• 한국진공학회지
• /
• 제15권3호
• /
• pp.301-307
• /
• 2006

P-modulation doping된 In(Ga)As/InGaAsP 양자점에서의 decay time 특성을 undoped 양자점 시료와의 비교를 통해 살펴보았다. 10 K 에서의 photoluminescence (PL) 세기는 doping 된 양자점이 doping되지 않은 양자점에 비해 약 10배 정도 약하게 나왔다. 또한 Time resolved PL (TR-PL) 실험을 통해 얻은 양자점 시료의 기저상태 PL peak 에서의 decay time은 doping된 양자점이 doping 되지 않은 양자점에 비해 매우 짧게 나왔다. 이러한 PL 세기와 decay time 특성을 통해서 본 연구에서 측정한 doping 된 양자점의 경우에는 doping에 의해 결함이 증가하게 되고, 그로 인해 운반자의 비발광 경로가 증가하게 되어 doping 된 양자점의 경우에 decay time이 짧게 나타나는 것으로 분석하였다.

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
• /
• 제3회(2014년)
• /
• pp.485-487
• /
• 2014

Nitrogen이 도핑된 graphene에서의 hydrogen evolution에 대한 촉매효과에 대해서 연구를 진행하였다. Reaction free energy를 계산하기 위해서 많은 N-doped graphene 모델을 계산하였으며 pH 조건, silicon cathode의 영향 그리고 zero point energy의 효과를 고려하였다. Volcano plot에 의하면 "pyrol" like model과 N-doped armchair graphene model (aGNR-N1)이 좋은 촉매효과를 가짐을 밝혔다. 또한 free energy diagram을 통하여 "pyrol"과 "aGNR-N1"이 좋은 active site가 될 수 있음을 확인하였고 pH가 증가함에 따라 $H^+$의 에너지가 증가함에 따라 촉매 효과가 줄어듬을 확인하였다.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
• /
• 제29권3호
• /
• pp.313-318
• /
• 2005

Li-doped ZnS layers were grown by molecular beam epitaxy. It was found that relatively low growth temperature is suitable for effective incorporation of Li acceptors. The layers grown under optimized conditions exhibited photoluminescence spectra dominated by neutral-acceptor-bound excitons. Such layers also showed electrically p-type behavior in capacitance-voltage characteristics. The net acceptor concentration is estimated to be approximately $3{\times}10^{15}\;cm^{-3}$.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제46권2호
• /
• pp.9-14
• /
• 2009

본 연구에서는 sapphire 기판위에 P (phosphorus) 도핑된 ZnO 박막을 제작한 후, 산소 분위기에서 후열 처리 온도가 박막의 전기적 및 광학적 특성에 미치는 영향에 대해서 조사하였다. XRD 측정 결과, 후열 처리 온도에 무관하게 모든 박막이 c축 배향성을 나타내었다. Hall 측정 결과, $850^{\circ}C$에서 후열 처리한 박막에서만 p형 전도 특성이 관찰되었다. 이때의 홀 캐리어 농도와 홀 이동도는 각각 $1.18{\times}1016cm^{-3}$과 $0.96cm^2/Vs$의 값을 나타내었다. 저온 PL 측정 결과, $850^{\circ}C$에서 후열 처리한 박막의 경우 p형 특성을 나타내는 상당량의 억셉터가 관련된 A0X (3.351eV), FA(3.283eV) 및 DAP (3.201eV) 피크가 관찰되었다. 향후 P 도핑된 ZnO 박막의 공정 조건과 후열 처리 조건을 최적화시킨다면, 차세대 광소자에 응용될 수 있는 매우 유망한 재료로 주목받을 것으로 기대된다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
• /
• pp.53-54
• /
• 2006

Arsenic doped p-type ZnO thin films have been realized on intrinsic (100) GaAs substrate by RF magnetron sputtering and thermal annealing treatment. p-Type ZnO exhibits the hole concentration of $9.684{\times}10^{19}cm^3$, resistivity of $2.54{\times}10^{-3}{\Omega}cm$, and mobility of $25.37\;cm^2/Vs$. Photoluminescence (PL) spectra of As doped p-type ZnO thin films reveal neutral acceptor bound exciton ($A^{0}X$) of 3.3437 eV and a transition between free electrons and acceptor levels (FA) of 3.2924 eV. Calculated acceptor binding energy ($E_A$) is about 0.1455 eV. Thermal activation and doping mechanism of this film have been suggested by using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). p-Type formation mechanism of As doped ZnO thin film is more related to the complex model, namely, $As_{Zn}-2V_{Zn}$, in which the As substitutes on the Zn site, rather than simple model, Aso, in which the As substitutes on the O site. ZnO-based p-n junction was fabricated by the deposition of an undoped n-type ZnO layer on an As doped p-type ZnO layer.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2008년도 춘계학술대회 및 기술 세미나 논문집 디스플레이 광소자
• /
• pp.65-66
• /
• 2008

The realization and origin of p-type ZnO are main issue for photoelectronic devices based on ZnO material. N-doped and nominally undoped p-type ZnO films were achieved on silicon (100) and homo-buffer layers by RF magnetron sputtering and post in-situ annealing. The undoped film shows high hole mobility of 1201 $cm^2V^{-1}s^{-1}$ and low resistivity of $0.0454\Omega{\cdot}cm$ with hole concentration of $1.145\times10^{17}cm^{-3}$. The photoluminescence(PL) spectra show the emissions related to FE, DAP and defects of $V_{Zn}$, $V_O$, $Zn_O$, $O_i$ and $O_{Zn}$.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제41권5호
• /
• pp.401-405
• /
• 2004

순수한 SrB $i_2$T $a_2$$O_{9}$ 세라믹스와 도너와 억셉터가 치환된 S $r_{0.99}$B $i_2$(T $a_{0.99}$ $W_{0.01}$)$_2$$O_{9}$ 와 SrB $i_2$(T $a_{0.99}$ $Ti_{0.01}$)$_2$ $O_{8.99}$ 세라믹스를 제조하고 미세구조, 강유전 P-E 이력특성, 상전이 온도를 조사하였다. 입자크기는 SrB $i_2$T $a_2$$O_{9}$ 세라믹스의 강유전 이력곡선에는 영향을 주지 않았다. 도너를 치환한 S $r_{0.99}$B $i_2$(T $a_{0.99}$ $W_{0.01}$)$_2$$O_{9}$ 세라믹스는 순수한 SrB $i_2$T $a_2$$O_{9}$ 세라믹스보다 잔류 분극이 크고 더욱 포화된 강유전 P-E 이력곡선을 보였으며, 억셉터가 치환된 SrB $i_2$(T $a_{0.99}$ $Ti_{0.01}$)$_2$ $O_{8.99}$ 세라믹스는 잔류분극이 크게 감소하여 가운데가 잘록한 모양을 보였다. 도너가 치환된 S $r_{0.99}$B $i_2$(T $a_{0.99}$ $W_{0.01}$)$_2$$O_{9}$ 세라믹스의 강유전 분극이 순수한 SrB $i_2$T $a_2$$O_{9}$ 세라믹스보다 더 큰 것은 Sr 공공의 생성에 의하여 분역벽 이동이 용이해졌기 때문이다.동이 용이해졌기 때문이다.동이 용이해졌기 때문이다.동이 용이해졌기 때문이다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2005년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
• /
• pp.27-29
• /
• 2005

ZnO and phosphorus doped ZnO thin films (ZnO:P) are deposited by pulsed laser deposition grown on (001) $Al_{2}O_{3}$. ZnO/ZnO:P/ZnO/$Al_{2}O_{3}$ (multi-layer) structure was used for phosphorus doped ZnO fabrication. This multi-layer structure thin film was annealed at $400^{\circ}C$ for 40 min. The electron concentration of that was changed from $10^{19}$ to $10^{16}/cm^{-3}$ after annealing. ZnO thin films with encapsulated structure showed the enhanced structural and optical properties than phosphorus doped ZnO without encapsulated layer. In this study, encapsulated ZnO structure was suggested to enhance electrical, structural and optical properties of phosphorus doped ZnO thin film and it was identified that encapsulated structure could be used to fabricate high quality phosphorus doped ZnO thin film.

• Journal of Information Display
• /
• 제8권2호
• /
• pp.20-24
• /
• 2007

Efficient white organic light-emitting diodes are fabricated with the blue and red electroluminescent (EL) units electrically connected in a stacked tandem structure by using a transparent doped organic p/n junction. The blue and red EL units consist of the light-emitting layer of 1,4-bis(2,2-diphenyl vinyl)benzene (DPVBi) and 4-dicyanomethylene-2-methyl-6-[2-(2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[i,j] quinolizin-8-yl)vinyl]-4H-pyran) (DCM2) doped tris(8-hydroxyquinoline) aluminum $(Alq_3)$, respectively. The organic p-n junction consists of ${\alpha}-NPD$ doped with $FeCl_3$ (15 % by weight ratio) and $Alq_3$ doped with Li (10 %). The EL spectra exhibit two peaks at 448 and 606 nm, resulting in white light-emission with the Commission Internationale d'Eclairage (CIE) chromaticity coordinates of (0.36, 0.24). The tandem device shows the quantum efficiency of about 2.2 % at a luminance of 100 $cd/m^2$, higher than individual blue and red EL devices.

• 한국재료학회지
• /
• 제4권7호
• /
• pp.808-816
• /
• 1994

본 연구에서는 안정제를 이용하는 반회분식 분산 중합(semi batch dispersion polymerization)공정으로 전도성 고분자인 p-Doped polypyrrole 입자를 제조하였다. 반회분식 분산 중합은 단량체를 monomer starved 조건하에서 연속 주입하여 중합시키는 방법으로써 polyvinylalcohol(PVA)을 안정제로 사용한 경우 평균 50nm, methylcellulose를 안정제로 사용한 경우평균 95nm 정도의 입자 크기를 갖는 dispersion을 제조할 수 있었으며, 이의 입자 크기 및 전도도는 단량체 투입 속도, 개시제 농도와 안정제의 종류, 분자량 및 농도에 따라 변화하였다. 이는 도입 성분중 개시제와 안정제의 역할(친수성 정도, 분자량)에 따라 달라지는 것으로, 이에 따른 물성의 최적점을 찾을 수 있었다.