• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 학술대회 논문집 전문대학교육위원
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• pp.165-168
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• 2005

In this paper, we examined channel charge which occurs in electron accumulation after electron velocity saturation. Generally, short gate GaAs MESFET show, saturated electron velocity leading to current satulation. When electron velocity is saturated, deletion layer is still open channel and it plays a key role in deciding saturation current mode we proposed channel charge model in channel after electron velocity saturation.

• 전자공학회논문지
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• 제50권9호
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• pp.55-59
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• 2013

Sub-$0.1{\mu}m$로 스케일이 감소함에 따라 기생 저항 효과가 크게 발생되는 dc Ids 측정 데이터 없이 측정 S-파라미터로부터 얻어진 RF Ids를 사용하여 벌크 MOSFET의 포화영역에서 게이트 전압 종속 유효 캐리어 속도를 추출하는 새로운 방법이 개발되었다. 이 방법은 바이어스 종속 기생 게이트-소스 캐패시턴스와 유효 채널 길이의 복잡한 추출 없이 포화영역의 유효 캐리어 속도를 추출할 수 있게 한다. 이러한 RF 기술을 사용하여 벌크 포화 속도를 초과하는 전자 속도 overshoot 현상이 $0.065{\mu}m$ 게이트 길이의 벌크 N-MOSFET에서 관찰되었다.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권1호
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• pp.54-60
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• 1994

In this paper, we present the analytical models for the change of the lateral electric field distribution and the velocity saturation region length with the electron trapping of stressed SC-PMOSFET in the saturation region. To derive the hot-electron-induced lateral electric field of stressed SC-PMOSFET. Ko's pseudo two dimensional box model in the saturation region which illustrates the analysis of the velocity saturation region is modified under the condition of electron trapping in the oxide near the drain region. From the results, we have the following lateral electric field in the y-direction, that is, E(y) ES1satT.cosh(y/l) qNS1tT.sinh(y/l)/lCox. It is shown that the trapped electrons influence the field in the drain region. decreasing the lateral electric field. Calculated velocity saturaion length increases with the trapped electrons. increasing the drain current of stressed SCPMOSFET. This results well explain the HEIP phenomenon of PMOSFET's.

• 대한전자공학회논문지
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• 제27권1호
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• pp.74-80
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• 1990

The transconductance of short channel LDD MOSFETs in the saturation region (high Vd)has shown different characteristics from that of conventional device. The transconductance in saturation regime of short channel LDD MOSFETs is reduced from maximum value at higher gate voltage. This decline is analyzed as the velocity saturation effects of carrier at LDD region but accurate analytical expressions for the drain current Idsat and the transconductance Gmsat in the saturation regime are still not in existence. Recently the drain current dependence of parasitic source resistance Rs has been modeled from the velocity saturation of carriers in LDD region. In this study, we approximate that Rmsat that Rs is linearly dependent on the applied gate voltage. Analytical expressions for Idsat and Gmsat obtained from this approximation show the same general behavior as experimental results of short channel LDD NMOSFETs.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
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• pp.52-55
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• 2004

In this paper, we examined channel charge which occurs in electron accumulation after electron velocity saturation. Generally, short gate GaAs MESFET show, saturated electron velocity leading to current salutation. When electron velocity is saturated, deletion layer is stil open channel and it play a key role in deciding saturation current mode we proposed channel charge model in channel after electron velocity saturation.

• 한국지반공학회논문집
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• 제15권3호
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• pp.177-197
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• 1999

암석의 탄성파속도를 측정하는 방법은 암석의 공학적 특성을 나타내는 하나의 지표로서 일반적으로 인식되고 있어서 우리나라에서도 $\lower right quadrant건설\; 표준품셈\upper left quadrant$등의 암판정 기준으로서 보편적으로 사용되고 있다. 그러나 암석의 탄성파속도는 시료의 함수상태에 따라서 크게 변화하는 사실을 충분히 인식하지 못하고 있으므로 본 논문은 한국화강암에서 관찰된 변화특성을 설명한다. 국제 암반역학회에서 추천하고 있는 암석의 탄성파속도 측정방법도 역시 실험상의 어려움이 있는데, 예를 들면 암석시료의 양쪽 끝에서 탄성파가 잘 측정되도록 하기 위하여 사용되는 바셀린이 암석 시료내로 침투하는 경우가 하나의 문제점이고, 또한 암석시료가 함수됨에 따라서 시료의 체적이 팽창하는 경우에도 해석상의 어려움이 있다. 또한 서서히 함수정도를 증가시키는 경우에 암석시료내에서 탄성파속도의 변화를 관찰하여 보면 암석시료내에 존재하는 잔류응력을 파악하는 한 방법으로서도 사용될 수도 있다는 것을 알 수 있다.

• 자연과학논문집
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• 제12권1호
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• pp.49-59
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• 2002

펌프광과 조사광이 공간적으로 떨어져 있는 경우에 포화흡수 분광신호가 지수함수적으로 감소하는 이유를 설명하였다. 수파수 안정화에 이용되는 차동포화흡수 분광신호에서 최대의 신호광에 대한 이론적으로 계산한 결과 최적 각도는 세슘원자는 $1.33^{\circ}$이고, 루비듐$87^{\circ}$은 경우 $1.08^{\circ}$이었으며, 실험결과와 일치하였다.

• 지구물리와물리탐사
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• 제14권1호
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• pp.58-68
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• 2011

전기 및 탄성파 탐사를 이용한 이산화탄소 지중저장의 모니터링의 기초연구로써, 수포화 암석시료에 $CO_2$주입시 비저항과 P파속도를 측정하였다. 암석시료는 Berea사암이며, $CO_2$는 초임계상태 (10 MPa, $40^{\circ}C$)로 주입하였다. 초임계 $CO_2$주입에 의해 비저항의 증가 및 P파속도와 진폭이 감소하였다. P파 속도 토모그램은 암석시료에 주입한 초임계 $CO_2$의 거동양상을 보여주었다. 비저항과 탄성파속도는 $CO_2$거동 모니터링하는데 유용하다. 그러나 P파 속도는 비저항 변화에 비해 $CO_2$포화도가 20% 이상 일때 변화를 보이지 않았다. 비저항으로부터 $CO_2$포화도 예측은 탄성파 속도로부터 $CO_2$포화도 예측의 어려움을 보완할 수 있다. 비저항과 탄성파 속도의 동시측정에 의해 암석시료에 주입한 초입계 $CO_2$ 거동 및 $CO_2$포화도 분포를 예측할 수 있다.

• 한국지반환경공학회 논문집
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• 제7권1호
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• pp.55-66
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• 2006

사질토의 액상화에 대한 저항 강도는 포화도에 상당히 의존한다. 압축파 속도는 현장에서 쉽게 측정이 가능하고 포화도의 영향을 크게 받기 때문에 현장 지반의 포화도를 예측하고자 할 때 효율적으로 사용될 수 있다. 본 논문에서는 시료의 포화가 가능하고 전단파, 압축파 속도 측정 및 비배수 상태에서 비틂전단 시험을 수행시 유발되는 과잉간극수압을 측정할 수 있는 비틂전단 시험기를 개발하였다. 토요라 모래에 대해 전단파, 압축파 속도 측정이 수행되고, 비배수 비틂전단 시험을 실시하였다. 포화도(B값)에 따른 시료의 전단파 속도 및 압축파 속도를 이론식과 비교하여 개발된 시험기를 검증하였으며, 여러 B값에서 비배수 TS 시험동안 유발되는 과잉 간극수압의 변화를 측정 분석하였다.

• 지질공학
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• 제25권3호
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• pp.377-385
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• 2015

본 연구에서는 강우강도에 따른 토층내 포화속도를 산정하기 위하여 모형실험장치를 개발하고 일련의 모형실험을 수행하였다. 모형실험장치는 모형토조, 강우재현장치 및 계측장치로 구성되어 있다. 모형지반(60 cm × 50 cm × 15 cm)은 상대밀도 75%의 주문진 표준사로 조성하였으며, 강우재현장치는 강우강도의 조절이 가능하도록 하였다. 그리고 토층내 강우침투시 깊이별 체적함수비 및 모관흡수력의 변화를 측정하기 위하여 TDR과 Tensiometer를 설치하였다. 모형실험결과 토층의 입도가 균등하고 투수계수가 상대적으로 크므로 강우시 지표면에서 습윤전선이 형성되어 하강하는 것이 아니라 하부 바닥면에서부터 지하수위가 형성되어 상승하면서 포화가 진행되었다. 강우시 토층내 흡입응력의 변화를 살펴본 결과 토층 내에서 체적함수비가 증가함에 따라 흡입응력은 감소하며, 체적함수비가 20-30% 사이에서 흡입응력은 비교적 빠르게 감소하였다. 강우강도와 토층의 평균포화속도를 회귀분석한 결과 강우강도에 따른 평균포화속도는 V_savg (cm/sec) = 0.068I_R (mm/hr)와 같이 제안할 수 있다.