• 폴리머
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• 제34권6호
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• pp.588-593
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• 2010

실리콘, 게르마늄, 주석이 결합된 7개의 아크릴 단량체가 개발되었고 이를 광경화시킨 필름의 굴절률을 측정하였다. 공단량체로 가교도가 높은 triacrylate(Trimer)를 사용하여 형성된 공중합체의 굴절률로부터 단일중합체의 굴절률을 계산하였다. 공유 결합된 $Ph_3Si$, $Ph_3Ge$, $Ph_3Sn$은 각각 아크릴 고분자 필름의 굴절률을 향상시키는데 기여하였고 주석이 게르마늄에 비해 약간 높은 기여도로 나타났다. 주석에 의한 굴절률 향상 효과는 $Bu_3Sn$을 도입한 결과와 aliphatic acrylate의 비교로 보다 명확하게 입증되었다. 주석과 황의 안정된 결합을 이용하여 $Ph_3SnS$가 도입된 아크릴 고분자의 굴절률은 589 nm에서 1.671로 높게 측정되었다. 측정 파장으로 656, 830, 1310, 1550 nm에서도 비슷한 굴절률이 관찰되었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제14권4호
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• pp.263-269
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• 2010

본 논문에서는 Germanium 및 Germanium과 Boron이 도핑 된 광섬유의 FBG를 이용한 파장가변 형 전광 필터의 고온 특성을 고찰하고, 온도 변화에 대한 파장가변 형 FBG 필터의 반사도, 선폭, 정규화 굴절률 차의 특성 변화를 수치해석을 통해 비교 고찰 하였다. 굴절률 차의 변화에 따른 FBG 필터의 반사 스펙트럼은 온도 안정성에 영향을 받으며, Germanium이 도핑 된 광섬유의 FBG 필터가 Germanium과 Boron이 도핑 된 광섬유의 FBG 필터보다 온도변화에 더 안정성을 가짐을 알 수 있다. 또한 $500^{\circ}C$ 까지의 온도에 대해서는 두 가지 모두 필터로서 온도변화에 안정성을 가짐을 알 수 있다.

• 한국광학회지
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• 제15권2호
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• pp.109-113
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• 2004

광섬유와 평면도파로 결합기의 소산장 결합을 이용하여 디아릴에텐 유도체 DM-BTE(1,2-bis[2,5-dimethylthio-phen-3-yl]-hexafluorocyclopentene)의 광유도 굴절률 변화(photo-induced refractive index change)에 관하여 그 특성을 평가하였다. DM-BTE가 분산된 평면도 파로는 자외선과 가시광선(λ＞450 nm)의 조사에 의해 광변색 반응이 가역적으로 진행되었으며 굴절률변화에 의한 공명 파장 또한 가역적으로 이동하였다. 광변색 반응이 진행되는 동안 평면도 파로의 결정상태(crystal shape)는 일정한 형태를 유지하였으며, 자외선 조사시간에 대한 소자의 파장응답은 0.057 nm/sec 이었고 포화시간은 60 sec로 나타났으며, 가시광선이 다시 조사될 때의 공명파장의 변화는 0.028 nm/sec 이었고, 복귀시간은 140 sec로 측정되었다.

• 대한원격탐사학회지
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• 제27권2호
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• pp.163-170
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• 2011

이 논문은 X-밴드 Ground-Based Synthetic Aperture Radar (GB-SAR) 시스템을 이용하여 5개의 삼각삼면반사체(triangular trihedral corner reflector)의 시간에 따른 위상변화를 분석하였다. 각각의 반사체는 시스템으로부터의 거리를 다르게 설정하여 고정시켰고 모든 편파에 대한 영상을 20 분 간격으로 123 회, 총 40 시간 동안 연속 측정하였다. SAR 간섭기법(interferometry)을 이용한 분석 결과 반사체는 고정된 상태임에도 불구하고 시간에 따라 최대 2 radian의 위상차가 나타났으며 기상요소와 유사한 추세를 보였다. 대기 중 굴절률을 고려한 GB-SAR 위상관계식을 통하여 대기 중 습도, 기온 및 기압의 변화에 따른 마이크로파 굴절률의 변화 양상을 회귀분석을 통하여 살펴보았다. 그 결과 X-밴드의 굴절률은 습도 및 기온과 비교적 높은 선형적 관계를 보였으나(평균 결정계수 각각 0.72, 0.76) 기압과는 그렇지 않았다(결정계수 0.34). 실험 기간 동안 습도는 약 50 %에서 90 %까지, 기온은 $-1^{\circ}C$에서 $9^{\circ}C$까지 변하였으며 X-밴드 굴절률의 변화는 약 $3.14{\times}10^{-5}$였다. 향후 보다 다양한 기상조건에서 실험이 이루어진다면 습도, 기온 및 기압 조건에 따른 굴절률의 포괄적 관계식을 유추할 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국광학회지
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• 제10권3호
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• pp.181-187
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• 1999

대표적인 이차 비선형 광학 물질인 곁가지형 NPP(N-(4-nitrophenyI)-(L)-prolinol) 고분자 박막을 스핀코팅으로 제작하였다. 위상변조방식의 분광타원해석기를 사용하여 코로나 특성배향법으로 온도와 전기장을 변화시켜가며 실시간으로 타원해석 스펙트럼을 측정하였다. 광투과영역에서의 타원해석상수를 모델링분석하여 박막의 두께를 구하였고, 광합수영역에서는 타원해석상수의 역방계산을 통해 굴절율과 소광계수를 구하였다. 분광광도계를 사용하여 배향 전후 각각의 상태에 따른 광 투과율 스펙트럼을 측정한 후 이를 되먹임 관계식에 적용하여 구한 소광계수가 분광타원해석법으로 결정한 결과와 일치함을 확인하였다. 또한 두께가 비교적 얇은 시료의 타원해석 스펙트럼을 코로나배향 전후에 걸쳐 분석한 후 시료 면에 수직한 수직 복소굴절율과 시료 면에 평행한 수평 복소굴절율을 각각 결정하였다. 이 수직과 복소굴절율을 기준데이터로 사용하고 모델링 과정을 적용하여 배향의 각 단계별로 유효 수직조성비를 결정하여 두꺼운 고분자 박막의 배향된 정도를 정량화하는 분석모델을 제시하였다.

• 한국레이저가공학회지
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• 제17권2호
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• pp.19-25
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• 2014

Optical embedded diffraction gratings with the bulk modification in BK-7 glass plates excited by tightly focused high-intensity femtosecond (130fs) Ti: sapphire laser (peak wavelength = 790nm) were demonstrated. The structural modifications with diameters ranging from 400nm to $4{\mu}m$ were photo-induced after plasma formation occurred upon irradiation with peak intensities of more than $1{\times}1013W/cm^2$. The graded refractive index profile was fabricated to be a symmetric around from the center of the point at which low-density plasma occurred. The maximum refractive index change was estimated to be $1.5{\times}10^{-2}$. The two optical embedded gratings in BK-7 glass plate were demonstrated with refractive index modification induced by the scanning of low-density plasma formation.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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• pp.247-250
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• 2001

We studied optical properties of SiON thin-film in the applications of optical waveguide. SiON thin-film was grown in $300^{\circ}C$ by PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) system. The change of SiON thin-film composition and refractive Index was studied as a function of varying $NH_3$ gas flow rate. As $NH_3$ gas flow rate was increased, Quantity of N and refractive index were increased at the same time. By the results, we could form the SiON thin-film to use of a waveguide with refractive index of 1.6. We analyzed the conditions of the thin-film with FTIR(fourier transform infrared) and OES (optical emission spectroscopy). N-H bonding($3390cm^{-1}$ ) can be removed by thermal annealing. And we could observe the SiH bonding state and quantity by OES analysis in $SiH_4$

• 한국재료학회지
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• 제27권1호
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• pp.1-7
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• 2017

Zirconia nanoparticles were widely used as filler in order to get high refractive index layer. However, dispersion of nanoparticles is difficult due to their agglomeration in solvent. In this study, the dispersibility of the zirconia suspension is promoted by controlling the steric hindrance and electrostatic interactions through the adsorption of PEI according to alkali treatment time. Also, to induce improved dispersibility on suspension, we changed the dispersion conditions variously and fabricated an ink formulation method for the coating layer. Zirconia suspension was characterized by dynamic light scattering (DLS), Zeta potential measurement, Transmission Electron Microscope (TEM) and FT-IR. We were able to confirm that good dispersion of zirconia suspension by alkali treatment and PEI led to high refractive index.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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• pp.247-250
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• 2001

We studied optical properties of SiON thin-film in the applications of optical waveguide. SiON thin-film was grown in 300$^{\circ}C$ by PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) system. The change of SiON thin-film composition and refractive Index was studied as a function of varying NH$_3$ gas flow rate. As NH$_3$ gas flow rate was increased, Quantity of N and refractive index were increased at the same time. By the results, we could form the SiON thin-film to use of a waveguide with refractive index of 1.6. We analyzed the conditions of the thin-film with FTIR(fourier transform infrared) and OES(optical emission spectroscopy). N-H bonding(3390cm$\^$-1/) can be removed by thermal annealing. And we could observe the SiH bonding state and quantity by OES analysis in SiH$_4$

• 센서학회지
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• 제24권6호
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• pp.423-428
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• 2015

A bimetallic chip made of gold and silver was investigated in intensity interrogation mode to confirm enhancement of the SPR sensor resolution. Both reflectance curves of the bimetallic chip and the conventional gold chip was acquired and compared. The line width of the reflectance curve of the bimetallic chip was narrower than that of the conventional Au chip, resulting in steeper tangential slope. The reflectance was monitored at the angle related to the steepest tangential slope. The change in reflectance of the bimetallic chip was larger than that of the Au chip. The critical angle was analyzed by differentiating the reflectance with respect to incident angle twice. Acquiring the critical angle regarding to the sample informs the refractive index of the sample. Using various concentration of Bovine Serum Albumin, we confirmed that refractive index was linearly related to variation of reflectance of the bimetallic chip.