• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.11 no.4
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• pp.19-23
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• 2012

We report microbolometer characteristic with n-type and p-type amorphous silicon thin film. The n-type and p-type amorphous silicon thin films were made by PECVD. The electrical properties of n-type and p-type a-Si:H thin films were investigated as a function of doping gas flow rate. The doping gas used $B_2H_6/Ar$ (1:9) and $PH_3/Ar$ (1:9). In general, the conductivity of doping a-Si:H thin films increased as doping gas increase but the conductivity of a-Si:H thin films decreased as the doping gas increase because doping gas concentration increase led to dilution gas (Ar) increase as the same time. We fabricated an amorphous silicon microbolometer using surface micromachining technology. The fabricated microbolometer had a negative TCR of 2.3%. The p-type microbolometer had responsivity of $5{\times}10^4V/W$ and high detectivity of $3{\times}10^8cm(Hz)^{1/2}/W$. The p-type microbolometer had more detectivity than n-type for less noise value.

• Journal of IKEEE
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• v.22 no.1
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• pp.205-208
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• 2018

In this work, we performed reverse- and forward-gate bias stress tests on normally-off AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs) with p-AlGaN-gate for reliability assessment. Inverse piezoelectric effect, commonly observed in Schottky-gate AlGaN/GaN HEMTs during reverse bias stress, was not observed in p-AlGaN-gate AlGaN/GaN HEMTs. Forward gate bias stress tests revealed distinct degradation of p-AlGaN-gate devices exhibiting sudden increase of gate leakage current. We suggest that forward gate bias stress tests should be performed to define the failure criteria and assess the reliability of normally off p-AlGaN-gate GaN HEMTs.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2010.11a
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• pp.356-358
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• 2010

Cuprous oxide ($Cu_2O$)를 기초로 하여 산화 박막 트랜지스터에 대하여 연구를 하였다. 일정한 두께의 cuprous oxide ($Cu_2O$) 박막을 조건별로 열처리 공정을 하고 그에 따른 변화를 측정을 하였다. 그 측정한 결과 중 가장 좋은 열처리 조건으로 열 증착 방식(Vacuum Thermal Evaporation)을 사용하여 cuprous oxide ($Cu_2O$) 비정질 산화 박막 트랜지스터를 제작 및 측정했다.

• Proceedings of the Korean Ceranic Society Conference
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• 2002.10a
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• pp.195.2-195
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• 2002

• Journal of IKEEE
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• v.24 no.4
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• pp.1167-1171
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• 2020

In this work, we proposed a graded gate-doping structure to alleviate an electric field in p-GaN gate layer in order to improve the reliability of normally-off GaN power devices. In a TCAD simulation by Silvaco Atlas, a distribution of the graded p-type doping concentration was optimized to have a threshold voltage and an output current characteristics as same as the reference device with a uniform p-type gate doping. The reduction of an maximum electric field in p-GaN gate layer was observed and it suggests that the gate reliability of p-GaN gate HFETs can be improved.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.146-147
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• 2012

InP 기판위에 자발성장법으로 성장된 InAs 양자점은 $1.55{\mu}m$ 영역에서 발진하는 양자점 반도체 레이저 다이오드 및 광 증폭기를 제작할 수 있기 때문에 많은 관심을 받고 있다. 광통신 대역의 $1.55{\mu}m$ 반도체 레이저 다이오드 및 광 증폭기 분야에서 InAs/InP 양자점이 많은 관심을 받고 있으나, InAs/GaAs 양자점에 비해 제작이 어려운 단점을 가지고 있다. InAs/InP 양자점은 InAs/GaAs 양자점에 비해 격자 불일치가 작아 양자점의 크기가 크고 특히 As 계 박막과 P 계박막의 계면에서 V 족 원소 교환 반응으로 계면 특성 저하가 발생하여 성장이 까다롭다. As 과 P 간의 교환반응은 성장온도와 V/III 에 의해 크게 영향을 받는 것으로 보고되었다. 그러나, P계 InGaAsP 박막 위에 InAs 성장 시 발생하는 As/P 교환반응에 대한 연구는 매우 적다. 본 연구에서는 InGaAsP 박막 위에 InAs 양자점 성장 시 GI (growth interruption)에 의한 As/P 교환반응이 InAs 양자점의 형상 및 광학적 특성에 미치는 영향을 연구하였다. 시료는 수직형 저압 Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)를 이용하여 $520^{\circ}C$의 온도에서 성장하였다. 그림1(a) 구조의 양자점은 InP (100) 기판위에 InP buffer layer를 성장한 후 InP와 격자상수가 일치하는 $1.1{\mu}m$ 파장의 InGaAsP barrier를 50 nm 성장하였다. 그 후 As 분위기 하에서 다양한 GI 시간을 주었고 그 위에 InAs 양자점을 성장하였다. 양자점 성장 후 InGaAsP barrier를 50 nm, InP capping layer를 50 nm 성장하였다. AFM측정을 위해 InP capping layer 위에 동일한 GI 조건의 InAs/InGaAsP 양자점을 성장하였고 양자점 성장 후 As분위기 하에 온도를 내려주었다. 그림1(b) 구조의 양자점은 그림1(a) 와 모든 조건은 동일하나 InAs 양자점과 InGaAsP barrier 사이에 GaAs 2ML를 삽입한 구조이다. 양자점 형상 특성 평가는 Atomic force microscopy를 이용하였으며, 광특성 분석은 Photoluminescence를 이용하였다.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.12 no.1
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• pp.10-15
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• 2003

$PbTiO_3$/P(VDF/TrFE) thin film for pyroelectric infrared sensor's sensing materials have been fabricated by spin coating technique. 65 wt% VDF and 35 wt% TrFE were for P(VDF/TrFE) powder. $PbTiO_3$ powder was used for a ceramic - polymer composites materials. Surface of composite thin film by ceramic fraction factor was observed by SEM. The $PbTiO_3$/P(VDF/TrFE) thin film capacitancy, dielectric constant and dielectric loss measured by impedence analyzer(HP4192A) and pyroelectric coefficient was measured by semiconductor parameter analyzer(HP4145B).

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.42 no.10 s.340
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• pp.9-18
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• 2005

Analytical expressions for breakdown voltages of abrupt $p^{+}n$ junction of Si, GaAs, InP and In$In_{0.53}Ga_{0.47}AS$ were induced. Getting analytical breakdown voltages, effective ionization coefficients were extracted using lucky drift parameters of Marsland for each materials. The results of analytical breakdown voltages followed by ionization integral agreed well with experimental result within 10$\%$ in error for the doping concentration in the range of $10^{14}cm\;^{-3}\~5\times10\;^{17}cm\;^{-3}$.

• Progress in Medical Physics
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• v.6 no.1
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• pp.49-57
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• 1995

The semiconductor detector has a high sensitive to radiation and a small volume. It has been frequently used in high energy photon and electron beamdosimetry. However, Semiconductor detector are subject to radiation damage in high energy radiation beam which reduces the sensitivity and creat a large discrepancy. In this experiments, P-type semiconductor was irradiated to 18 MeV electron beam with pre-irradiation for reducing the sensitivity for high reproducibility and investigated the dose characteristics against the dose rate variations. The sensitivity per unit dose in small dose rate showed a 35％ large different to a large dose rate with pre-irradiation dose for 0.5 KGy and 20％ for 3 KGyin this study. The silicon detector has showed a large dependency of beam direction with 13％ discrepancy and a linear sensitive as increased temperature.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.170-170
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• 2012

정보통신 기술 발전과 함께 자동차 및 로봇 산업에서도 다양한 IT 기술이 적용되고 있다. 지능형 로봇 및 자율 주행 자동차의 실현을 위해서는 필수적인 센서 기술이 수반되어야 한다. 자동차 및 로봇 산업에서 종래의 센서와 더불어 레이저를 이용한 센서 기술 적용으로 보다 업그레이드 된 성능을 갖게 되었다. 특히, 반도체 레이저를 이용한 전방 물체 및 거리 인식 센서를 사용함으로써 보다 정밀한 분해능과 장거리의 거리 계측이 가능하게 되었다. RF나 초음파 센서보다 우수한 성능을 가진 반도체 레이저 거리 계측 센서를 위한 박막 성장과 성장된 Wafer의 칩 프로세스 공정을 진행하여 레이저 센서로 적용 가능함을 확인하였다. InP 기판 위해 클래드, 도파로, 활성층을 MOCVD 장비로 각각 성장하였으며, 도파로는 비대칭 구조로 성장이 되었다.