, 그리고 이 둘을 잇는 자연스러운 곡선으로 구성되어 있다. 자연치에서 치은 퇴축이 발생한 경우, 순측 치은의 높이를 비롯한 자연스러운 치은선이 치근쪽으로 이동하게 되고, 더 많은 치아의 치근 부위가 노출되게 되어 비심미적인 모습을 보이게 된다. Root coverage technique(치근피개술)은 자연치의 치은 퇴축(marginal tissue recession)을 치료하기 위해서 오랜 기간동안 사용되어 왔던 술식으로, 치주 성형수술 영역에서는 대표적인 술식중의 하나라고 할 수 있다. 최근에는 임플란트 술식이 매우 보편화되었는데, 그만큼 임플란트의 부작용 또한 급증하고 있다고 할수 있다. 전치부 영역에서 임플란트의 부작용은 자주 심미적인 문제를 동반하게 된다. 기존의 전통적인 root coverage technique은 이러한 치과 임플란트 영역의 심미적 문제의 해결을 위해 많이 사용되고 응용되고 있다. 현재 우리나라의 대다수의 치과에서 임플란트 치료가 시행되고 있는 현실을 생각한다면 그 심미적 부작용의 극복을 위해, root coverage technique을 비롯한 연조직 처치를 숙지하는 것은 매우 유용하다고 할 수 있을 것이다. 이번 글에서는 대표적인 치근 피개술식들을 간단하게 살펴볼 것이며, 더 좋은 심미적 결과를 위한 단계별 고려사항들에 대해서 다뤄보려고 한다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2002년도 춘계 학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.61-61
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• 2002

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1997년도 한국재료학회 추계학술발표회
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• pp.36-36
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• 1997

• 한국진공학회지
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• 제2권4호
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• pp.474-479
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• 1993

Submicron contact hole filling with aluminum alloys has been achieved with a multistep metallization method, which utilizes a metal " flow" or self-diffusion process at elevated temperatures after the metal was sputter-deposited. A multi-chamber, modular sputtering system was employed to deposit aluminum alloys and subsequently to anneal the deposited metal films under vacuum at high temperatures. The film were deposited on 200 mm wafers with planar, dc magnetron sputtering sources without anysubstrate bias. The basic process steps studied for the multistep metallization include an initial layer deposition at low temperatures less than $100^{\circ}C$, and an annealin gstep at elevated temperatures, between 450 and $550^{\circ}C$. The degree of planarization or step coverage was dependent strongly upon the temperature and time of the flow step and complete filling of the submicron contacts with aluminum alloys was achieved. Responsible mechanisms for the enhancement in step coverge and factros determining uniform and reproducible flow of aluminum alloys during the high temperauture step are discussed.discussed.