Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2013.05a
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pp.97-97
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2013
We present a comprehensive study on the integration of h-BN with silicon MOSFET. Temperature dependent mobility modeling is used to discern the effects of top-gate dielectric on carrier transport and identify limiting factors of the system. The result indicates that coulomb scattering and surface roughness scattering are the dominant scattering mechanisms for silicon MOSFETs at relatively low temperature. Interposing a layer of h-BN between $SiO_2$ and Si effectively weakens coulomb scattering by separating carriers in the silicon inversion layer from the charged centers as 2-dimensional h-BN is relatively inert and is expected to be free of dangling bonds or surface charge traps owing to the strong, in-plane, ionic bonding of the planar hexagonal lattice structure, thus leading to a significant improvement in mobility relative to undecorated system. Furthermore, the atomically planar surface of h-BN also suppresses surface roughness scattering in this Si MOSFET system, resulting in a monotonously increasing mobility curve along with gate voltage, which is different from the traditional one with a extremum in a certain voltage. Alternatively, high-k dielectrics can lead to enhanced transport properties through dielectric screening. Modeling indicates that we can achieve even higher mobility by using h-BN decorated $HfO_2$ as gate dielectric in silicon MOSFETs instead of h-BN decorated $SiO_2$.
Paringit, EC.;Nadaoka, K.;Rubio, MCD;Tamura, H.;Blanco, Ariel C.
Proceedings of the KSRS Conference
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2003.11a
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pp.667-669
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2003
A bio-optical model was developed specific for turbid and shallow waters. Special studies were carried out to estimate absorption and scattering properties as well as backscattering probability of suspended matter. The inversion of bio-optical model allows for direct retrieval of turbidity and chlorophyll- a from the visible-near infrared (VNIR) range sensor. Time-series satellite imagery from ASTER AM-1 sensor, were used to monitor the Laguna de Bay water quality condition. Spatial distribution of temperature for the lake was extracted from the thermal infrared (TIR) sensor. Corresponding field surveys were conducted to parameterize the bio -optical model. In-situ measurements include suspended particle and chlorophyll-a concentrations profiles from nephelometric devices and processing of water samples. Hyperspectral measurements were used to validate results of the bio -optical model and satellite- based estimation. This study provides a theoretical basis and a practical illustration of applying space- based measurements on an operational basis.
Recently, resistivity surveys have been frequently carried out over the irregular terrain such as mountainous area. Such an irregular terrain itself can produce significant anomalies which may lead to misinterpretations. In this study, topographic effects in resistivity survey were studied using the physical scale modeling as well as the numerical one adopting finite element method. The scale modeling was conducted at a pond, so that we could avoid the edge effect, the inherent problem of the scale modeling conducted in a water tank in laboratory. The modeling experiments for two topographic features, a ridge and a valley with various slope angles, confirmed that the results by the two different modeling techniques coincide with each other fairly well for all the terrain models. These experiments adopting dipole-dipole array showed the distinctive terrain effects, such that a ridge produces a high apparent resistivity anomaly at the ridge center flanked by zones of lower apparent resistivity. On the other hand, a valley produces the opposite anomaly pattern, a central low flanked by highs. As the slope of a terrain model becomes steeper, the terrain-induced anomalies become stronger, and moreover, apparent resistivity can become even negative for the model with extremely high slope angle. All the modeling results led us to the conclusion that terrain effects should be included in the numerical modeling and/or the inversion process to interpret data acquired at the rugged terrain area.
TSP (Tunnel Seismic Profiling) survey is a technique for imaging and characterizing geological structures ahead of a tunnel face. The seismic modeling algorithm and the synthetic data could be helpful for TSP surveys. However, there is few algorithm to describe the propagation of the elastic waves around the tunnel. In this study, existing 2-dimensional seismic modeling algorithm using finite element method was modified to make a suitable algorithm for TSP modeling. Using this algorithm, TSP modeling was practiced in some models. And the synthetic data was analyzed to examine the propagation characteristics of the elastic waves. First of all, the modeling for the homogeneous tunnel model was practiced to examine the propagation characteristics of the direct waves in the vicinity of the tunnel. And the algorithm was applied to some models having reflector which is perpendicular or parallel to the excavation direction. From these, the propagation characteristics of the reflected waves were examined. Furthermore, two source-receiver arrays were used in respective models to investigate the properties of the two arrays. These modeling algorithm and synthetic data could be helpful in interpreting TSP survey data, developing inversion algorithm and designing new source-receiver arrays.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
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v.36
no.6
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pp.424-429
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1987
It has been observed that the reduction rate of the inversion layer carrier mobility due to the increase of the longitudinal electric field(drain to source direction) decreases as the transverse electric field increases. The effects of this physicar phenomenon to the I-V characteristics of the short channel NMOSFET are studied. It is shown that these effects increase the drain Current in the saturatio region, which agrees with the genarally observed decrepancy between the experimental I-V charateristics and the I-V modeling which dose not include this physical phenomenon. Also it is shown that this effect becomes more important when the device channel length decreases and the device operates in the high electric field range.
In this paper, the concept of ultrasonic transmission imaging system with crossed -arrays is Introduced. The crossed-array system is simulated by angular spectrum method In the operating frequency of 12MHz. A theoritical development of a system transfer function matrix 1M is presented. Using this matrix, a priori knowledge on the physical properties of the system is understood. It proves to be a block Toeplitz matrix with Toeplitz entries. Using the Inversion procedure, the spatial degradations of the measured image can be removed.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.17
no.11
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pp.1290-1298
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1992
In this paper, the Poisson's equation is solved two-dimensionally without employing any fitting parameters, and the model formulation of a short-channel MOSFET is accomplished fully analytically. It automatically derives a very accurate drain current expression that can be used simultaneously for strong inversion, subthreshold, and saturation regions. Furthermore, this model gives a unified explanation for the short-channel effect, the body effect, the DIBL effect, and even the variation of the effective carrier mobility. The obtained expression of the threshold voltage also includes the dependence on the oxide thickness, the n+ junction depth, and temperature.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.15
no.6
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pp.653-657
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2015
A new paired gate-source voltage RF capacitance-voltage (C-V) method of extracting the effective channel length and parasitic capacitance using the intersection between two closely spaced linear regression lines of the gate capacitance versus gate length measured from S-parameters is proposed to remove errors from conventional C-V methods. Physically verified results are obtained at the gate-source voltage range where the slope of the gate capacitance versus gate-source voltage is maximized in the inversion region. The accuracy of this method is demonstrated by finding extracted value corresponding to the metallurgical channel length.
When magnetotelluric (MT) data are obtained in the vicinity of the coast, the surrounding seas make it difficult to interpret subsurface structure, especially the deep part of the subsurface. We introduce an iterative method to correct the sea effect, based on the previous topographic correction method that removes the distortion due to topographic changes in seafloor MT data. The method first corrects the sea effect in observed MT impedance, and then inverts corrected response in a model space without the sea. Due to mutual coupling between the sea and the subsurface structure, the correction and inversion steps are iterated until the changes in each result become negligible. The method is tested for 1- and 2-D structures using synthetic MT data produced by 3-D forward modeling including surrounding seas. In all cases, the method closely recovers the true structure assumed to generate synthetic responses after a few iterations.
Journal of Korean Institute of Industrial Engineers
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v.26
no.2
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pp.95-100
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2000
Presented in this paper is a scheme for constructing ball rolling blends of a non-uniform B-spline surface(NUBS) patches. Ball rolling blending is a popular technique for blending between parametric surfaces. Along the "common edge" of a pair of "base surfaces" to be blended, a sequence of "ball positions" is sampled. The radius of the ball may vary along the line. At each sampling point, a ball center point and a pair of ball contact points are computed by applying a Jacobian inversion method. Using ball contact points, the constructing scheme of blend NUBS patches consists three steps; 1) determination of intermediate control vertices; 2) determination of boundary vectors; 3) determination of B-spline control vertices. The proposed blending scheme has been tested in a Omega CAM system and found to be working satisfactorily.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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