Park, Jong-Hyoung;Kim, Heung-Geun;Nho, Eui-Cheol;Chun, Tae-Won
Journal of Power Electronics
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v.10
no.1
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pp.79-84
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2010
This paper presents a grid connected photo-voltaic system using a quasi-Z-source inverter (QZSI) for power stage reduction. The power stage can be reduced because of an additional shoot-through stage which is a characteristic of QZSI. Therefore, by utilizing a QZSI the system's efficiency can be increased. In this paper, for applying a QZSI to a PV system, control methods such as maximum power point tracking (MPPT), point of common coupling (PCC) current control and PWM are studied and verified through simulation and experiment. In order to explain the above controllers, the characteristics of a QZSI are first analyzed. Then the MPPT control technique with a modified P&O method, the PCC current control for the regulation of the dc-link capacitor voltage and the PWM methods for the proposed system are explained. The feasibility of the proposed algorithm is verified through simulation and experiment with a 3kW system.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
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v.45
no.3
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pp.352-357
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1996
Recently, Permanent Magnet Synchronous Motor(PMSM) drives are widely used for industrial applications due to its high efficiency and high power factor control strategy. PMSM generally have two classifications such as the SPMSM(Surface Permanent Magnet Synchronous Motors) and IPMSM(Inter Permanent Magnet Synchronous Motors). IPMSA has economical merits over SPMSM in higher speed range, mechanical robustness, and higher power rate by the geometric difference. The maximum torque operation in IPMSM is realized by the current angle control which is to utilize additional reluctance torque due to a rotor saliency. In traction, spindle and compressor drives, constant power operation with higher speed range are desirable. This is simply achieved in the DC motor drives by the reduction of the field current as the speed is increased. However, in the PMSM, direct control of the magnet flux is not available. The airgap flux can be weakened by the appropriate current angle control to demagnetize. In this paper, the control method of optimal current vector in IPMSM is described in order to obtain the maximum torque or maximum output with the speed and load variations. The applied algorithm is realized by the proto system with torque and speed control Experimental results show this approach is satisfied for the high performance servo applications. (author). 6 refs., 9 figs., 1 tab.
Ji, Jun-Ho;Hwang, Jung-Ho;Bae, Gwi-Nam;Kim, Yong-Gin
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.25
no.3
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pp.442-450
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2001
Experiments were carried out on agglomeration of bipolarly charged particles in an alternating current electric field. Laboratory-scale setup was built and experiments were conducted at atmospheric condition. DOS(Di-octyl Sebacate) particles with 100% purity were generated by an atomizer. The particles were branched into two, each of which passed through a wire-to-plate type charging section where a positive or a negative DC high voltage was applied and was charged positively or negatively. These bipolarly charged particles together passed through an agglomeration section where an $\pm$20kV AC power was applied between two plates. The resident time in the agglomeration section was adjusted as l sec. Particle sampling was made by a cascade impactor (MOUDI). The effect of agglomeration system on the reduction ratio of particles below l ㎛ was 42∼45%. Effect of AC frequency on the particle size distribution was found insignificant.
Miyeon, Yoon;Jinwoo, Han;Ji-Kwang, Lee;Kyeongdal, Choi;Jung Tae, Lee;Seungyong, Hahn;Woo-Seok, Kim
Progress in Superconductivity and Cryogenics
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v.24
no.4
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pp.50-54
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2022
High temperature superconducting (HTS) magnets for large-capacity energy storage system need to be composed of toroid magnets with high energy density, low leakage magnetic fields, and easy installation. To realize such a large capacity of a toroid HTS magnet, an HTS cable with large current capacity would be preferred because of the limited DC link voltage and instantaneous high power required for compensation of the disturbance in the power grid. In this paper, the optimal operating strategies of the SMES for peak load reduction of the microgrid system were calculated according to the load variation characteristics, and the effect of compensation of the frequency change in microgrid with a SMES were also simulated. Based on the result of the simulation, key design parameters of SMES coil were presented for two cases to define the specification of the HTS cable with large current capacities for winding of HTS toroid coils, which will be need for development of the HTS cable as a future work.
The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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v.2
no.1
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pp.33-38
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1997
Generally, various semiconductor switching devices for power systems are used in battery chargers for electric vehicle. When these used, it takes the problems of transient-current or distortion of waveforms in power systems near by battery chargers because of harmonics and large peak-current, low power factor, etc., caused by the non-linearity of these devices. Recently, power factor control, line current peak-cut, harmonics reduction which was ignored in past is more and more important. In this paper, to solve those problems we will improve the characteristics of voltage rising and propose the high power factor converter circuit for battery chargers. Our proposed system convert commutated voltage to AC resonant wave in high frequency inverter and rectify the link voltages passed high-frequency transformer and transfer the DC voltages. Especially, the effect using these converter system can be improved very large by power factor control and we have to verify the possibilities of improvement through the experiment of Pb-Acid battery application.
Park, Yu-Na;Jang, Gil-Soo;Ko, Suk-Whan;Kang, Gi-Hwan;So, Jung-hun;Jung, Young-Seok;Ju, Young-Chul;Hwang, Hye-Mi;Song, Hyung-Jun
Journal of the Korean Solar Energy Society
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v.37
no.4
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pp.23-33
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2017
A great deal of study for loss reduction of photovoltaic system is conducted currently. It is hard to distinct the fault of photovoltaic system with the naked eye. For that reason, it is essential to repair and maintain the PV system by monitoring the system. The fault of individual modules can cause the huge loss of the entire system because of the mismatch. Therefore, the method of diagnosing the PV array is necessary by measuring the multi-channel arrays simultaneously. In this paper, it is presented the method of measuring I-V curve of multi-channel arrays simultaneously by using the charge and discharge characteristics of capacitor. Generated DC power at PV arrays is charged and discharged at the capacitors in a moment. By measuring the charged voltage and current, it is possible to diagnose of performance of PV arrays.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.22
no.1
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pp.114-124
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2011
In this paper, we present a 2 GHz compact analog phase shifter with linear phase-tune characteristic. The compact phase shifter was designed base on a lumped all pass network and implemented using a ceramic substrate fabricated with thin-film technique. For a linear phase-tune characteristic, a capacitance of the varactor diode for a tuning voltage was linearized by connecting series capacitor and subsequently produced an almost linear capacitance change. The inductor and bias circuit in the all pass network was implemented using a spiral inductors for small size, which results in the size reduction to $4\;mm{\times}4\;mm$. In order to measure the phase shifter using the probe station, two CPW pads are included at the input and output. The fabricated phase shifter showed an insertion loss of about 4.2~4.7 dB at 2 GHz band and a total $79^{\circ}$ phase change for DC control voltage from 0 to 5 V, and showed linear phase-tune characteristic as expected in the design.
Kim, Myung-Chan;Heo, Cheol-Ho;Boo, Jin-Hyo;Cho,Yong-Ki;Han, Jeon-Geon
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1999.07a
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pp.211-211
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1999
Titanium nitride (TiN) thin films have useful properties including high hardness, good electrical conductivity, high melting point, and chemical inertness. The applications have included wear-resistant hard coatings on machine tools and bearings, decorative coating making use of the golden color, thermal control coatings for widows, and erosion resistant coatings for spacecraft plasma probes. For all these applications as feature sizes shrink and aspect ratios grow, the issue of good step coverage becomes increasingly important. It is therefore essential to manufacture conformal coatings of TiN. The growth of TiN thin films by chemical vapor deposition (CVD) is of great interest for achieving conformal deposition. The most widely used precursor for TiN is TiCl4 and NH3. However, chlorine impurity in the as-grown films and relatively high deposition temperature (>$600^{\circ}C$) are considered major drawbacks from actual device fabrication. To overcome these problems, recently, MOCVD processes including plasma assisted have been suggested. In this study, therefore, we have doposited Ti(C, N) thin films on Si(100) and D2 steel substrates in the temperature range of 150-30$0^{\circ}C$ using tetrakis diethylamido titanium (TDEAT) and titanium isopropoxide (TIP) by pulsed DC plamsa enhanced metal-organic chemical vapor deposition (PEMOCVD) method. Polycrystalline Ti(C, N) thin films were successfully grown on either D2 steel or Si(100) surfaces at temperature as low as 15$0^{\circ}C$. Compositions of the as-grown films were determined with XPS and RBS. From XPS analysis, thin films of Ti(C, N) with low oxygen concentration were obtained. RBS data were also confirmed the changes of stoichiometry and microhardness of our films. Radical formation and ionization behaviors in plasma are analyzed by optical emission spectroscopy (OES) at various pulsed bias and gases conditions. H2 and He+H2 gases are used as carrier gases to compare plasma parameter and the effect of N2 and NH3 gases as reactive gas is also evaluated in reduction of C content of the films. In this study, we fond that He and H2 mixture gas is very effective in enhancing ionization of radicals, especially N resulting is high hardness. The higher hardness of film is obtained to be ca. 1700 HK 0.01 but it depends on gas species and bias voltage. The proper process is evident for H and N2 gas atmosphere and bias voltage of 600V. However, NH3 gas highly reduces formation of CN radical, thereby decreasing C content of Ti(C, N) thin films in a great deal. Compared to PVD TiN films, the Ti(C, N) film grown by PEMOCVD has very good conformability; the step coverage exceeds 85% with an aspect ratio of more than 3.
Ti(C,N) films are synthesized by pulsed DC plasma enhanced chemical vapor deposition (PEMOCVD) using metal-organic compounds of tetrakis diethylamide titanium at $200-300^{\circ}C$. To compare plasma parameter, in this study, $H_2$ and $He/H_2$ gases are used as carrier gas. The effect of $N_2\;and\;NH_3$ gases as reactive gas is also evaluated in reduction of C content of the films. Radical formation and ionization behaviors in plasma are analyzed in-situ by optical emission spectroscopy (OES) at various pulsed bias voltages and gas species. He and $H_2$ mixture is very effective in enhancing ionization of radicals, especially for the $N_2$. Ammonia $(NH_3)$ gas also highly reduces the formation of CN radical, thereby decreasing C content of Ti(C, N) films in a great deal. The microhardness of film is obtained to be $1,250\;Hk_{0.01}\;to\;1,760\;Hk_{0.01}$ depending on gas species and bias voltage. Higher hardness can be obtained under the conditions of $H_2\;and\;N_2$ gases as well as bias voltage of 600 V. Hf(C, N) films were also obtained by pulsed DC PEMOCYB from tetrakis diethyl-amide hafnium and $N_2/He-H_2$ mixture. The depositions were carried out at temperature of below $300^{\circ}C$, total chamber pressure of 1 Torr and varying the deposition parameters. Influences of the nitrogen contents in the plasma decreased the growth rate and attributed to amorphous components, to the high carbon content of the film. In XRD analysis the domain lattice plain was (111) direction and the maximum microhardness was observed to be $2,460\;Hk_{0.025}$ for a Hf(C,N) film grown under -600 V and 0.1 flow rate of nitrogen. The optical emission spectra measured during PEMOCVD processes of Hf(C, N) film growth were also discussed. $N_2,\;N_2^+$, H, He, CH, CN radicals and metal species(Hf) were detected and CH, CN radicals that make an important role of total PEMOCVD process increased carbon content.
Kim, Young-Ju;Chae, Hee-Sung;Koo, Yong-Seo;Lim, Shin-Il;Lee, Seung-Hoon
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.43
no.11
s.353
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pp.48-57
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2006
This work describes a 12b 200KHz 0.52mA $0.47mm^2$ algorithmic ADC for sensor applications such as motor controls, 3-phase power controls, and CMOS image sensors simultaneously requiring ultra-low power and small size. The proposed ADC is based on the conventional algorithmic architecture with recycling techniques to optimize sampling rate, resolution, chip area, and power consumption. The input SHA with eight input channels for high integration employs a folded-cascode architecture to achieve a required DC gain and a sufficient phase margin. A signal insensitive 3-D fully symmetrical layout with critical signal lines shielded reduces the capacitor and device mismatch of the MDAC. The improved switched bias power-reduction techniques reduce the power consumption of analog amplifiers. Current and voltage references are integrated on the chip with optional off-chip voltage references for low glitch noise. The employed down-sampling clock signal selects the sampling rate of 200KS/s or 10KS/s with a reduced power depending on applications. The prototype ADC in a 0.18um n-well 1P6M CMOS technology demonstrates the measured DNL and INL within 0.76LSB and 2.47LSB. The ADC shows a maximum SNDR and SFDR of 55dB and 70dB at all sampling frequencies up to 200KS/s, respectively. The active die area is $0.47mm^2$ and the chip consumes 0.94mW at 200KS/s and 0.63mW at 10KS/s at a 1.8V supply.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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