• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.296-296
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• 2007

Ferroelectric neodymium-substituted $Bi_4Ti_3O_{12}$(BTO) thin films have been successfully deposited on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrate by a sol-gel spin-coating process and the effect of crystallization temperature on their microstructure and ferroelectric properties were studied systematically. $Bi(TMHD)_3$, $Nd(TMHD)_3$, $Ti(O^iPr)_4$ were used as the precursors, which were dissolved in 2-methoxyethanol. The thin films were annealed at various temperatures from 600 to $720^{\circ}C$ in oxygen ambient for 1 hr, which was followed by post-annealed for 1 hr after depositing a Pt electrode to enhance the electrical properties. X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) were used to analyze the crystallinity and surface morphology of layered perovskite phase, respectively. The crystallinity of the BNT films was improved and the average grain size increased as the crystallization temperature increased from 600 to $720^{\circ}C$ at an interval of $40^{\circ}C$. The polarization values of the films were a monotonous function of the crystallization temperature. The remanent polarization value of the BNT thin films annealed at $720^{\circ}C$ was $24.82\;{\mu}C/cm^2$ at an applied voltage of 5 V.

• 한국화재소방학회논문지
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• 제19권4호
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• pp.32-36
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• 2005

고전력 변압기에 설치되어있는 가스계 소화설비는 초기 화재에는 대응할 수 있지만 소화후 다시 발화되는 화재에 대하여는 아무런 대책이 될 수 없다. 따라서 초기 소화와 재발화된 화재의 소화 또는 재발화 방지가 가능한 소화 및 냉각시스템이 변압기에 필요할 것이다. 이러한 시스템으로 미분무수 설비가 선택되었으며, 본 연구에서는 주로 소화특성에 대하여 기술한다. 시험 대상으로 특정한 고압과 저압시스템을 선정하여 그 소화능력을 비교하였다. 변압기실은 약 $10m\times10m\times$의 공간이며 변압기의 크기는 이 공간의 $7\%$정도이다. 실물규모의 소화실험이 6개의 화재시나리오 (2개의 분무화재, 3개의 풀 화재, 1개의 흐름화재)에 의하여 수행되었으며, 고압시스템이 저압시스템에 비하여 산소희석 및 냉각효과 측면에서 우수한 소화특성을 나타내었다.

• 한국표면공학회지
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• 제47권5호
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• pp.239-243
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• 2014

The electrical and optical properties of amorphous In-Tin-Zinc-Oxide(ITZO) deposited at room temperature using rf-magnetron sputtering were investigated. The amorphous ITZO thin films were obtained at the composition of In:Sn:Zn = 6:2:2, 4:3:3, and 2:4:4, but the ITZO (8:1:1) showed a crystalline phase of bixbyite structure of In2O3. The resistivity of ITZO could be controlled by oxygen pressure in the sputtering ambient. The resistivity of post-annealed ITZO thin films exhibited the dependence on the amount of Indium. Optical energy band gap and transmittance increased as the amount of indium in ITZO increased. For the device application with ITZO, the bottom-gated thin-film transistor using ITZO as a active channel layer was fabricated. It showed a threshold voltage of 1.42V and an on/off ratio of $5.63{\times}10^7$ operated with saturation field-effect mobility of $14.2cm^2/V{\cdot}s$.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.166-166
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• 2010

Recently, TFTs based on amorphous oxide semiconductors (AOSs) such as ZnO, InZnO, ZnSnO, GaZnO, TiOx, InGaZnO(IGZO), SnGaZnO, etc. have been attracting a grate deal of attention as potential alternatives to existing TFT technology to meet emerging technological demands where Si-based or organic electronics cannot provide a solution. Since, in 2003, Masuda et al. and Nomura et al. have reported on transparent TFTs using ZnO and IGZO as active layers, respectively, much efforts have been devoted to develop oxide TFTs using aforementioned amorphous oxide semiconductors as their active layers. In this thesis, I report on the performance of thin-film transistors using amorphous indium gallium zinc oxides for an active channel layer at room temperature. $SiO_2$ was employed as the gate dielectric oxide. The amorphous indium gallium zinc oxides were deposited by RF magnetron sputtering. The carrier concentration of amorphous indium gallium zinc oxide was controlled by oxygen pressure in the sputtering ambient. Devices are realized that display a threshold voltage of 1.5V and an on/off ration of > $10^9$ operated as an n-type enhancement mode with saturation mobility with $9.06\;cm^2/V{\cdot}s$. The devices show optical transmittance above 80% in the visible range. In conclusion, the fabrication and characterization of thin-film transistors using amorphous indium gallium zinc oxides for an active channel layer were reported. The operation of the devices was an n-type enhancement mode with good saturation characteristics.

• 한국물환경학회지
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• 제36권6호
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• pp.581-591
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• 2020

In this study, two types of reactors were operated to examine the properties of methanol uptake under the high-rate denitrification process. In a sequencing batch reactor, the denitrifying activity was enriched up to 0.80 g-N/g-VSS-day for 72 days. Then, the enriched denitrifying sludge was transferred to a completely stirred tank reactor (CSTR). At the final phase on Day 46-50, the nitrogen removal efficiency was around 100% and the total nitrogen removal rate reached 0.097±0.003 kg-N/㎥-day. During the continuous process, the sludge settling index (SVI30) was stabilized as 118.3 mL/g with the biomass concentration of 1,607 mg/L. The continuous denitrifying process was accelerated by using a sequencing batch reactor (SBR) with a total nitrogen removal rate of 0.403±0.029 kg-N/㎥-day with a high biomass concentration of 8,433 mg-VSS/L. Because the reactor was open to ambient air with the dissolved oxygen range of 0.2-0.5 mg-O2/L, an increased organic carbon requirement of 5.58±0.70 COD/NO3--N was shown for the SBR in comparison to the value of 4.13±0.94 for the test of the same biomass in a completely anaerobic batch reactor. The molecular analysis based on the 16S rRNA gene showed that Methyloversatilis discipulorum and Hyphomicrobium zavarzinii were the responsible denitrifiers with the sole organic carbon source of methanol.

• 대한금속재료학회지
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• 제47권9호
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• pp.591-596
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• 2009

$TiN_xO_y/TiN_x$ multi-layer thin films with a high resistance(${\sim}k{\Omega}$) were deposited on $SiO_2/Si$ substrates at room temperature by sputtering. The $TiN_x$ thin films show island and smooth surface morphology in samples prepared by ${\alpha}$ and RF magnetron sputtering, respectively. $TiN_xO_y/TiN_x$ multi-layer in has been developed to control temperature coefficient of resistance(TCR) by the incorporation of $TiN_x$ layer(positive TCR) inserted into $TiN_xO_y$ layers(negative TCR). Electrical and structural properties of sputtered $TiN_xO_y/TiN_x$ multi-layer films were investigated as a function of annealing temperature. In order to achieve a stable high resistivity, multi-layer films were annealed at various temperatures in oxygen ambient. Samples annealed at $700^{\circ}C$ for 1 min exhibited good TCR value of approximately $-54 ppm/^{\circ}C$ and a stable high resistivity around $20k{\Omega}/sq$. with good reversibility.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제26권5호
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• pp.743-754
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• 2022

본 논문은 양식장의 환경 데이터 모니터링 시스템 개발 및 성능 평가 결과를 담고있다. 하드웨어 개발을 위해 용존 산소량, 질소 이온 농도, 염도 및 해수 온도 데이터 수집을 위한 아날로그 센서들과 외부 온습도 및 위치 정보를 수집하기 위한 디지털 센서들을 이용하였으며, 이들 수집 데이터들을 클라우드 기반의 Firebase DB에 전달하기 위한 통신 모듈로 LoRa 송수신 세트를 이용하였다. Firebase에 저장되는 수집 데이터들은 웹 브라우저와 모바일 단말기 상에서 그래프 형태로 출력해 양식장 환경 데이터 변화를 실시간으로 관찰할 수 있도록 하였으며, 임계치를 지정해 수집 데이터가 이 범위를 벗어나는 경우 모바일 단말기 상에 실시간 알림이 도착하도록 구현하였다. 개발 시스템의 성능 평가를 위해 하드웨어 모듈에서부터 웹/모바일 애플리케이션까지 타임 스탬프 기반의 응답 시간을 측정한 결과 6.2초에서 6.85초 사이의 변화를 보여주고 있어 만족할 만한 결과임을 알 수 있었다.

• Composites Research
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• 제36권5호
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• pp.342-348
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• 2023

최근 웨어러블 소자를 이용한 신체와 주변 온도의 실시간 모니터링에 대한 수요가 급격히 증가하고 있다. 그래핀 기반 써미스터가 고성능 유연 온도 센서로 개발되어 왔다. 본 연구에서는 단일층 그래핀의 온도 측정 성능을 개선하기 위하여 표면에 polyethylenimine(PEI)를 코팅하여 저항 온도 계수(TCR)를 조절하였다. 화학기상증착법(CVD)에 의해 합성한 단일층 그래핀은 습식 전사 공정을 통해 원하는 기판에 전사되었다. PEI에 의한 계면 도핑을 유도하기 위하여, 소수성의 그래핀 표면을 산소 플라즈마 처리를 통해 결함을 최소화하면서 친수성으로 제어하였다. PEI 도핑 효과를 전계효과트랜지스터(FET)를 이용하여 확인하였다. PEI 도핑에 의해서 CVD 그래핀의 TCR 값이 30~50℃의 온도 범위에서 -0.49(±0.03)%/K로 향상된 것을 확인하였다.

• Journal of Preventive Medicine and Public Health
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• 제15권1호
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• pp.145-151
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• 1982

산모(産母)와 태아(胎兒)에서의 CO 배출양상(排出樣相)의 차이(差異)가 hemoglobin의 CO와의 결합력(結合力)의 차이(差異)에서 기인(起因)된 것인지의 여부(與否)를 산소분압(酸素分壓)에 따른 HbCO의 해리양상(解離樣相)으로써 규명(糾明)하고 이를 토대(土臺)로 임신부(姙娠婦) 및 영아가 CO에 중독(中毒)되었을 때의 적절(適切)한 산소치료방식(酸素治療方式)을 모색(模索)하고자 본(本) 실험(實驗)을 실시(實施)하여 다음과 같은 성적(成績)을 얻었다. 1. 성인혈(成人血)과 태아혈(胎兒血)의 total hemoglobin량(量)은 각각(各各) $16.1{\pm}0.50gm%,\;15.7{\pm}0.32gm%$였으며 fetal hemoglobin 비율(比率)은 각각(各各) $1.2{\pm}0.15%,\;72.7{\pm}3.01%$ 였다. 2. 성인혈(成人血)과 태아혈(胎兒血)을 100% HbCO로 포화(飽和)시킨 뒤 일반대기(一般大氣), 100% $O_2$, 3기압산소(氣壓酸素)에 30분간(分間) 폭로(曝露)시킨 직후(直後)의 혈중(血中) HbCO 포화도(飽和度)는 성인혈(成人血)에서 각각(各各) 96.7%, 70.9% 및 52.8%였으며 태아혈(胎兒血)에서 각각(各各) 98.5%, 76.1% 및 62.2%로 감소(減少)하여 3기압산소(氣壓酸素)에서 가장 현저(顯著)한 감소(減少)를 보여 HbCO의 해리(解離)는 산소분압(酸素分壓)에 비례(比例)함이 확인(確認)되었으며 또 전(全) 실험군(實驗群)에서 성인혈(成人血)보다 태아혈(胎兒血)의 HbCO 해리(解離)가 늦은 양상(樣相)을 보였다. 3. 실험군(實驗群)에 대(對)한 각(各) 산소분압별(酸素分壓別) 폭로(曝露)가 끝난 후(後) $36.5^{\circ}C$의 일반대기하(一般大氣下)에서 시간경과(時間經過)에 따른 성인혈(成人血)과 태아혈중(胎兒血中) HbCO의 해리양상(解離樣相)은 거의 비슷하게 완만(緩慢)하였다. 4. 이상(以上)의 소견(所見)으로 미루어 볼 때 임신부(姙娠婦)의 CO 중독(中毒)은 산모(産母)보다 태아(胎兒)에서 더 큰 위해(危害)를 초래(招來)할 가능성(可能性)이 크며 또 HbF의 구성점유율(構成占有率)이 높은 6개월(個月) 이하(以下)의 영아에서도 그 위해도(危害度)가 클 것으로 간주(看做)된다. 따라서 임신부(姙娠婦) 또는 생후(生後) 6개월(個月) 이하(以下)의 영아가 CO 중독(中毒)되었을 때는 고압산소요법(高壓酸素療法)이 효과적(效果的)인 치료법(治療法)으로 보이며 그 치료시간(治療時間)을 성인환자(成人患者)에 있어서의 그것보다 좀 더 길게하는 것이 CO 중독(中毒)에 의한 위해(危害)를 감소(減少)시켜 줄 것으로 기대(期待) 된다.

• Tuberculosis and Respiratory Diseases
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• 제65권6호
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• pp.504-511
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• 2008

연구배경: 황사는 동북아시아에서 자연 발생하는 현상으로, 지름 $10{\mu}m$ 이하의 미세먼지(particulate matter 10, $PM_{10}$)를 다수 포함하여, 흡입하면 하부기관지 및 폐의 가스-교환부분까지 침착 가능하여 호흡기계에 손상을 일으킬 수 있다. 본 연구에서는 황사에 포함된 $PM_{10}$을 기관지상피세포에 작용시켜 활성산소 및 $NF{\kappa}B$, $TGF-{\beta}$, fibronectin이 증가 여부를 확인하고 섬유화의 신호경로를 규명하고자 하였다. 방 법: 공기포집기로 포집한 $PM_{10}$ 입자를 추출하여 기관지 상피세포인 WI-26 VA4 cells (KCLB)에 $PM_{10}$을 농도에 맞게 노출시켰다(0, 50, $100{\mu}g/ml$). ROS는 DCF-DA를 세포에 반응시킨 후 생성된 DCF를 FACScan을 이용해 측정하였다. $TGF-{\beta}$, fibronectin, $NF{\kappa}B$는 western blotting으로 분석하였다. 항산화제인 NAC를 이용하여 각 물질의 발현 억제 여부를 측정하였다. 결 과: $PM_{10}$을 가했을 때 대조군에 비하여 $50{\mu}g/ml$, $100{\mu}g/ml$에서 ROS, $TGF-{\beta}$, fibronectin, $NF{\kappa}B$ 발현이 유의하게 증가하였고, 항산화제인 NAC를 처리한 세포는 ROS, $TGF-{\beta}$, fibronectin, $NF{\kappa}B$의 발현이 $50{\mu}g/ml$, $100{\mu}g/ml$에서 유의하게 감소하였다. 결 론: 황사의 $PM_{10}$은 WI-26 VA4 cells에서 ROS 생성을 증가시키고 $NF-{\kappa}B$, $TGF-{\beta}$, fibronectin 생성을 증가시켜 섬유화에 기여할 것으로 사료된다.