We synthesized silicon carbide (${\beta}-SiC$) nanowires with nano-scale diameter (30 - 400 nm) and micro-scale length ($50-200{\mu}m$) on a porous body using low-grade silica and carbon black powder by carbothermal reduction at $1300-1600^{\circ}C$. The SiC nanowires were formed by vapor-liquid-solid deposition with self-evaporated Fe catalysts in low-grade silica. We investigated the characteristics of the SiC nanowires, which were grown on a porous body with Ar flowing in a vacuum furnace. Their structural, optical, and electrical properties were analyzed with X-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM), and selective area electron diffraction (SAED). We obtained high-quality SiC single crystalline nanowire without stacking faults that may have uses in industrial applications.
${\beta}$-silicon carbides with yttrium aluminum garnet of 2,5,10 mol% were prepared by a liquid--phase sint-ering and the microstructural evolution and phase transformation were investigated during sintering as functions of liquid-phase amount and sintering time. The rate of grain growth decreases with the addition of the amount of yttrium aluminum garnet (YAG) in the SiC starting powder however the apparent density and the aspect ratio of grains in sintered body increase. The phase transformation from ${\beta}$-SiC to ${\alpha}$-SiC were dependent on the liquid-phase amount and sintering time.
Keys to the attainment of tailored properties in SiC ceramics are microstructure control and judicious selection of the sintering additives. In this study, three different strategies for controlling microstructure of liquid-phase-sintered SiC ceramics (LPS-SiC) have been suggested: control of the initial $\alpha-SiC$ content in the starting powder, a seeding technique, and a post-sintering heat treatment. The strategies suggested offer substantial flexibility for producing toughened SiC ceramics whereby grain size, grain size distribution, and aspect ratio can be effectively controlled. The present results suggest that the proposed strategies are suitable for the manufacture of toughened SiC ceramics with improved toughness.
In this study, we investigate the effect of the diffusion barrier and substrate temperature on the length of carbon nanotubes. For synthesizing vertically aligned carbon nanotubes, thermal chemical vapor deposition is used and a substrate with a catalytic layer and a buffer layer is prepared using an e-beam evaporator. The length of the carbon nanotubes synthesized on the catalytic layer/diffusion barrier on the silicon substrate is longer than that without a diffusion barrier because the diffusion barrier prevents generation of silicon carbide from the diffusion of carbon atoms into the silicon substrate. The deposition temperature of the catalyst and alumina are varied from room temperature to $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$, and $250^{\circ}C$. On increasing the substrate temperature on depositing the buffer layer on the silicon substrate, shorter carbon nanotubes are obtained owing to the increased bonding force between the buffer layer and silicon substrate. The reason why different lengths of carbon nanotubes are obtained is that the higher bonding force between the buffer layer and the substrate layer prevents uniformity of catalytic islands for synthesizing carbon nanotubes.
Silicon carbide powder was prepared from mixtures of Sangdong silica sand and carbon black by SHS (Self propagating High temperature Synthesis) method which utilizes magnesiothermic reduction of silica. In the powder preparation process, the reacted powder was leached by chloric acid to remove the magnesium oxide and was subsequently roasted to remove free carbon. The impurities were mostly eliminated by hot acid treatment. The resultant SiC powder showed the mean particle size of 0.22 ${\mu}{\textrm}{m}$ and the specific surface area of $66.55 m^2/g$. The SiC powder was mixed with 1 wt% of boron and of carbon to increase densification rate. The mixed powder was pressed and sintered pressurelessly at $2100^{\circ}C$ for 30 min in argon gas. The sintered body showed the hardness of $2550 kg{\cdot}f/mm^2$ and the fracture toughness, KIC of $3.47 MN/m^{3/2}$.
Waste SiC powders obtained from silicon wafer sludge have very low density and a narrow particle size distribution of $10-20{\mu}m$. A scarce yield of C and Si is expected when SiC powders are incorporated into the Fe melt without briquetting. Here, the briquetting variables of the SiC powders are studied as a function of the sintering temperature, pressure, and type and contents of the binders to improve the yield. It is experimentally confirmed that Si and C from the sintered briquette can be incorporated effectively into the Fe melt when the waste SiC powders milled for 30 min with 20 wt.% Fe binder are sintered at $1100^{\circ}C$ upon compaction using a pressure of 250 MPa. XRF-WDS analysis shows that an yield of about 90% is obtained when the SiC briquette is kept in the Fe melt at $1650^{\circ}C$ for more than 1 h.
SiC-Si3N4 composites were prepared by mixing $\alpha$-Si3N4 powder to $\alpha$-SiC powder in the range of 10 to 30 vol% with 10vol% interval. 6wg% Al2O3 and 6wt% Y2O3 were respectively added as sintering aids. Hot pressing was performed at 1,80$0^{\circ}C$ for 1 hour with 25 MPa pressure. In the case of adding 20vol% of $\alpha$-Si3N4 powder the relative density to theoretical value and the flexural strength were 99.1% and 34,420 MPa respectively and the worn amount was 2.09$\times$10-3 mm2 which were the highest values in the all range of he composition. Although the composite containig 10 vol% of $\alpha$-Si3N4 powder showed the highest fracture toughness(KIC) of 4.65MN/m3/2 the reduction of the wear resistance in this composite is likely to be affected by the homogeneity and the uniformity of the grain coalescence and growth during the sintering process.
The conversion of carbon preforms to dense SiC by liquid infiltration is a prospectively low-cost and reliable method of forming SiC-Si composites with complex shapes and high densities. Si powder was coated on top of a 2.0wt.% Y2O3-added carbon preform, and reaction bonded silicon carbide (RBSC) was prepared by infiltrating molten Si at 1,450℃ for 1-8 h. Reactive sintering of the Y2O3-free carbon preform caused Si to be pushed to one side, thereby forming cracking defects. However, when prepared from the Y2O3-added carbon preform, a SiC-Si composite in which Si is homogeneously distributed in the SiC matrix without cracking can be produced. Using the Si + C → SiC reaction at 1,450℃, 3C and 6H SiC phases, crystalline Si, and Y2O3 were generated based on XRD analysis, without the appearance of graphite. The RBSC prepared from the Y2O3-added carbon preform was densified by increasing the density and decreasing the porosity as the holding time increased at 1,450℃. Dense RBSC, which was reaction sintered at 1,450℃ for 4 h from the 2.0wt.% Y2O3-added carbon preform, had an apparent porosity of 0.11% and a relative density of 96.8%.
Proceedings of the Korean Society for Technology of Plasticity Conference
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2008.05a
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pp.488-490
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2008
This study aims to design the high-capacity vol-oxidizer using simulated fuels instead of spent nuclear fuels. Simulated fuels are fabricated by blending tungsten powder with silicon carbide powder, and thereafter, paraffin coating covers simulated fuels to increase their strength. An oxidation experiment using simulated fuels have been carried out in order to analyze oxidation characteristics similar to spent fuels. After oxidation, simulated fuels were almost oxidized to be powders. Increased volume of simulated fuels approached to spent fuels. These results can be utilized as important informations for designing a high-capacity vol-oxidizer.
${\alpha}-SiC$ powder with or without the addition of 0.1 wt% of large ${\alpha}-SiC$ partices(seeds) was pressureless-sintered at $1950^{\circ}C$ for 0.5, 2, and 4 h using $Y_3Al_5 O_{12}$ (yttrium aluminum garnet, YAG) as a sintering aid. The materials without seeds had an equiaxed grain struture. In contrast, the materials with seeds sintered for 2 and 4 h had a duplex microstructure with large elongated grains and amall equiaxed grains. Addition of large ${\alpha}-SiC$ seeds into ${\alpha}-SiC$ accelerated the grain growth of some ${\alpha}-SiC$ grains during sintering and resulted in the increased fracture toughness of the sintered materials. The fracture toughnesses of materials with or without seeds sintered for 4 h were 6.6 and $5.2 MPa \;m^{12}$, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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