In this work, we report a delta rosette strain sensor based on highly stretchable silver nanowire (AgNW) percolation piezoresistors. The proposed rosette strain sensors were easily prepared by a facile two-step fabrication route. First, three identical AgNW piezoresistive electrodes were patterned in a simple and precise manner on a donor film using a solution-processed drop-coating of the AgNWs in conjunction with a tape-type shadow mask. The patterned AgNW electrodes were then entirely transferred to an elastomeric substrate while embedding them in the polymer matrix. The fabricated stretchable AgNW piezoresistors could be operated at up to 20% strain without electrical or mechanical failure, showing a maximum gauge factor as high as 5.3, low hysteresis, and high linearity ($r^2{\approx}0.996$). Moreover, the sensor responses were also found to be highly stable and reversible even under repeated strain loading/unloading for up to 1000 cycles at a maximum tensile strain of 20%, mainly due to the mechanical stability of the AgNW/elastomer composites. In addition, both the magnitude and direction of the principal strain could be precisely characterized by configuring three identical AgNW piezoresistors in a delta rosette form, representing the potential for employing the devices as a multidimensional strain sensor in various practical applications.
Metal nanowires can be coated on various substrates to create transparent conducting films that can potentially replace the dominant transparent conductor, indium tin oxide, in displays, solar cells, organic light-emitting diodes, and electrochromic windows. One issue with these metal nanowire based transparent conductive films is that the resistance between the nanowires is still high because of their low aspect ratio. Here, we demonstrate high-performance transparent conductive films with silver nanofiber networks synthesized by a low-cost and scalable electrospinning process followed by two-step sequential thermal treatments. First, the PVP/$AgNO_3$ precursor nanofibers, which have an average diameter of 208 nm and are several thousands of micrometers in length, were synthesized by the electrospinning process. The thermal behavior and the phase and morphology evolution in the thermal treatment processes were systematically investigated to determine the thermal treatment atmosphere and temperature. PVP/$AgNO_3$ nanofibers were transformed stepwise into PVP/Ag and Ag nanofibers by two-step sequential thermal treatments (i.e., $150^{\circ}C$ in $H_2$ for 0.5 h and $300^{\circ}C$ in Ar for 3 h); however, the fibrous shape was perfectly maintained. The silver nanofibers have ultrahigh aspect ratios of up to 10000 and a small average diameter of 142 nm; they also have fused crossing points with ultra-low junction resistances, which result in high transmittance at low sheet resistance.
Parida, Bhaskar;Choi, Jaeho;Palei, Srikanta;Kim, Keunjoo;Kwak, Seung Jong
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제16권4호
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pp.212-220
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2015
We investigated nanotextured Si solar cells using the silver-assisted chemical etching process. The nanotexturing process is very sensitive to the concentration of chemical etching solution. The high concentration process results in a nanowire formation for the nanosurfaces and causes severe surface damage to the top region of the micropyramids. These nanowires show excellent light absorption in photoreflectance spectra and radiative light emission in photoluminescence spectra. However, the low concentration process forms a nano-roughened surface and provides high minority carrier lifetimes. The nano-roughened surfaces of the samples show the improved electrical cell properties of quantum efficiency, conversion efficiency, and cell fill factor due to the reduction in the formation of the over-doped dead layer.
Single-crystalline silicon nanowires (SiNWs) were fabricated by using an electroless metal-assisted etching of bulk silicon wafers with silver nanoparticles obtained by wet electroless deposition. The etching of SiNWs is based on sequential treatment in aqueous solutions of silver nitrate followed by hydrofluoric acid and hydrogen peroxide. SEM observation shows that well-aligned nanowire arrays perpendicular to the surface of the Si substrate were produced. Free-standing SiNWs were then obtained using ultrasono-method in toluene. Alkyl-derivatized SiNWs were prepared to prevent the aggregation of SiNWs and obtained from the reaction of SiNWs and dodecene via hydrosilylation. Optical characterizations of SiNWs were achieved by FT-IR spectroscopy and indicated that the surface of SiNWs is terminated with hydrogen for fresh SiNWs and with dodecyl group for dodecyl-derivatized SiNWs, respectively. The main structures of dodecyl-derivatized SiNWs are wires and rods and their thicknesses of rods and wire are typically 150-250 and 10-20 nm, respectively. The morphology and chemical state of dodecyl-derivatized SiNWs are characterized by scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy.
은 나노와이어는 금속 특유의 고전도 특성, 낮은 Percolation threshold 및 고투과 특성을 나타내어 차세대 투명전극 물질로 각광받고 있다. 이를 플렉서블 및 웨어러블 디바이스, 전자피부 디바이스 등과 같은 다양한 분야에 활용하기 위해서는 은 나노와이어 전극을 필요한 형태로 패터닝 하기 위한 기술이 필수적으로 요구된다. 일반적으로, 은 나노와이어를 패터닝하기 위한 공법으로는 포토리소그래피 및 에칭, 프린팅, 레이저 Ablation 등을 들 수 있으나, 이러한 패터닝 기술들은 공정 절차가 복잡하거나 높은 공정 비용 등의 단점이 있다. 이에 본 연구에서는 UV-curable 점착제 기반의 low-cost 은 나노와이어 패터닝 공법을 개발하고자 하였다. 은 나노와이어 네트워크가 형성된 폴리우레탄 필름에 UV 경화형 테이프를 부착하고, UV를 선택적으로 조사한 뒤, 다시 UV 경화형 테이프를 벗겨내는 3단계의 간단한 공정만으로 은 나노와이어 패턴을 성공적으로 형성할 수 있었으며, 간단한 구현 원리 및 분석 결과를 본 논문에서 보고하고자 한다.
Indium tin oxide (ITO) used a transparent electrode of a photoelectric device has a low sheet resistance and a high transmittance. However, ITO is disadvantageous in that the process cost is expensive, and the process time is long. Silver nanowires (AgNWs) transparent electrodes are based on a low cost solution process. In addition, it has attracted attention as a next-generation transparent electrode material that replaces ITO because it has similar electrical and optical characteristic to ITO, it is noted as a. AgNW thin films are mainly produced by spin-coating. However, the spin-coating process has a disadvantage of high material loss. In this study, the material loss was reduced by using about 2~10 ㎕ of AgNW solution on a (25 × 25) ㎟ substrate using the shear-coating method. It was also possible to align AgNWs in the drag direction by dragging the meniscus of the solution. The electro-optical properties of the AgNW thin film were adjusted by changing the experimental parameters that the amount of AgNWs suspension, the gap between the substrate and the blade, and the coating speed. As a result, AgNW thin films with a transmittance of 90.7 % at a wavelength of 550 nm and a sheet resistance of 15 Ω/□ was deposited and exhibited similar properties to similar AgNW transparent electrodes studied by other researchers.
In this study, nanofiber-based textile sensors were developed for motion detection and monitoring. Poly(vinylidene fluoride) (PVDF) nanofibers containing zinc oxide (ZnO) nanoparticles and silver nanowires (AgNW) were fabricated using electrospinning. PVDF was chosen as a piezoelectric polymer, zinc oxide as a piezoelectric ceramic, and AgNW as a metal to improve electric conductivity. The PVDF/ZnO/AgNW nanocomposite fibers were used to develop a textile sensor, which was then incorporated into an elbow band to develop a wearable smart band. Changes in the output voltage and peak-to-peak voltage (Vp-p) generated by the joint's flexion and extension were investigated using a dummy elbow. The β-phase crystallinity of pure PVDF nanofibers was 58% when analyzed using Fourier transform infrared spectroscopy; however, the β-phase crystallinity increased to 70% in PVDF nanofibers containing ZnO and to 78% in PVDF nanocomposite fibers containing both ZnO and AgNW. The textile sensor's output voltage values varied with joint-bending angle; upon increasing the joint angle from 45° to 90° to 150°, the Vp-p value increased from 0.321 Vp-p to 0.542 Vp-p to 0.660 Vp-p respectively. This suggests that the textile sensor can be used to detect and monitor body movements.
본 연구에서는 은 나노와이어를 도포 한 후 온풍을 이용하여 용매를 건조시키는 공정을 진행 후 광학적, 전기적 특성을 평가 하였다. 은 나노와이어를 스포이드로 글라스 위에 도포한 후 약 $120^{\circ}C$의 온도와 17m/s의 풍속을 가진 바람을 30초간 기판에 조사하였으며, 같은 방법으로 1 ~ 3회 반복하여 기판의 전기적, 광학적 특성을 조사 하였다. 그 결과, 550nm에서 3회 반복 도포 시 87.8%의 투과율과 18ohm/sq의 면저항을 가지는 투명 박막을 얻을 수 있었다.
Journal of electromagnetic engineering and science
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제19권2호
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pp.71-81
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2019
This paper presents a design methodology for wideband single-layered microwave absorbers with arbitrary absorption at the design center frequency using reactive Salisbury screens. The bandwidth of the absorber increases when the flatness of the reflection response at the design center frequency is maximized. Based on this observation, closed-form design formulas for wideband absorbers are derived. As they are scalable to any design frequency, wideband reactive screens can be systematically realized using two-dimensional periodic crossed-dipole structures patterned on a resistive sheet. Based on this method, a single-layered absorber with a 90% bandwidth improved to 124% of the design center frequency is presented. For the purpose of physical demonstration, an absorber with a design center frequency of 10 GHz is designed and fabricated using a silver nanowire resistive film with a surface resistance of 30 Ω/square. The measured absorption shows a good agreement with both the calculation and the electromagnetic simulation.
나노 크기의 물질은 여러 기판에 코팅이 가능하며, 이 소재는 투명하며, 전도성이 있기 때문에 전자소자의 투명전극이나 전원 공급용 전극으로 활용이 가능하다. 본 연구에서는 CNT와 Ag 나노와이어를 실크스크린 기법을 이용하여 반복적으로 코팅하였으며, 5번까지 형성한 샘플을 제작하여, 광학 및 전기 특성을 측정하고, 분석하였다. 실크스크린 코팅된 샘플 표면은 코팅 방향에 의한 자국이 형성되었음을 확인하였으며, 코팅한 횟수에 따른 투과도 및 표면 저항의 경향성을 조사하였다. 코팅 횟수가 늘어남에 따라 투과도 및 표면 저항은 감소하는 경향을 나타내었다. 특히 투과도의 경우 2번과 5번에서 변화폭이 컸으며, 이러한 변화는 Ag 나노와이어 코팅에 의한 것으로 확인되었다. 또한, 700nm를 기점으로 이전 파장 영역에서는 파장에 따라 증가하는 반면 이상에서는 감소하는 경향을 보였다. 표면 저항은 1번 코팅했을 때 9Ω/cm2 에서 5번 코팅을 진행하였을 때 0.856Ω/cm2 으로 낮아졌다. 투과도와 유사하게 Ag에 의하여 저항값이 영향을 받는다는 것을 알 수 있었다. 향후 Ag 나노와이어의 Ag 농도 및 다른 방법으로 코팅하여 투명도가 높은 CNT와의 융합을 통하여 원하는 투명 전극을 구현하여 전자소자에 적용할 필요가 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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