Al-doped ZnO (AZO) films were deposited on the plastic substrate by inductively coupled plasma (ICP) assisted DC magnetron sputtering. The AZO films were produced by sputtering a metallic target (Zn/Al) in a mixture of argon and oxygen gases. AZO films with an electrical resistivity of ${\sim}10^3\;{\Omega}cm$ and an optical transmittance of 80% were obtained even at a low deposition temperature. In-situ process control methods were used to obtain stable deposition conditions in the transition region without any hysteresis effect. The target voltage was controlled either at a constant DC power. It was found that the ratio of the zinc to oxygen emission intensity, I (O 777)/I (Zn 481) decreased with increasing the target voltage in the transition region. The $Ar/O_2$ plasma treatment improve the adhesion strength between the polycarbonate substrate and AZO films.
The changes of plastic plateau in the stress-strain curves of annealed polypropylene (PP) films during stretching under room temperature were followed and the corresponding melting properties and microstructure were characterized by differential scanning calorimetry (DSC) and scanning electron microscopy (SEM). It was found that during stretching the plastic plateau disappeared progressively with the increase of drawing ratio. At the same time, the endotherm plateau in DSC curves also disappeared progressively. The presence of the plastic plateau was attributed to the stretching of unstable crystalline part which was formed by tie chains around initial row-nucleated lamellae structure during annealing. During stretching, the unstable part was stretched and converted to bridges connecting separated lamellae. There was direct relationship between the disappearance of plastic plateau and pore formation.
We report the fabrication of flexible plastic ITO substrates and the measurement of oxidant permeation through the substrates. The plastic ITO substrates are composed of multiple organic and inorganic thin films. The organic thin films are deposited by vapor polymerization and the inorganic films are deposited by ion beam sputtering. In order to estimate the oxidant permeation rate, the pure Ca film is formed on the substrates and the amount of CaO produced by the oxidation of Ca is measured.
The peel adhesion and plastic deformation in Cu-Cr alloy films, sputter-deposited onto polyimide films, have been studied as a function of Cr content in the film. The adhesion strength has been measured by T-peel test and the amount of plastic deformation in the peeled metal strip was determined qualitatively by XRD technique. Peel adhesion strength has a maximum in the film containing 22-33wt.% Cr and the peel strength of pure Cr film is lower than the maximum. The film having the highest peel strength is deformed most heavily. The effect of Cr content on the peel strength is discussed in terms of the interfacial bond strength and mechanical properties of Cu-Cr alloy film.
This letter reports the fabrication of polycrystalline silicon thin-film transistors (poly-Si TFT) on flexible plastic substrates using amorphous silicon (a-Si) precursor films by sputter deposition. The a-Si films were deposited with mixture gas of argon and helium to minimize the argon incorporation into the film. The precursor films were then laser crystallized using XeCl excimer laser irradiation and a four-mask-processed poly-Si TFTs were fabricated with fully self-aligned top gate structure.
플라스틱 기반 평판디스플레이 장치를 위한 Al 박막(1000-4000${\AA}$)을 직류-마그네트론 스퍼터링으로 유리 기판과 고분자 플라스틱 기판위에 증착하였다. 고분자 플라스틱 기판위에 증착된 Al박막의 전기적 특성을 향상시키고, 열 팽창을 줄이기 위하여 단계적 열 처리법을 사용하였다. 이러한 공정을 사용함으로써, 고분자 기판위에 증착된 박막의 크랙과 기판의 휨현상이 없는 Al 박막을 성공적으로 증착하였다. 또한, Al 박막의 열처리와 증착공정은 모두 200$^{\circ}C$ 이하에서 이루어 졌기 때문에, 이러한 저온 공정은 고분자 플라스틱 기판에 적용이 가능하다. Al 박막의 특성과 신뢰성을 조사하기 위하여 주사 전자 현미경(SEM), 원자력 현미경(AFM), X-선 회절 분석법(XRD)과 비저항등의 전기적 특성을 측정하였다.
As a method to reduce the sue of agricultural chemicals mulching with thin plastic films has been commonly practised for many years. Although use of plastic films for mulching is very effective in preventing herb growth it is almost impossible to remove all of the plastic films from the agricultural lands and the remaining films eventually contaminate the soils. Therefore, it is very imperative to develop a mulching material that decomposes completely to prevent soil pollution problems and to enhance the competitive edge of domestic agriculture. In this paper the possibilities of using strength resins for improving strength properties of mulch papers made from old corrugated containers were examined. Also mulch papers have been produced and applied for practical farming in upland as well as paddy field. Result showed that the usage of 0.7% of wet strength additives was effective for wet and dry strength of mulch paper. Changes of various process parameters including freeness, cationic demand, one pass retention, nitrogen content, etc. that occurred during trial production of mulch paper have been examined and discussed . It was found that paper mulching was very effective for weed control both in upland field and paddy filed.
In this work, thin films of amorphous silicon (a-Si) were formed on plastic substrates by sputtering deposition and crystallized using excimer laser irradiation. As the entire process is conducted at room temperature, and the laser irradiation-induced heating is confined to the thin film, the plastic substrate is not subjected to thermal stresses. The microstructure resulting from the laser irradiation was dependent on the laser irradiation energy density and the composition of the underlying buffer layers. It was found that a layer of AlN deposited as a buffer between the plastic and the a-Si film increased the endurance of the a-Si film under laser irradiation, and resulted in polycrystalline Si grains up to 100nm in diameter.
We report high performance poly (3-hexylthiophene) organic field-effect transistors fabricated on a plastic substrate. The polymer active channel layer was directly printed by the rubber stamp printing method with a pre-patterned elastomer stamp. As a result. organic transistors having average field-effect mobility of 0.079 $cm^2/Vs$ and on/off ratio of $10^4{\sim}10^5$ were realized on a plastic substrate. Also, through the investigation of the molecular ordering of rubber-stamp-printed poly (3-hexylthiophene) films using synchrotron grazing-incidence X-ray diffraction measurements, the films were found to have edge-on structure which is favorable in realizing high performance organic transistors.
ITO films on plastic substrate were prepared by DC magnetron sputtering method using powdery target and their properties were investigated as a function of the deposition conditions. As the sputtering power and total pressure were higher, the resistivity of ITO films increased. The optical transmittance deteriorated with increasing sputtering power and thickness. As the total pressure increased, however, the optical transmittance improved at visible region of light. From these results, we could deposited ITO films with $8{\times}10^{-3}{\Omega}-cm$ of resistivity and 80% of transmittance at optimal conditions.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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