Two piperazine-templated metal sulfate complexes, $(C_4N_2H_{12})[Ni(H_2O)_6](SO_4)_2$, I and ($C_4N_2H_{12}$) $[Co(H_2O)_6](SO_4)_2$, II, have been synthesized by hydro/solvothermal reactions and their crystal structures analyzed by single crystal X-ray diffraction methods. Complex I crystallizes in the monoclinic system, $P2_1/n$ space group, a=12.920(3), b=10.616(2), $c=13.303(2){\AA}$, ${\beta}=114.09(1)^{\circ}$, Z=4, $R_1=0.030$ for 3683 reflections; II: monoclinic $P2_1/n$, a=12.906(3), b=10.711(2), $c=13.303(2){\AA}$, ${\beta}=114.10(2)^{\circ}$, Z=4, $R_1=0.032$ for 4010 reflections. The crystal structures of the piperazine-templated metal(II) sulfates demonstrate zero-dimensional compound constituted by diprotonated piperazine cations, metal(II) cations and sulfate anions. The structures of complex I and II are substantially isostructural to that of the previously reported our piperazine-templated copper(II) sulfate complex $(C_4N_2H_{12})[Cu(H_2O)_6](SO_4)_2$. The central metal(II) atoms are coordinated by six water molecules in the octahedral geometry. The crystal structures are stabilized by three-dimensional networks of the $O_{water}-H{\cdots}O_{sulfate}$ and $N_{pip}-H{\cdots}O_{sulfate}$ hydrogen bonds between the water molecules and sulfate anions and protonated piperazine cations. Based on the results of thermal analysis, the thermal decomposition reactions of the complex I was analyzed to have three distinctive stages whereas the complex II proceed through several stages.
This study was performed to recycle Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate (PGMEA) from Liquid Crystal Display (LCD) industry emission as a waste organic solvent by using a multistage distillation column and tried to decide optimum reflux ratio. From the final experiment result, it was confirmed ; in case the sample A, the PGMEA purity is more than 98% and the moisture is less than 0.05%, on the other hand, in case the sample B, the PGMEA purity is more than 95% when the reflux ratio is 6 and the moisture is less than 0.01% (Refer to Table 1 for the contents of sample A and B). These values means fine level which can be adapted in the LCD manufacture, requiring more than 90% common purity of recycling level.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.11a
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pp.278-279
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2006
In this study, we investigated the electro-optical (EO) characteristic of fringe-field switching (FFS) mode cell by the two kinds of ultraviolet (UV) alignment method on the organic thin film (polyimide Pl). The suitable organic layers for FFS cell and the aligning capabilities of nematic liquid crystal (NLC) using the in-situ photo-alignment method were studied. An unstable V-T curve of UV-aligned FFS-LCD with conventional photo-alignment method can be achieved. However, a stable V-T curve of UV-aligned FFS-LCD with in-situ photo-alignment method (1h), and V-T curve of UV-aligned FFS-LCD with in-situ photo-alignment method was much stable comparing with that of other UV-aligned FFS-LCD's, As a result, more stable EO performance of UV-aligned FFS-LCD with in-Situ photo-alignment method is obtained than that of the other UV-aligned FFS-LCD's.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.16
no.4
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pp.17-22
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2009
Two different organic-inorganic hybrid thin film transistors (OITFTs) with the structures of glass/ITO/ZnO/PMMA/Al (staggered structure) and glass/ITO/PMMA/ZnO/Al (inverted staggered structure), were fabricated and their electrical and structural properties were compared. The ZnO thin films used as active channel layers were deposited by the atomic layer deposition (ALD) method at a temperature of $100^{\circ}C$. To investigate the effect of the substrates on their properties, the ZnO films were deposited on bare glass, PMMA/glass and ITO/glass substrates and their crystal properties and surface morphologies were analyzed. The structural properties of the ZnO films varied with the substrate conditions. The ZnO film deposited on the ITO/glass substrate showed better crystallinity and morphologies, such as a higher preferred c-axis orientation, lower FWHM value and larger particle size compared with the one deposited on the PMMA/glass substrate. The field effect mobility ($\mu$), threshold voltage ($V_T$) and $I_{on/off}$ switching ratio for the OITFT with the staggered structure were about $0.61\;cm^2/V{\cdot}s$, 5.5 V and $10^2$, whereas those of the OITFT with the inverted staggered structure were found to be $0.31\;cm^2/V{\cdot}s$, 6.8 V and 10, respectively. The improved electrical properties for the staggered OITFTs may originate from the improved crystal properties and larger particle size of the ZnO active layer.
Park, Hyunsu;Joo, Soyeong;Choi, Joon-Phil;Kim, Woo-Byoung
Journal of Powder Materials
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v.22
no.6
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pp.396-402
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2015
The organic binder-free paste for dye-sensitized solar cell (DSSC) has been investigated using peroxo titanium complex. The crystal structure of $TiO_2$ nanoparticles, morphology of $TiO_2$ film and electrical properties are analyzed by X-Ray Diffraction (XRD), Scanning Electron Microscopy (SEM), Electrochemical Impedance Spectra (EIS), and solar simulator. The synthesized $TiO_2$ nanopowders by the peroxo titanium complex at 150, 300, $400^{\circ}C$, and $450^{\circ}C$ have anatase phase and average crystal sizes are calculated to be 4.2, 13.7, 16.9, and 20.9 nm, respectively. The DSSC prepared by the peroxo titanium complex binder have higher $V_{oc}$ and lower $J_{sc}$ values than that of the organic binder. It can be attributed to improvement of sintering properties of $TCO/TiO_2$ and $TiO_2/TiO_2$ interface and to formation of agglomerate by the nanoparticles. As a result, we have investigated the organic binder-free paste and 3.178% conversion efficiency of the DSSC at $450^{\circ}C$.
Kim, Jiwoo;Kim, Myungjae;Kim, Hyokyeong;Park, Sohyun;Seo, Minkyeong;Kim, Jiwoong
Resources Recycling
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v.31
no.1
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pp.46-55
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2022
The recycling of coated cemented carbide scraps is becoming increasingly significant for the recovery of rare metals. However, coatings consisting of Group IV and V transition metal nitrides are one of the challenging factors in obtaining high-purity materials. We investigated the structural, elastic, and mechanical properties of Group IV and V transition-metal nitrides (TiN, VN, ZrN, NbN, HfN, and TaN) using first-principle calculations. Convergence tests were performed to obtain reliable calculated results. The equilibrium structures of the nitrides were in good agreement with those of a previous study, indicating the reliability of the data. Group IV transition metal nitrides show a higher covalent bonding nature. Thus, they exhibit a higher degree of brittleness than that of Group V transition metal nitrides. In contrast, Group V transition metal nitrides show weaker resistance to shear loading and more ductile behavior than Group IV transition metal nitrides because of the metallic bonds characterized by valence electron concentration. The results of the crystal orbital Hamilton population analysis showed good agreement with the shear resistance tendencies of all transition metal nitrides.
Aluminum-doped Zinc Oxide (AZO) is considered as an excellent candidate to replace Indium Tin Oxide (ITO), which is widely used as transparent conductive oxide (TCO) for electronic devices such as liquid crystal displays (LCDs), organic light emitting diodes (OLEDs) and organic solar cells (OSCs). In the present study, AZO thin film was applied to the transparent electrode of a channel-shaped flexible organic solar cell using a low-temperature selective-area atomic layer deposition (ALD) process. AZO thin films were deposited on Poly-Ethylene-Naphthalate (PEN) substrates with Di-Ethyl-Zinc (DEZ) and Tri-Methyl-Aluminum (TMA) as precursors and $H_2O$ as an oxidant for the atomic layer deposition at the deposition temperature of $130^{\circ}C$. The pulse time of TMA, DEZ and $H_2O$, and purge time were 0.1 second and 20 second, respectively. The electrical and optical properties of the AZO films were characterized as a function of film thickness. The 300 nm-thick AZO film grown on a PEN substrate exhibited sheet resistance of $87{\Omega}$/square and optical transmittance of 84.3% at a wavelength between 400 and 800 nm.
Pham, Van Hoi;Bui, Huy;Hoang, Le Ha;Nguyen, Thuy Van;Nguyen, The Anh;Pham, Thanh Son;Ngo, Quang Minh
Journal of the Optical Society of Korea
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v.17
no.5
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pp.423-427
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2013
We present the preparation and characteristics of liquid-phase sensors based on nano-porous silicon multilayer structures for determination of organic content in gasoline. The principle of the sensor is a determination of the cavity-resonant wavelength shift caused by refractive index change of the nano-porous silicon multilayer cavity due to the interaction with liquids. We use the transfer matrix method (TMM) for the design and prediction of characteristics of microcavity sensors based on nano-porous silicon multilayer structures. The preparation process of the nano-porous silicon microcavity is based on electrochemical etching of single-crystal silicon substrates, which can exactly control the porosity and thickness of the porous silicon layers. The basic characteristics of sensors obtained by experimental measurements of the different liquids with known refractive indices are in good agreement with simulation calculations. The reversibility of liquid-phase sensors is confirmed by fast complete evaporation of organic solvents using a low vacuum pump. The nano-porous silicon microcavity sensors can be used to determine different kinds of organic fuel mixtures such as bio-fuel (E5), A92 added ethanol and methanol of different concentrations up to 15%.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.30
no.1
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pp.1-6
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2020
In this research, 50 nm thick AlN thin films were deposited on the patterned sapphire (0001) substrate by using HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) system and then epitaxial layer structure was grown by MOCVD (metal organic chemical vapor deposition). The surface morphology of the AlN buffer layer film was observed by SEM (scanning electron microscopy) and AFM (atomic force microscope), and then the crystal structure of GaN films of the epitaxial layer structure was investigated by HR-XRC (high resolution X-ray rocking curve). The XRD peak intensity of GaN thin film of epitaxial layer structure deposited on AlN buffer layer film and sapphire substrate was rather higher in case of that on PSS than normal sapphire substrate. In AFM surface image, the epitaxial layer structure formed on AlN buffer layer showed rather low pit density and less defect density. In the optical output power, the epitaxial layer structure formed on AlN buffer layer showed very high intensity compared to that of the epitaxial layer structure without AlN thin film.
The crystal structure of the title compounds with both coumarin and sulfonamide moieties were examined. These two groups have very special for their pharmaceutical and medicinal properties have been determined from single crystal X-ray diffraction data. In the title compound crystallizes in the monoclinic space group C2/c with unit cell dimension a = 28.633(3) ${\AA}$, b= 9.3215(7) ${\AA}$ and c= 24.590(2) ${\AA}$ [alpha & gamma=$90^{\circ}$ beta= $115.976(3)^{\circ}$]. In the structure The S1 atom shows a distorted tetrahedral geometry, with O1-S1-O2 [119.74 $(2)^{\circ}$] and N1-S1-C5 [$105.57(1)^{\circ}$] angles deviating from ideal tetrahedral values are attributed to the Thrope-Ingold effect. The sum of bond angles around N1 ($316.2(1)^{\circ}$) indicates that N1 is in sp2 hybridization. The Pyridine ring adopts boat conformation and pyran rings adopt a sofa conformation. The carboxylate group of atoms were disordered over two positions with site occupancy factors 0.598 (9):0.402 (9). Crystal structure and packing is stabilized by $C-H{\ldots}O$ intra and inter molecular hydrogen bond interactions.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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