• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1997년도 한국재료학회 추계학술발표회
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• pp.116-116
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• 1997

• 열처리공학회지
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• 제22권3호
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• pp.143-148
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• 2009

We have fabricated Ti metal films on Cu wire substrates by using a RF magnetron sputtering method at different RF powers (0, 30 and 60 W) in a high vacuum, and we have investigated the thin film characteristics and resistivity. The ion bombardment effect is increased by the method to superimpose RF power to DC power applied to two poles of the base; thus, the thin film is deposited at sputtering gas pressures below 1 Pa. Moreover, the thin film formation of the multilayer structure becomes possible by gradually injecting the RF power, and the thin film quality is improved.

• 한국결정성장학회지
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• 제14권5호
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• pp.215-219
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• 2004

ZnO 에피박막을 사파이어 기판의 (0001)면 상에 RF magnetron sputtering 법으로 성장하였다. 박막의 성장속도는 약 0.1~0.2$\mu\textrm{m}$/hr 였으며, 기판온도가 $600^{\circ}C$일 때, 약 400~500nm두께의 단결정상의 박막을 성장할 수 있었다. 성장된 단결정상 박막에 대하여 XRD분석과 TEM을 이용하여 박막의 품질과 미세구조를 평가하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권7호
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• pp.727-732
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• 1996

In the present paper, the Cu films 4.mu.m thick were deposited by RF magnetron sputtering method on Si wafer. The Cu films deposited at a condition of 100W, 10mtorr exhibited a low electrical resistivity of 2.3.mu..ohm..cm and densed microstructure, poor adhesion. The Cu films grown by 200W, 20mtorr showed a good adhesion property and higher electrical resistivity of 7.mu..ohm..cm because of porous columnar microstructure. Therefore, The Cu films were deposited by double layer deposition method using RF magnetron sputtering on Si wafer. The dependence of the electrical resistivity, adhesion, and reflectance in the CU films [C $U_{4-d}$(low resistivity) / C $U_{d}$(high adhesion) / Si-wafer] on the thickness of d has been investigated. The films formed with this deposition methods had the low electrical resistivity of about 2.6.mu..ohm..cm and high adhesion of about 700g/cm.m.m.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제9권1호
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• pp.29-33
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• 2010

Recently, the growth of ZnO thin film on glass substrate has been investigated extensively for transparent thin film transistor. We have studied the phase transition of ZnO thin films from metal to semiconductor by changing RF power in the deposition process by RF magnetron sputtering system. The structural, electric, and optical properties of the ZnO thin films were investigated. The film deposited with 75 watt of RF power showed n-type semiconductor characteristic having suitable resistivity $-3.56\;{\times}\;10^{+1}\;{\Omega}cm$, carrier concentration $-2.8\;{\times}\;10^{17}\;cm^{-3}$, and mobility $-0.613\;cm^2V^{-1}s^{-1}$ while other films by 25, 50, 100 watt of RF power closed to metallic films. From the surface analysis (AFM), the number of crystal grain of ZnO thin film increased as RF power increased. The transmittance of the film was over 88% in the visible region regardless of the change in RF power.

• 한국진공학회지
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• 제20권2호
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• pp.141-145
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• 2011

ZnO:Al 박막을 RF magnetron sputtering 법을 이용하여 초기 압력에 따라 증착하고 박막의 구조적, 광학적, 전기적 특성을 연구하였다. 초기 압력 변화에 의해 ZnO:Al 박막의 특성의 변화를 확인하였고 고품질의 박막을 얻을 수 있었다. 모든 ZnO:Al 박막에서 (002)면의 우선 배향성을 보였으며 가시광선 영역(400~800 nm)에서 85% 이상의 좋은 투과도를 보였다. 초기 압력이 낮아질수록 결정성, 비저항 그리고 성능지수 특성이 향상됨을 확인하였다. 초기 압력에 따른 비저항의 향상은 결정립 크기 변화에 의한 것으로 판단된다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2012년도 추계총회 및 학술대회 논문집
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• pp.172-173
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• 2012

최근 의료산업에서는 동영상 구현이 가능한 직접 방식의 X-선 검측센서에서 X-ray 흡수효율이 좋은 반도체센서와 성숙된 기술. 본 연구에서는 non-alkali 기판에 evaporation 및 RF magnetron sputtering법으로 기판온도를 증가시키며 CdTe막을 증착하였다. 또한, RF magnetron sputtering을 이용하여 상온에서 증착한 CdTe막을 진공 및 대기 중에서 후열처리한 후 미세구조 변화를 관찰하였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2011년도 춘계학술대회 및 Fine pattern PCB 표면 처리 기술 워크샵
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• pp.183-183
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• 2011

TTFT(Transparent TFT)의 유전체로 사용되는 절연층으로 사용이 기대되는 yttrium oxide를 ITO 위에 RF magnetron sputtering법으로 상온 증착하고 구조적 특성을 분석하고 조성 및 표면 상태를 확인하였으며 유전 특성을 분석하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제27권7호
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• pp.458-461
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• 2014

TiC thin films were deposited on Si wafer by unbalanced magnetron sputtering (UBMS) system with two targets of graphite and titanium. During the TiC sputtering, the RF power was varied from 100 W to 175 W and the physical and electrical properties of TiC films were investigated. The hardness and rms surface roughness of TiC films were improved with increasing RF power and the maximum hardness about 24 GPa and the minimum rms surface roughness about 1.2 nm were obtained. The resistivity of TiC films was decreased with increasing RF power. Consequently, the physical and electrical properties of TiC film wewe improved with increasing RF power.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2002년도 춘계 학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.133-133
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• 2002