• 제목/요약/키워드: p-i-n

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ON FUNCTIONAL EQUATIONS OF THE FERMAT-WARING TYPE FOR NON-ARCHIMEDEAN VECTORIAL ENTIRE FUNCTIONS

  • An, Vu Hoai;Ninh, Le Quang
    • 대한수학회보
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    • 제53권4호
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    • pp.1185-1196
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    • 2016
  • We show a class of homogeneous polynomials of Fermat-Waring type such that for a polynomial P of this class, if $P(f_1,{\ldots},f_{N+1})=P(g_1,{\ldots},g_{N+1})$, where $f_1,{\ldots},f_{N+1}$; $g_1,{\ldots},g_{N+1}$ are two families of linearly independent entire functions, then $f_i=cg_i$, $i=1,2,{\ldots},N+1$, where c is a root of unity. As a consequence, we prove that if X is a hypersurface defined by a homogeneous polynomial in this class, then X is a unique range set for linearly non-degenerate non-Archimedean holomorphic curves.

Light trapping 개선을 통한 n-i-p 플렉서블 미세결정질 실리콘 박막 태양전지의 효율 향상 (Enhancement of n-i-p flexible microcrystalline silicon thin film solar cell efficiency through improved light trapping)

  • 장은석;백상훈;이정철;박상현;송진수;이영우;조준식
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2010년도 추계학술대회 초록집
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    • pp.58.1-58.1
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    • 2010
  • Stainless Steel의 유연한 기판을 사용하여 ZnO:Al/Ag의 후면전극에서 Ag 증착 실험조건 변화를 통해서 light trapping을 개선한 n-i-p 구조의 플렉서블 미세결정질 실리콘 박막 태양전지를 제작하였다. 실험 방법으로 마그네트론 스퍼터를 사용하여 Stainless Steel 기판 위에 ZnO:Al/Ag를 증착하여 후면전극으로 사용되는 back reflector를 제작하였으며 그 위에 미세결정질 실리콘 박막을 증착하였다. Back reflector에서 Ag 박막의 증착 온도가 증가할수록 표면결정 성장으로 roughness가 증가하여 반사도를 증가하였다. 또한, Ag 박막 증착 두께와 압력 변화에 따른 광학적 특성변화를 Atomic Force Microscope(AFM), Scanning Electron Microscopy(SEM),UV-visible-nIR spectrometry로 조사하여 최적의 조건을 찾았으며 개선된 back reflector의 특성이 n-i-p 구조의 플렉서블 미세결정질 실리콘 박막 태양전지에 적용하여 light trapping의 증가가 태양전지에서 광학적인 특성 변화 및 효율 향상에 영향을 주는지 Photo IV와 EQE(External Quantum Efficiency)를 통하여 조사하였다.

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스퍼터링 증착변수에 따른 n-i-p 플렉서블 실리콘 박막 태양전지용 ZnO/Ag 후면전극의 물성 변화 (Effect of deposition parameters on material properties of sputtered ZnO/Ag backreflectors for n-i-p silicon thin film solar cells)

  • 백상훈;김경민;이정철;박상현;송진수;윤경훈;왕진석;조준식
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.390-390
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    • 2009
  • 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 n-i-p 구조의 플렉서블 실리콘 박막태양전지용 ZnO/Ag 후면전극을 stainless steel 기판위에 제조하고 증착온도와 Ag 박막의 두께 변화에 따른 광학적 특성변화를 조사하였다. ZnO/Ag 구조의 후면전극은 RF와 DC 마그네트론 스퍼터링으로 Ag 금속 및 ZnO:Al($Al_2O_3$ 2.5%) 세라믹 타겟을 이용하여 각각 제조하였으며 증착온도는 상온 ${\sim}500^{\circ}C$로, Ag 박막두께는 100 ~ 500 nm로 변화시켰다. 증착조건 변화에 따라 제조된 후면전극의 표면거칠기 및 형상변화를 Atomic Force Mircroscope (AFM)와 Scanning electron miroscopy (SEM)으로 분석하였으며 이에 따른 반사도 변화를 UV-visible-nIR spectrometry 측정을 통하여 조사하였다. 증착온도가 증가함에 따라 Ag 박막의 표면 거칠기는 점차로 증가하였으며 증착된 후면전극의 반사도도 함께 증가함을 알 수 있었다. Ag 박막의 두께 변화에 따른 반사도 변화와 n-i-p 구조의 플렉서블 실리콘 박막태양전지에 미치는 영향을 조사하였다.

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ENVIRONMENT DEPENDENCE OF DISK MORPHOLOGY OF SPIRAL GALAXIES

  • Ann, Hong Bae
    • 천문학회지
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    • 제47권1호
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    • pp.1-13
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    • 2014
  • We analyze the dependence of disk morphology (arm class, Hubble type, bar type) of nearby spiral galaxies on the galaxy environment by using local background density (${\Sigma}_n$), projected distance ($r_p$), and tidal index (T I) as measures of the environment. There is a strong dependence of arm class and Hubble type on the galaxy environment, while the bar type exhibits a weak dependence with a high frequency of SB galaxies in high density regions. Grand design fractions and early-type fractions increase with increasing ${\Sigma}_n$, $1/r_p$, and T I, while fractions of flocculent spirals and late-type spirals decrease. Multiple-arm and intermediate-type spirals exhibit nearly constant fractions with weak trends similar to grand design and early-type spirals. While bar types show only a marginal dependence on ${\Sigma}_n$, they show a fairly clear dependence on $r_p$ with a high frequency of SB galaxies at small $r_p$. The arm class also exhibits a stronger correlation with $r_p$ than ${\Sigma}_n$ and T I, whereas the Hubble type exhibits similar correlations with ${\Sigma}_n$ and $r_p$. This suggests that the arm class is mostly affected by the nearest neighbor while the Hubble type is affected by the local densities contributed by neighboring galaxies as well as the nearest neighbor.

그래프의 정점 연결성에 대한 최소 범위 할당 (Minimum Cost Range Assignment for the Vertex Connectivity of Graphs)

  • 김재훈
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제21권11호
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    • pp.2103-2108
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    • 2017
  • m차원 평면 $R^m$ 상에 n개의 점들 $p_i$가 주어질 때, 범위 r에 대해서, 점 $p_i$로부터 거리 r이내 점들의 집합 $T_i$를 생각한다. m=1 일 때, $T_i$는 직선상의 구간이고, m=2일 때, $T_i$는 평면상의 원에 해당된다. 집합 $T_i$들을 정점에 대응하고, 두 집합이 교차하는 경우에 대응하는 두 정점 사이에 간선를 연결하면 교차 그래프 G를 얻을 수 있다. m=1일 때, G는 진구간 그래프(proper interval graph), m=2일 때, G는 단위 원판 그래프(unit disk graph)라고 부른다. 본 논문에서는 범위 r이 변화하면 바뀌는 교차 그래프 G(r)에 관심이 있다. 특별히 G(r)가 연결 그래프가 되는 최소 r을 찾는 문제를 다룰 것이다. 이 문제에 대해서 진구간 그래프 G(r)에 대해서 O(n)시간 알고리즘, 단위 원판 그래프 G(r)에 대해서 $O(n^2{\log}\;n)$시간 알고리즘을 제안한다. 직선상의 점들이 추가 되거나 삭제되는 동적 환경 하에서 위 문제를 O(lon n)시간에 해결하는 알고리즘도 제안한다.

n-ZnO/p-Zn doped InP의 p-n 이종접합 형성에 관한 연구 (p-n heterojunction composed of n-ZnO/p-Zn-doped InP)

  • 심은섭;강홍성;강정석;방성식;이상렬
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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    • pp.126-129
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    • 2001
  • A p-n junction was obtained by the deposition of an n-type ZnO thin film on a p-type Zn-doped InP substrate. The Zn-doped InP substrate has been made by the diffusion of Zn with sealed ampoule technique. The ZnO deposition process was performed by pulsed laser deposition (PLD). The p-n junction was formed and showed a typical I-V characteristic. We will also discuss about the realization of an ultraviolet light-emitting diode (LED). The structure of n-ZnO/p-Zn-doped InP could be a good candidate for the realization of an ultraviolet light-emitting diode or an ultraviolet laser diode.

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n-ZnO/p-Zn doped InP의 p-n 이종접합 형성에 관한 연구 (p-n heterojunction composed of n-ZnO/p-Zn-doped InP)

  • 심은섭;강홍성;강정석;방성식;이상렬
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.126-129
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    • 2001
  • A p-n junction was obtained by the deposition of an n-type ZnO thin film on a p-type Zn-doped InP substrate. The Zn-doped InP substrate has been made by the diffusion of Zn with sealed ampoule technique. The ZnO deposition process ws performed by pulsed laser deposition (PLD). The p-n junction was formed and showed a typical I-V characteristic. We will also discuss about the realization of an ultraviolet light-emitting diode (LED). The structure of n-ZnO/p-Zn-doped InP could be a good candidate for the realization of an ultraviolet light-emitting diode or an ultraviolet laser diode.

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산화물 반도체 $ITO_{(n)}/Si_{(p)}$ 태양전지에 관한 연구(I) (A Study on the Oxide Semiconductor $ITO_{(n)}/Si_{(p)}$ Solar Cell(I))

  • 김용운;이덕출
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 B
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    • pp.1325-1327
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    • 2002
  • $ITO_{(n)}/Si_{(p)}$ solar cell was fabricated by vaccum deposition method under the resistance heating with substrate temperature kept about 200[$^{\circ}C$] and than their properties are investigated. The cell charateristics can be improved by annealing but are deteriorated at temperature above 650[$^{\circ}C$] for longer than 15[min].

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ON SOME MDS-CODES OVER ARBITRARY ALPHABET

  • Chang, Gyu Whan;Park, Young Ho
    • Korean Journal of Mathematics
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    • 제9권2호
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    • pp.129-131
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    • 2001
  • Let $q=p^{e1}_1{\cdots}p^{em}_m$ be the product of distinct prime elements. In this short paper, we show that the largest value of M such that there exists an ($n$, M, $n-1$) $q$-ary code is $q^2$ if $n-1{\leq}p^{ei}_i$ for all $i$.

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LOCAL PERMUTATION POLYNOMIALS OVER FINITE FIELDS

  • Lee, Jung-Bok;Ko, Hyoung-June
    • 대한수학회논문집
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    • 제9권3호
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    • pp.539-545
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    • 1994
  • Let $q = p^r$, where p is a prime. A polynomial $f(x) \in GF(q)[x]$ is called a permutation polynomial (PP) over GF(q) if the numbers f(a) where $a \in GF(Q)$ are a permutation of the a's. In other words, the equation f(x) = a has a unique solution in GF(q) for each $a \in GF(q)$. More generally, $f(x_1, \cdots, x_n)$ is a PP in n variables if $f(x_1,\cdots,x_n) = \alpha$ has exactly $q^{n-1}$ solutions in $GF(q)^n$ for each $\alpha \in GF(q)$. Mullen ([3], [4], [5]) has studied the concepts of local permutation polynomials (LPP's) over finite fields. A polynomial $f(x_i, x_2, \cdots, x_n) \in GF(q)[x_i, \codts,x_n]$ is called a LPP if for each i = 1,\cdots, n, f(a_i,\cdots,x_n]$ is a PP in $x_i$ for all $a_j \in GF(q), j \neq 1$.Mullen ([3],[4]) found a set of necessary and three variables over GF(q) in order that f be a LPP. As examples, there are 12 LPP's over GF(3) in two indeterminates ; $f(x_1, x_2) = a_{10}x_1 + a_{10}x_2 + a_{00}$ where $a_{10} = 1$ or 2, $a_{01} = 1$ or x, $a_{00} = 0,1$, or 2. There are 24 LPP's over GF(3) of three indeterminates ; $F(x_1, x_2, x_3) = ax_1 + bx_2 +cx_3 +d$ where a,b and c = 1 or 2, d = 0,1, or 2.

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