Journal of Satellite, Information and Communications
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v.8
no.3
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pp.10-14
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2013
In this paper, when applying current-mode circuit design technique showing constant power dissipation none the less operation frequency, to the low power design of dynamic voltage frequency scaling, we introduce the low power current-mode circuit design technique applying MOSFET in sub-threshold region, in order to solve the problem that has large power dissipation especially on the condition of low operating frequency. BSIM 3, was used as a MOSFET model in circuit simulation. From the simulation result, the power dissipation of the current memory circuit with sub-threshold MOSFET showed $18.98{\mu}W$, which means the consumption reduction effect of 98%, compared with $900{\mu}W$ in that with strong inversion. It is confirmed that the proposed circuit design technique will be available in DVFS using a current-mode circuit design.
Kim, Se-Min;Kang, Kyung-Soo;Kong, Sung-Jae;Yoo, Hye-Mi;Roh, Chung-Wook
The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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v.22
no.4
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pp.277-284
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2017
For passive power factor correction, the valley fill circuit approach is attractive for low power applications because of low cost, high efficiency, and simple circuit design. However, to vouch for the product quality, two dc-link capacitors in the valley fill circuit should be selected to withstand the peak rectified ac input voltage. The common mode (CM) and differential mode (DM) choke should be used to suppress the electromagnetic interference (EMI) noise, thereby resulting in large size volume product. This paper presents the practical design and implementation of a valley fill flyback converter with reduced dc link capacitors and EMI magnetic volumes. By using the proposed over voltage protection circuit, dc-link capacitors in the valley fill circuit can be selected to withstand half the peak rectified ac input voltage, and the proposed CM/DM choke can be successfully adopted. The proposed circuit effectiveness is shown by simulation and experimentally verified by a 78W prototype.
Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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2009.05a
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pp.336-339
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2009
In this paper, such as battery power or solar energy and fuel cells generated from Renewable energy sources, high voltage to low voltage DC-DC Converter for converting the design of the study. System consists of low voltage ($24{\sim}28$ [VDC]) and Boosts the voltage (270 [VDC]) for a 3 [kW] DC-DC converter and control circuit is configured as, Power switch the ST Tomson's Automotive low voltage high current MOSFET switches STE250NS10S (temperature 250A) was applied to the two parallel. Also, Controller's processor used ATMEGA128, and Gate Drive applies and composed Photo Coupler TLP250. development. Input voltage (24V) and output voltage (270V) for Conversion in the H-bridge converter topology of the circuit output side power and voltage to control the implementation of the Phase shift angle control applied. And, 3kW of power to pass appropriate specification of the secondary side as interpreted by the high frequency transformer, and the experimental production and analysis of the experiment
Kim, Doo-Ung;Ryu, Kyu-Sang;Kim, Han-Soo;Shin, Dae-Sung;Ryu, Ki-Hwan;Kim, Chul-Hwan
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.29
no.9
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pp.59-64
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2015
IEC is an international standards which are used in many countries with Europe as the center. IEC standard is introduced in Korea according to WTO/TBT agreements, however until now there are no buildings in Korea which are designed applying IEC standard. Therefore, KEA(Korea Electric Association) is scheduled to construct Korean low voltage electrical installation integration test site which is designed applying IEC standard. In this paper, before being under construction of Korean low voltage electrical installation integration test site, power substation is modeled based on real design parameters and method to select circuit breakers and cables is presented applying IEC standard in the modeled power substation. EMTP(ElctroMagnetic Transient Program) is used for simulation program. EMTP which is power system analysis program is easy to model power system and power substation.
This paper presents a new voltage down converter(VDC) for low power, high speed DRAM. This VDC Consists of RVG(Reference Voltage Generator) and Driver Circuit. And it is independent of temperature variation, and Supply Voltage. Using weak inversion region, this RVG dissipates low power. Internal Voltage Source of this VDC is stable in spite of high speed operation of memory array. This circuit is designed with a $0.65\mu\textrm{m}$ nwell CMOS technology. In HSPICE simulation results, Temperature dependency of this RVG is $20\muV/^{\circ}C,$ supply voltage dependency is $\pm0.17%,$$VCC=3.3V\pm0.3V,$ and current dissipation is $5.22\muA.$ Internal voltage source bouncing of this VDC is smaller than conventional VDC.
This paper presents a two-stage power-efficient class-AB operational transconductance amplifier (OTA) based on an adaptive biasing circuit suited to low-power dissipation and low-voltage operation. The OTA shows significant improvements in driving capability and power dissipation owing to the novel adaptive biasing circuit. The OTA dissipates only $0.4{\mu}W$ from a supply voltage of ${\pm}0.6V$ and exhibits excellent high driving, which results in a slew rate improvement of more than 250 times that of the conventional class-AB amplifier. The design is fabricated using $0.18-{\mu}m$ CMOS technology.
In this paper, we propose a new level shifter circuit for reducing power consumption. The concept of the proposed level shifter is to use capacitive coupling effect to reduce short circuit current. The power consumption of the proposed level shifter is reduced up to 50%, compared to the conventional level shifter. Especially the proposed level shifter circuit works well with low temperature poly-Si (LTPS) TFTs. It can operate on low input voltage even with low-mobility, high and widely-varying threshold voltage of LTPS TFT.
Journal of information and communication convergence engineering
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v.5
no.3
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pp.285-288
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2007
PDP(Plasma Display Panel) driving circuit requires switching devices and capacitors to stand up high voltages over 150volts. Thereby the power consumption and the cost of a PDP driving circuit increase. In this paper, a PDP driving circuit is proposed that can be operated with a lower supply voltage than the supply voltage of conventional driving circuit. The operation of the proposed driving circuit is verified by the computer simulation and experiments. PSPICE simulation and experiments results show that the output signal can drive PDP cells when the supply voltage is higher than 40volts.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers A
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v.55
no.7
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pp.297-305
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2006
This paper summarizes a development of visualization software for protective engineering in low-voltage power systems. The study is concentrated on the following aspects. First, a software engineering method is applied for designing the object-oriented program. The design and implementation of a Graphic User Interface(GUI) and its integration to a power system framework are developed using object-oriented programming(OOP) in Visual C++. Second, we develop the short circuit analysis module that oriented a low-voltage power system. It is possible to calculate a peak, symmetrical RMS, DC component and asymmetrical fault currents for each time. And it is the first software that can calculate the fault current for single branch of three-phase system. The calculation accuracy is compared with commercial software, and the libraries of low-voltage components are served for convenience use. Third, protective engineering functions are equipped. It is possible to automatically select the circuit breaker which based on the user input characteristics and the fault current calculation and examine the protective coordination. Through the case study, we verified that the developed software can be effectively used to examine the protective engineering in low-voltage power systems.
In this study, the design of advanced LVDS(Low Voltage Differential Signaling) I/O interface circuit with new structural low triggering ESD(Electro-Static Discharge) protection circuit was investigated. Due to the differential transmission technique and low power consumption at same time. maximum transmission data ratio of designed LVDS transmitter was simulated to 5Gbps, Also, the LIGCSCR(Latch-up Immune Gate Coupled SCR)was designed. It consists of PLVTSCR (P-type Low Voltage Trigger SCR), control NMOS and RC network. The triggering voltage was simulated to 3.6V. And the latch-up characteristics were improved. Finally, we performed the layout high speed I/O interlace circuit with the low triggered ESD protection device in one-chip.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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