• 전자공학회논문지D
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• 제36D권6호
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• pp.1-12
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• 1999

본 논문에서는 초고속 정보통신망의 무선인프라(INFRA)로 주목 받고 있는 LMDS(Local Multipoint Distribution Service) 시스템을 국내 환경에 적절한 망구조 및 서비스 구조로 설계하였을 때의 시스템구조와 국내 환경에 맞는 링크버짓을 분석하였으며, HUB 에 실장되는 Power Amplifier의 LPA급 또는 HPA급의 선택에 따른 셀반경 변화 분석, 그리고 채널 확장시의 시스템 설계구조와 특징을 분석하였다. 한편, 본 논문에서 분석을 위해 사용된 각종 피라메타들은 국내 정보통신부에서 고시한 허가주파수대역(상향: 24.25GHz-24.75GHz, 하향 25.5GHz-27.5GHz)를 적용하였고, 변복조방식 및 채널코딩에 관한 규정은 DAVIC에서 권고한 규격을 적용하였으며, 기상관련 자료는 ITU-R에서 보고한 자료를 참조하였다. 본 논문은 향후 통신망사업자가 국내 LMDS 서비스를 위한 최적의 망설계시 참고자료로 활용될 수 있도록 하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제22권7호
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• pp.1001-1008
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• 2018

본 논문은 인명구조, 사고방지, 시설관리 등 수상환경에서 위치정보가 필요한 상황에서 무선 신호를 활용한 효율적인 위치 추적 기술을 제안한다. 제안하는 기법은 유저의 배터리 파워 소모량을 고려하여 제한된 전력 내에서 위험도를 최소화한다. 수상의 일정 반경 내에서 유저의 송수신 신호 세기를 이용하여 유저의 위치를 알 수 있는데, 이 때 유저가 일정 반경을 벗어나는 것을 사전에 방지할 필요가 있다. 이 논문에서는 먼저 유저가 일정 반경을 벗어나는 것을 방지하기 위해 위험도 함수를 정의한다. 위험도 함수는 위치정확도, 수심, 유속 등 수상 환경 위험에 관련된 다양한 요인들을 고려한다. 본 논문은 finger printing 기법을 이용한 효율적인 무선 측위 기술을 활용하여 일정 지역 내에 위치한 유저의 평균 위험도를 최소화하는 것을 목표로 하고 있다.

• 한국재난정보학회 논문집
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• 제13권4호
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• pp.476-482
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• 2017

지자체에서 관리하는 교량에 대해서 과학적이고 체계적인 유지관리 표준안과 정량화된 데이터기반을 통한 예산확보 및 집행의 과학화를 위해 지자체관리용 교량 유지관리시스템이 필요한 실정이다. 본 연구는 지자체에서 유지관리하고 있는 소규모 교량의 효율적인 관리를 위한 시스템 개발을 목표로 하며 BIM/GIS기술 등의 ICT융합기술을 사용하였다. 시스템개발의 세부내용으로는 모바일 기기용 소규모 교량 유지관리 프로그램 개발, 소규모 교량 유지관리 데이터베이스 개발, 소규모 교량 통합유지관리 개발이며 지자체에서 관리하는 소규모 교량의 테스트베드 구축 및 운영내용을 확인하여 개발한 프로그램 시스템의 신뢰성을 얻었다. 개발된 프로그램 시스템을 무전원방식의 교량 스마트 명판제작 및 Reader모듈 개발로 연계하였다.

• 한국시스템다이내믹스연구
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• 제5권2호
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• pp.125-147
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• 2004

System dynamics model has been developed and computer simulation has been peformed for the evaluation of R&D policy. One of the main results of the basecase scenario is as follows. After simulation of nuclear R&D resource allocation strategies, we discovered that their net benefit value was maximum at 130% nuclear R&D budget case. And after simulation of human resource management strategies and policy research program strategies, we confirmed that it is beneficial to allocate budgets in the early phase for human resources management program and research program for the policy.

• 한국전산유체공학회지
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• 제12권3호
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• pp.62-68
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• 2007

A conceptual thermal design is performed for the optical payload system of a geostationary satellite. The optical payload considered in this paper is GOCI(Geostationary Ocean Color Imager) of COMS of Korea. The radiative thermal control system is employed in order to expect a small thermal gradient in the telescope structure of GOCl. Two design margins are applied to the dedicated radiator dimensioning, and three kinds of configuration to the heater power sizing. A Monte-Carlo ray tracing method and a network analysis method are utilized to calculate radiative couplings and thermal responses respectively. At the level of conceptual design, sizing thresholds are presented for the radiator and heater on the purpose of determining the mass and power budget of the spacecraft.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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• pp.239_240
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• 2009

This paper presents the brief analytical study on 돋 effects of higher impedance transformer(HIT) to reduce distribution system fault current. With the increase of source and load capacity of power system, fault current of D/L is much more increased and, conventional protection equipment-such as sectionalizer and recloser, have to be replaced higher switching capacity. However, this replacements needs a lot of budget to utility. Increase of transformer impedance is can be a countermeasure in practical basis. This paper compares the voltage and fault current magnitude of both cases -%Zt=20% and %Zt2=33.3%(transformer capacity is 75/100MVA). The simulation results show that the steady state voltage of HIT is dropped 5~6% more in peak load, and fault current was decreased about 5kA by high impedance on transformer.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제8권6호
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• pp.1497-1502
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• 2013

Recently, the junctionless (JL) transistors realized by a single-type doping process have attracted attention instead of the conventional metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFET). The JL transistor can overcome MOSFET's problems such as the thermal budget and short-channel effect. Thus, the JL transistor is considered as great alternative device for a next generation low standby power silicon system. In this paper, the JL FinFET was simulated with a three dimensional (3D) technology computer-aided design (TCAD) simulator and optimized for DC characteristics according to device dimension and doping concentration. The design variables were the fin width ($W_{fin}$), fin height ($H_{fin}$), and doping concentration ($D_{ch}$). After the optimization of DC characteristics, RF characteristics of JL FinFET were also extracted.

• 한국건축시공학회:학술대회논문집
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• 한국건축시공학회 2014년도 춘계 학술논문 발표대회
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• pp.46-47
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• 2014

Recently, BAI(Board of Audit and Inspection of Korea) has recommended that "Result unit cost" of Korean government apply to national power plant construction project when plant owner corporations estimate budget price for tender. but nuclear industry have difficulties with this suggestion. the purpose of this study is to review the "Result unit cost" and problem with application of NPP construction cost estimating. And proposed the direction of application of "Result unit cost" to NPP construction cost estimating.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권10호
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• pp.844-850
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• 2002

Linearly graded profiles on the field area oxide are frequently used in power integrated circuits to reduce the surface electric field when power devices are operated in forward or reverse blocking modes. It is shown here that tapered windows can be made using the difference of etch rates between the bottom and the top layer of TEOS film. Annealed TEOS films are etched at a lower rate than the TEOS film without annealing Process. The fast etching layer results in window walls having slopes in the range of 25$^{\circ}$∼ 80$^{\circ}$ with respect to the wafer surface. Taper etching technique by annealing the TEOS film applies to high voltage LDMOS, which is compatible with CMOS process, due to the minimum changes in both of design rules and thermal budget.

• ETRI Journal
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• 제25권4호
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• pp.247-252
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• 2003

This paper presents results from experiments on laser-annealed SiGe-selective epitaxial growth (LA-SiGe-SEG). The SiGe-SEG technology is attractive for devices that require a low band gap and high mobility. However, it is difficult to make such devices because the SiGe and the highly doped region in the SiGe layer limit the thermal budget. This results in leakage and transient enhanced diffusion. To solve these problems, we grew in situ doped SiGe SEG film and annealed it on an XMR5121 high power XeCl excimer laser system. We successfully demonstrated this LA-SiGe-SEG technique with highly doped Ge and an ultra shallow junction on p-type Si (100). Analyzing the doping profiles of phosphorus, Ge compositions, surface morphology, and electric characteristics, we confirmed that the LA-SiGe-SEG technology is suitable for fabricating high-speed, low-power devices.