• 제목/요약/키워드: reducing memory

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NOC 인터커넥트를 활용한 메모리 반도체 병렬 테스트 효율성 개선 (Improving Parallel Testing Efficiency of Memory Chips using NOC Interconnect)

  • 홍찬의;안진호
    • 전기학회논문지
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    • 제68권2호
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    • pp.364-369
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    • 2019
  • Generally, since memory chips should be tested all, considering its volume, the reduction in test time for detecting faults plays an important role in reducing the overall production cost. The parallel testing of chips in one ATE is a competitive solution to solve it. In this paper, NOC is proposed as test interface architecture between DUTs and ATE. Because NOC can be extended freely, there is no limit on the number of DUTs tested at the same time. Thus, more memory can be tested with the same bandwidth of ATE. Furthermore, the proposed NOC-based parallel test method can increase the efficiency of channel usage by packet type data transmission.

Design of charge pump circuit for analog memory with single poly structure in sensor processing using neural networks

  • Chai, Yong-Yoong;Jung, Eun-Hwa
    • 센서학회지
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    • 제12권1호
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    • pp.51-56
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    • 2003
  • We describe a charge pump circuit using VCO (voltage controlled oscillator) for storing information into local memories in neural networks. The VCO is used for adjusting the output voltage of the charge pump to the reference voltage and for reducing the fluctuation generated by the clocking scheme. The charge pump circuit is simulated by using Hynix 0.35um CMOS process parameters. The proposed charge pump operates properly regardless to the temperature and the supply voltage variation.

고차원 CMAC 문제의 소요 기억량 감축 (Reducing Memory Requirements of Multidimensional CMAC Problems)

  • 권성규
    • 한국지능시스템학회논문지
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    • 제6권3호
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    • pp.3-13
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    • 1996
  • In orde to reduce huge memory requirements of multidimensional CMAC problems, building a CMAC system by problem decomposition is investigated. Decomposition is based on resolving a displacement vector in cartesian coordinates into unit vectors that define a few lower-dimensional CMACs in the CMAC system. A CMAC system for an an in verse kinematics problem for a planar manipulator was simulated and the performance of the system was evaluated in terms of training and output quality.

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Reset time을 줄인 Phase Frequency Detector (A PFD (Phase Frequency Detector) with Shortened Reset time scheme)

  • 윤상화;최영식;최혁환;권태하
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2003년도 추계종합학술대회
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    • pp.385-388
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    • 2003
  • 본 논문에서 제안하는 PFD(Phase Frequency Detector)는 Reset을 줄여 응답 속도의 특성을 향상시키기 위해 기존 회로인 Flip-Flop의 D-Latch circuit를 Memory Cell로 대신한 회로이다. 회로의 특성을 검증하기 위해 HSPICE Tool를 이용 simulation 하였으며 Hynix 0.35um CMOS 공정을 사용하였다.

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Write Request Handling for Static Wear Leveling in Flash Memory (SSD) Controller

  • Choo, Chang;Gajipara, Pooja;Moon, Il-Young
    • Journal of information and communication convergence engineering
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    • 제12권3호
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    • pp.181-185
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    • 2014
  • The lifetime of a solid-state drive (SSD) is limited because of the number of program and erase cycles allowed on its NAND flash blocks. Data cannot be overwritten in an SSD, leading to an out-of-place update every time the data are modified. This result in two copies of the data: the original copy and a modified copy. This phenomenon is known as write amplification and adversely affects the endurance of the memory. In this study, we address the issue of reducing wear leveling through efficient handling of write requests. This results in even wearing of all the blocks, thereby increasing the endurance period. The focus of our work is to logically divert the write requests, which are concentrated to limited blocks, to the less-worn blocks and then measure the maximum number of write requests that the memory can handle. A memory without the proposed algorithm wears out prematurely as compared to that with the algorithm. The main feature of the proposed algorithm is to delay out-of-place updates till the threshold is reached, which results in a low overhead. Further, the algorithm increases endurance by a factor of the threshold level multiplied by the number of blocks in the memory.

반복된 삭제/쓰기 동작에서 스트레스로 인한 Disturbance를 최소화하는 플래쉬 메모리 블록 삭제 방법 (Disturbance Minimization by Stress Reduction During Erase Verify for NAND Flash Memory)

  • 서주완;최민
    • 정보처리학회논문지:컴퓨터 및 통신 시스템
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    • 제5권1호
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    • pp.1-6
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    • 2016
  • 본 논문은 NAND Flash Memory 수명을 향상시키기 위한 동작 algorithm 개선을 제안한다. Flash memory에 대한 read/write/erase 과정에서, 해당 cell의 Vth가 원하는 level대로 위치를 한다면 문제가 없으나, 원하는 위치대비 변동이 되어 있다면 잘못된 data를 읽어내게 된다. 이러한 cell간 interference나 disturbance 현상들은 program이나 erase 동작이 반복(EW cycle)될수록 더 심해지는 특징이 있다. 이는 반복되는 high bias 인가상태에서 벌어지는 FN tunneling 현상으로 인한 tunnel oxide 막질손상(trap site 증가)에 기인한다고 알려져 있다. 본 논문에서는 erase cell 관점에서 stress양 자체를 감소시킴으로써 cell 열화 속도를 느리게 하여, 궁극적으로 발생하는 Vth 변동사항인 disturbance를 줄일 수 있는 erase 동작방법에 대해 논한다.

A Word Line Ramping Technique to Suppress the Program Disturbance of NAND Flash Memory

  • Lee, Jin-Wook;Lee, Yeong-Taek;Taehee Cho;Lee, Seungjae;Kim, Dong-Hwan;Wook-Ghee, Hahn;Lim, Young-Ho;Suh, Kang-Deog
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제1권2호
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    • pp.125-131
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    • 2001
  • When the program voltage is applied to a word line, a part of the boosted channel charge in inhibited bit lines is lost due to the coupling between the string select line (SSL) and the adjacent word line. This phenomenon causes the program disturbance in the cells connected to the inhibited bit lines. This program disturbance becomes more serious, as the word line pitch is decreased. To reduce the word line coupling, the rising edge of the word-line voltage waveform was changed from a pulse step into a ramp waveform with a controlled slope. The word-line ramping circuit was composed of a timer, a decoder, a 8 b D/A converter, a comparator, and a high voltage switch pump (HVSP). The ramping voltage was generated by using a stepping waveform. The rising time and the stepping number of the word-line voltage for programming were set to $\mutextrm{m}-$ and 8, respectively,. The ramping circuit was used in a 512Mb NAND flash memory fabricated with a $0.15-\mutextrm{m}$ CMOS technology, reducing the SSL coupling voltage from 1.4V into a value below 0.4V.

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하이브리드 메인 메모리의 성능 향상을 위한 페이지 교체 기법 (Page Replacement Algorithm for Improving Performance of Hybrid Main Memory)

  • 이민호;강동현;김정훈;엄영익
    • 정보과학회 컴퓨팅의 실제 논문지
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    • 제21권1호
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    • pp.88-93
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    • 2015
  • DRAM은 빠른 쓰기/읽기 속도와 무한한 쓰기 횟수로 인해 컴퓨터 시스템에서 주로 메인 메모리로 사용되지만 저장된 데이터를 유지하기 위해 지속적인 전원공급이 필요하다. 반면, PCM은 비휘발성 메모리로 전원공급 없이 저장된 데이터를 유지할 수 있으며 DRAM과 같이 바이트 단위의 접근과 덮어쓰기가 가능하다는 점에서 DRAM을 대체할 수 있는 메모리로 주목받고 있다. 하지만 PCM은 느린 쓰기/읽기 속도와 제한된 쓰기 횟수로 인해 메인 메모리로 사용되기 어렵다. 이런 이유로 DRAM과 PCM의 장점을 모두 활용하기 위한 하이브리드 메인 메모리가 제안되었고 이에 대한 연구가 활발하다. 본 논문에서는 DRAM과 PCM으로 구성된 하이브리드 메인 메모리를 위한 새로운 페이지 교체 기법을 제안한다. PCM의 단점을 보완하기 위해 제안 기법은 PCM 쓰기 횟수를 줄이는 것을 목표로 하며 실험결과에서 알 수 있듯이 본 논문의 제안 기법은 다른 페이지 교체 기법에 비해 PCM 쓰기 횟수를 80.5% 줄인다.

시그니처 기반 이거 하드웨어 트랜잭셔널 메모리에서의 캐시 접근 이력을 이용한 거짓 충돌 감소 (Using Cache Access History for Reducing False Conflicts in Signature-Based Eager Hardware Transactional Memory)

  • 강진구;이인환
    • 정보과학회 논문지
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    • 제42권4호
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    • pp.442-450
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    • 2015
  • 본 논문에서는 시그니처 기반의 이거 하드웨어 트랜잭셔널 메모리(eager HTM)에서 발생하는 거짓 충돌을 줄이기 위한 방법을 제안한다. 이 방법에서는 각 트랜잭션이 실행 중에 접근하는 캐시 블록들을 추적한다. 그리고 다른 코어로부터의 요청에 대해 충돌이 없다는 증거를 추적한 정보가 제공하면, 시그니처 서브시스템이 충돌이라고 선언하더라도 그것을 무시하도록 조치한다. 따라서 제안한 방법을 사용하면 거짓 충돌에 의한 트랜잭션의 멈춤 또는 취소를 줄일 수 있다. 이 방법은 시그니처 기반의 이거 HTM을 구현하는 멀티코어 프로세서의 성능을 향상시키기 위해 사용할 수 있다. 16개의 코어로 구성된 LogTM-SE 시스템에서 스탠포드 대학에서 개발한 STAMP 벤치마크를 사용하여 실험한 결과, 제안한 방법을 사용할 경우 시스템의 성능은 평균 20.6% 만큼 향상되었다.

이동체 데이터베이스를 위한 R-tree 기반 메인 메모리 색인의 설계 및 구현 (Design and Implementation of a Main Memory Index based on the R-tree for Moving Object Databases)

  • 안성우;안경환;이창우;홍봉희
    • 한국공간정보시스템학회 논문지
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    • 제8권2호
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    • pp.53-73
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    • 2006
  • 최근 PDA, 휴대폰 GPS와 같은 모바일 기기의 발달로 인하여 이동체에 대한 위치 기반 서비스의 요구가 증대되고 있다. 위치 기반 서비스 기술의 핵심은 이동체로부터 획득된 위치를 효율적으로 저장하고 처리하기 위한 이동체 데이터베이스이며 이동체의 빈번한 보고 데이터를 처리하기 위해서는 서버에서 메인 메모리 DBMS를 유지하는 것이 필요하다. 그러나, 기존 연구에서는 대부분 디스크 기반 환경에서의 이동체 색인을 연구하였으며 이러한 색인은 메인 메모리의 특성을 고려하지 않기 때문에 메인 메모리 DBMS에서는 효율적인 동작을 보장할 수 없다. 따라서, 메인 메모리 환경에 적합한 이동체 색인에 대한 연구가 필요하다. 이 논문에서는 메인 메모리 DBMS에서 이동체의 빈번한 보고 데이터를 처리하기 위한 R-tree 기반의 메인 메모리 색인을 제시한다. 제안한 색인에서는 성장 노드 구조를 사용함으로써 노드 오버플로우 시 노드 분할을 지연하여 노드 분할에 의한 분할 비용이 증가하는 것을 방지한다. 또한, 노드간의 중첩을 줄이기 위한 합병 후 재분할 정책과 노드 MBR이 차지하는 영역 크기 비율을 줄이기 위한 큰 영역을 가진 노드에 대한 분할 정책을 제안함으로써 검색 성능을 향상시킨다. 성능 평가를 통해서 이 논문에서 제안한 색인은 기존의 색인에 비해서 영역 질의 수행 시 최대 30% 정도의 성능향상을 보여주고 있다.

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