• 제목/요약/키워드: low-temperature oxide

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Silicide-Enhanced Rapid Thermal Annealing을 이용한 다결정 Si 박막의 제조 및 다결정 Si 박막 트랜지스터에의 응용 (Fabrication of Polycrystalline Si Films by Silicide-Enhanced Rapid Thermal Annealing and Their Application to Thin Film Transistors)

  • 김존수;문선홍;양용호;강승모;안병태
    • 한국재료학회지
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    • 제24권9호
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    • pp.443-450
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    • 2014
  • Amorphous (a-Si) films were epitaxially crystallized on a very thin large-grained poly-Si seed layer by a silicide-enhanced rapid thermal annealing (SERTA) process. The poly-Si seed layer contained a small amount of nickel silicide which can enhance crystallization of the upper layer of the a-Si film at lower temperature. A 5-nm thick poly-Si seed layer was then prepared by the crystallization of an a-Si film using the vapor-induced crystallization process in a $NiCl_2$ environment. After removing surface oxide on the seed layer, a 45-nm thick a-Si film was deposited on the poly-Si seed layer by hot-wire chemical vapor deposition at $200^{\circ}C$. The epitaxial crystallization of the top a-Si layer was performed by the rapid thermal annealing (RTA) process at $730^{\circ}C$ for 5 min in Ar as an ambient atmosphere. Considering the needle-like grains as well as the crystallization temperature of the top layer as produced by the SERTA process, it was thought that the top a-Si layer was epitaxially crystallized with the help of $NiSi_2$ precipitates that originated from the poly-Si seed layer. The crystallinity of the SERTA processed poly-Si thin films was better than the other crystallization process, due to the high-temperature RTA process. The Ni concentration in the poly-Si film fabricated by the SERTA process was reduced to $1{\times}10^{18}cm^{-3}$. The maximum field-effect mobility and substrate swing of the p-channel poly-Si thin-film transistors (TFTs) using the poly-Si film prepared by the SERTA process were $85cm^2/V{\cdot}s$ and 1.23 V/decade at $V_{ds}=-3V$, respectively. The off current was little increased under reverse bias from $1.0{\times}10^{-11}$ A. Our results showed that the SERTA process is a promising technology for high quality poly-Si film, which enables the fabrication of high mobility TFTs. In addition, it is expected that poly-Si TFTs with low leakage current can be fabricated with more precise experiments.

선박용 디젤엔진 SCR 시스템에 NOx 환원제로 사용되는 암모늄 카바메이트의 물질 성분 분석 연구 (Analysis of Ammonium Carbamate Used as a NOx Reducing Agent for the SCR System of Marine Diesel Engines)

  • 김홍석;류영현
    • 해양환경안전학회지
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    • 제26권6호
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    • pp.751-758
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    • 2020
  • 선박용 디젤엔진의 NOx 환원제로 액체 우레아를 사용하는 SCR 기술이 널리 사용되고 있다. 하지만 액체 우레아 대신에 고체상의 암모늄 카바메이트를 NOx 환원제로 사용하면 저온 NOx 저감율 및 암모니아 저장용량 측면 등에서 다양한 장점이 있다. 이에 따라 본 연구에서는 암모늄 카바메이트를 EA, FTIR, XRD 방법으로 분석하여 순도를 관리하는 방법을 제시하고자 하였으며, 다양한 온도와 압력 조건에 암모늄 카바메이트가 노출되었을 때의 물질 변화 특성을 고찰하고자 하였다. 본 연구를 통하여 암모늄 카바메이트의 순도를 EA 분석을 통해 효과적으로 관리 할 수 있음을 알 수 있었으며, 선박용 디젤엔진의 SCR 시스템에 적용될 것으로 예상되는 열분해 온도 조건에서 가열과 냉각을 반복한 암모늄 카바메이트에 대한 FTIR 분석결과, 물질 특성은 변화하지 않는 것을 확인하였다. 또한, 대기 중에 장기간 노출된 암모늄 카바메이트는 암모늄 카보네이트로 물질 변화함을 알 수 있었다.

유물분석 자료를 통한 백제지역의 제철과 철기 제작기술 연구 (A Study on Iron Manufacturing and Technology through Analysis Reports of Iron artifacts in the Baekje Area)

  • 김수기
    • 보존과학회지
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    • 제30권4호
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    • pp.335-343
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    • 2014
  • 현재까지 분석된 백제지역 출토 철기 유물의 금속미세조직과 비금속개재물 분석 자료들을 한강, 금강, 영산강 유역권으로 분류하여 조업 온도를 추정하고 제강 및 열처리 기술을 지역적 시대별 특성을 조사하였다. 세 지역 모두 시대에 관계없이 고체저온환원으로 괴련철이나 해면철이 주 제철 방법으로 판단된다. 비금속개재물의 산화물 삼원상태도로 재해석한 결과 로내 온도는 $1,100{\sim}1,300^{\circ}C$ 정도에서 조업하였던 것으로 추정된다. 철광석은 자철광석이 주원료이며, $TiO_2$가 높은 것들은 사철을 사용하였던 것으로 보인다. $CaO/SiO_2$의 비율이 0.4 이상인 유물들은 석회질의 융제를 인위적으로 넣었던 것으로 판단된다. 제강은 저탄소강을 단야로에서 숯으로 가열할 때 나오는 CO, $CO_2$ gas로 침탄시키는 고체 침탄강임을 알 수 있었다. 또한 의도적으로 필요 부분의 강도를 높이는 침탄작업과 담금질을 하였던 것으로 보아 3세기에는 백제지역의 철기제작자들은 열처리 기술을 인지하고 있었다.

중저온형 SOFC를 위한 PSCF3737(Pr0.3Sr0.7Co0.3Fe0.7O3) 공기극 물질의 특성 및 최적화께 관한 연구 (Study of Optimization and Characteristics of PSCF3737(Pr0.3Sr0.7Co0.3Fe0.7O3) for IT-SOFC)

  • 박광진;이창보;김정현;백승욱;배중면
    • 전기화학회지
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    • 제10권3호
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    • pp.207-212
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    • 2007
  • IT-SOFC(중저온형 고체산화물 연료전지)의 공기극으로 적합한 PSCF3737의 물질 특성을 파악하고 그 특성을 이용하여 낮은 ASR을 갖기 위한 소결 온도 및 두께 최적화에 관한 연구를 수행하였다. 분말 사이즈 및 상형성을 고려할 때 GNP 방법으로 합성된 분말의 하소 온도는 $1000^{\circ}C$가 적합함을 알 수 있었다. 산소 분압에 따른 ASR 변화 실험을 통하여 PSCF3737의 저항 성분을 전극 자체의 특성과 관련된 중간 주파수 대역(${\sim}10^2Hz$)과 산소의 확산에 영향 받는 낮은 주파수 대역(${\sim}10^{-1}Hz$) 2가지로 분류할 수 있었다. 공기극의 특성 실험을 통하여 소결 온도는 $1200^{\circ}C$가 가장 적합하며 공기극의 두께는 2번 스크린 프린팅 된 $27\;{\mu}m$가 가장 적합함을 알 수 있었다. 이를 토대로 EIS 측정을 하면 $700^{\circ}C$에서 $0.115\;{\Omega}cm^2$의 낮은 ASR값을 얻을 수 있었다.

동일면상에 heater와 감지전극을 형성한 마이크로가스센서의 제작 및 특성 (Characteristics and Fabrication of Micro-Gas Sensors with Heater and Sensing Electrode on the Same Plane)

  • 임준우;이상문;강봉휘;정완영;이덕동
    • 센서학회지
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    • 제8권2호
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    • pp.115-123
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    • 1999
  • PSG(800nm)/$Si_3N_4$ (150nm)로 구성된 유전체 membrane 윗면에 heater와 감지전극을 등일면상에 동시에 형성하였다. 제작된 소자의 전체 면적은 $3.78{\times}3.78mm^2$이고, diaphragm의 면적은 $1.5{\times}1.5mm^2$이며, 감지막치 면적은 $0.24{\times}0.24mm^2$였다. 그리고 diaphragm내의 열분포 분석을 유한요소법을 이용하여 수행하였으며, 실제로 제작된 소자의 열분포와 비교하였다. 소비전력은 동작온도 $350^{\circ}C$에서 약 85mW였다. Sn 금속막을 상온과 $232^{\circ}C$의 두 가지 기판온도에서 열증착하였고, 이를 $650^{\circ}C$의 산소분위기에서 3시간 열산화함으로써 $SnO_2$ 감지막을 형성하였다. 그리고 이를 SEM과 XRD로 특성을 분석하였다. 제작된 소자에 대해서 온도 및 습도에 대한 감지막의 영향 및 부탄가스에 대한 반응특성도 조사하였다.

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Sc2O3와 CeO2가 첨가된 ZrO2의 전기전도도 (Electrical Conductivity of ZrO2 Doped with Sc2O3 and CeO2)

  • 이동석;허장원;김재동;김주선;이해원;김긍호;김대준;이종호
    • 한국세라믹학회지
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    • 제39권4호
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    • pp.346-351
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    • 2002
  • 중저온 영역에서 작동 가능한 고체산화물연료전지(SOFC)의 전해질 재료를 탐색하기 위해 $Sc_2O_3$$CeO_2$를 동시에 첨가하여 안정화시킨 $CeO_2$의 상안전성과 전기적 물성을 분석하였다. 분석결과 $Sc_2O_3$$CeO_2$를 동시에 첨가하여 안정화시킨 $ZrO_2$$1350^{Circ}C∼1550^{Circ}C$까지의 열처리과정중 다른 상전이 없이 상온에서 안정한 입방정상을 유지하였으며 넓은 온도영역($300∼^{Circ}C$)에서 기존의 YSZ보다 훨씬 높은 전기전도도값을 나타냈다. 또한 $Sc_2O_3$$CeO_2$가 동시에 첨가된 $ZrO_2$는 기존의 Sc-$ZrO_2$계 전해질 물질보다 훨씬 향상된 장기안정성을 나타내 중저온형 고체산화물 연료전지의 전해질재료로 적합함을 알 수 있었다.

마이크로볼로미터용 [(Ni0.3Mn0.7)1-xCux]3O4 박막의 제작 및 전기적 특성 분석 (Fabrication and Electrical Property Analysis of [(Ni0.3Mn0.7)1-xCux]3O4 Thin Films for Microbolometer Applications)

  • 최용호;정영훈;윤지선;백종후;홍연우;조정호
    • 센서학회지
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    • 제28권1호
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    • pp.41-46
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    • 2019
  • In order to develop novel thermal imaging materials for microbolometer applications, $[(Ni_{0.3}Mn_{0.7})_{1-x}Cu_x]_3O_4$ ($0.18{\leq}x{\leq}0.26$) thin films were fabricated using metal-organic decomposition. Effects of Cu content on the electrical properties of the annealed films were investigated. Spinel thin films with a thickness of approximately 100 nm were obtained from the $[(Ni_{0.3}Mn_{0.7})_{1-x}Cu_x]_3O_4$ films annealed at $380^{\circ}C$ for five hours. The resistivity (${\rho}$) of the annealed films was analyzed with respect to the small polaron hopping model. Based on the $Mn^{3+}/Mn^{4+}$ ratio values obtained through x-ray photoelectron spectroscopy analysis, the hopping mechanism between $Mn^{3+}$ and $Mn^{4+}$ cations discussed in the proposed study. The effects of $Cu^+$ and $Cu^{2+}$ cations on the hopping mechanism is also discussed. Obtained results indicate that $[(Ni_{0.3}Mn_{0.7})_{1-x}Cu_x]_3O_4$ thin films with low temperature annealing and superior electrical properties (${\rho}{\leq}54.83{\Omega}{\cdot}cm$, temperature coefficient of resistance > -2.62%/K) can be effectively employed in applications involving complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) integrated microbolometer devices.

여러가지 수복물의 polishing조건에 따른 치수 온도변화 (TEMPERATURE CHANGE IN THE PULP ACCORDING TO POLISHING CONDITION OF VARIOUS RESTORATIVE MATERIALS)

  • 백병주;박종하;양정숙;이승영;김재곤
    • 대한소아치과학회지
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    • 제26권2호
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    • pp.365-376
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    • 1999
  • 수복물의 연마의 중요성에 대하여 많은 연구들이 이루어져 왔으며, 이는 수복물의 금속성질의 개선, 변연적합성의 증가 그리고 치태축적의 감소 등을 이유로 시행된다. 그러나 불행하게도 수복물에 대한 연마시 열의 발생으로 인하여 치수부위에 손상을 초래하므로 열의 발생을 최소화하려는 노력이 뒤따라야 할 것이다. 이에 본 연구에서는 수복물의 연마시 회전속도의 차이, 냉각제의 적용 유무, 여러 종류의 수복물의 차이, 간헐적인 연마와 연속적인 연마의 차이 그리고 잔존 상아질의 두께의 정도에 따른 치수내부에서의 열의 변화를 알아보기 위하여 발거된 구치에 5급 와동을 형성한 후 복합레진(Z100, 3M co), resin-modified GIC(Dyract, Fuji II LC) 그리고 아말감(Degussa) 등으로 충전하였으며, 다양한 조건에서의 연마를 시행, 치수내부에서의 열의 변화를 측정하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. Amalgam을 건조한 상태에서 연마시 다른 재료에 비해 가장 큰 치수내 온도 상승을 보였다(P<0.05). 그러나, Z100, Dyract Fuji II LC 간에는 간헐적 수복물 연마와 연속적인 수복물 연마 모두 어떤 경우든 유의차가 없었다(P>0.05). 2. 같은 조건으로 연마를 시행했을 때, 간헐적인 연마보다 연속적인 연마를 한 경우가 치수내 온도가 더 크게 상승하였다(P<0.01). 3. 아말감과 Dyract 에 있어서는 잔존 상아질의 차이에 따른 치수내 온도변화에 유의한 차이를 보였으나(P<0.01), Fuji II LC에 있어서는 유의성이 없었다(P>0.05). 4. 냉각제의 유무에는 관계없이 어떤 경우든 시간에 따른 온도 상승을 보였다. 그러나, 냉각제를 사용한 경우가 냉각제를 사용하지 않은 경우에 비해 온도 상승값이 훨씬 작았다(P<0.01).

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방사선 영상센서 적용을 위한 미세 발광체 필름 제조 및 광학적 특성에 관한 연구 (Study on Fabrication and Photoluminescent Properties of Fine Phosphor Film for Application of Radiation Image Sensor)

  • 강상식;최영준;이광옥;문용수;김미영;이상봉;정봉재;박지군
    • 한국방사선학회논문지
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    • 제4권4호
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    • pp.25-28
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    • 2010
  • 본 연구에서는 고해상도 영상획득을 위해 저온액상법을 이용하여 Europium doped gadollium oxide($Gd_2O_3$:Eu) 미세 형광체를 제조하여 입자의 형상 및 구조를 분석하였으며, 발광체 필름에 대한 방사선에 대한 광학적 반응특성 실험을 통해 고해상도 영상검출기 적용 가능성을 확인하였다. 제조된 형광체 필름 두께에 따른 광량 및 선량에 따른 발광의 선형성을 조사하였다. 측정결과, $270{\mu}m$ 두께의 $Gd_2O_3$:Eu에서 $2945pC/cm^2/mR$의 발광 강도로 이 값은 벌크 형광체 필름의 발광 강도보다 약 1.2배 높은 영상 획득을 위한 충분한 신호임을 확인할 수 있었다. 또한, 임상 진단 영역의 X선 조사선량 범위에서 대체로 좋은 선형적 특성을 보였다.

PET 기판상에 ECR 화학증착법에 의해 제조된 SnO2 투명도전막의 특성 (Characteristics of Transparent Conductive Tin Oxide Thin Films on PET Substrate Prepared by ECR-MOCVD)

  • 김연석;전법주;주재백;손태원;이중기
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • 제43권1호
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    • pp.85-91
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    • 2005
  • ECR-MOCVD를 이용한 상온조건에서 투명전도성 고분자막이$(CH_3)_4Sn-H_2-O_2$ 분위기하에 $SnO_2$막이 제조되었다. 제조된 투명전도막의 전기적특성은 공정압력, 전자석/분사링/기판사이의 거리, 전자석의 전류, 마이크로파 출력, 증착시간과 같은 공정변수에 따라 조사되었다. 마이크로파 출력과 전자석의 전류가 증가함에 따라 낮은 전기적 저항을 갖는 $SnO_2$막이 형성되었다. 또한 이들 공정변수들이 증착된 막의 광학적특성에 미치는 영향은 중요하게 나타났다. ECR-MOCVD에 의해 제조된 막의 투과도와 반사도는 380-780 nm의 가시광영역에서 각각 93-98%, 0.1-0.5%였다. 증착된 막의 평균 grain 크기는 공정변수에 관계없이 20-50 nm범위의 값으로 일정하였다. 본 연구의 최적화된 조건에서 전기적저항은 $7.5{\times}10^{-3}ohm{\cdot}cm$, 투과도 93%, 반사도 0.2%를 갖는 막이 얻어졌다.