The characteristic variation of 3-dimensional (3-D) solenoid-type embedded inductors is investigated. Four different structures of a 3-D inductor are fabricated by using a low-temperature co-fired ceramic (LTCC) process, and their s-parameters are measured between 50 MHz and 5 GHz. The circuit model parameters of each building block are optimized and extracted using the partial element equivalent circuit method and an HSPICE circuit simulator. Based on the model parameters, the characteristics of the test structures such as self-resonant frequency, inductance, and quality (Q) factor are analyzed, and predictive modeling is applied to the structures composed of a combination of the modeled building blocks. In addition, characteristic variations of the 3-D inductors with different structures using extracted building blocks are also investigated. This approach can provide a characteristic estimation of 3-D solenoid embedded inductors for structural variations.
Journal of electromagnetic engineering and science
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제4권1호
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pp.30-36
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2004
We determined equivalent circuit parameters of a 1.5 cell S-band RF gun cavity from the resonant characteristics of its decoupled cavities(half cell and full cell) using the code SUPERFISH. Equivalent circuit parameters of the 1.5 cell RF gun cavity resonated in the 0-mode were obtained easily from the circuit parameters of each decoupled cavities. In order to obtain equivalent circuit parameters for the $\pi$ -mode cavity, we calculated the differences of the resonant frequencies and the equivalent resistances between the 0- and $\pi$ -modes with slight variations of the radius and thickness of the coupling iris. From those differences, we obtained R/Q value and equivalent resistance of the $\pi$ -mode, which are directly related to the equivalent circuit parameters of the coupled cavity. Using calculated R/Q value, we can express equivalent inductance, capacitance and resistances of the RF gun cavity resonated in the $\pi$ -mode, which can be useful for analyzing coupled cavities in a steady state.
Several new via structures in printed circuit boards are proposed, fabricated and characterized in RF regime. The new structure with a larger inductance component in the bottom layer shows 3㏈ improvement over the conventional structure. The ADS simulation with model parameters extracted from 3D fie]d solver matches with the characterization of these vias
This paper presents a procedure to design a real time control system for a magnetic levitation system based on the state space approach by adopting a control method compensating attractive force according to load variation of maglev vehicle. Also the paper has realized a robust control algorithm for the change of self-inductance parameters and the disturbance such as the change of mass of Maglev vehicles. The theoretical results are applied to the gap control problems of an attractive-type-magnetic levitation system and the effectiveness is proved by the implementation of digital control using 16 bits microcomputer.
A method for computing the capacitance and inductance matrix for 2-D multiconductor transmission lines with arbitrary cross section in dielectric medium is presented. The integral equation is obtained by using a free space Green function in conjunction with free and bound charges existing on boundary surfaces. The numerical analysis is based on the moment method using point matching and Galerkin method. And kthe scheme to reduce memory and computation time is presented for symmetric structure.
This paper presents the design of an electromagnetic system such as jumping ring system, and also considers the characteristics of dynamics for system with initial parameter. For the propose of system analysis, the MATLAB tool is to solve coupled differential equations with inductances and mutual inductance. To apply a real electromagnetic system, this paper implements the jumping ring system using design parameters, and analyzes the jumping ring system with proposal step.
High resistivity(HR) silicon-on-insulator(SOI) RF CMOS 공정 인덕터의 모델 파라미터를 정확히 결정하기 위하여 직접추출과 simultaneous optimization을 사용한 개선된 방법을 개발하였다. 먼저, 대칭형 인덕터와 센터탭이 접지된 대칭형 인덕터 등가회로들의 Y 및 Z-파라미터 방정식 유도를 통해 일부 모델 파라미터들을 직접 추출하고, 병렬 저항과 전체 인덕턴스 방정식들로 미지 변수들을 줄여 모델링 정확도를 향상시켰다. 또한, 두 등가회로의 동일한 모델 파라미터들을 공통 변수로 두고 S-파라미터 데이터 세트를 동시에 optimization함으로써 optimization 정확도를 크게 향상시켰다.
본 연구에서는 시간영역에서 전력이 해석되어지므로 이해하기 쉽고, 비교적 계측하기 용이한 상관함수에 의한 순시전력이론에 대해서 고찰하였다. 상관함수에 의한 순시전력이론은 시간영역에서 전압과 전류의 자기상관함수와 상호상관함수에 의해서 전력과의 전압과 상관성에 따라 상관전력과 비상관 전력으로 분해된다. 분해된 두 가지 전력성분으로부터 비선형 부항의 특성에 따라 전력과 전류를 유효성분, 기본파 무효성분 그리고 고조파성분 등 3성분으로 분해한다. 능동전력필터는 그 보상특성상 전력과 전류의 3성분만을 다루며, 실시간 제어를 위해 그외의 여러 복잡한 그리고 구현의 어려움이 있는 전력모델은 경제적이지 못하다. 상관함수적인 순시전력이론에 의해 분석된 전력성분들의 타당성을 입증하기 위해서 전압형 DSP능동전력필터를 제작하였다. 싸이리스터 제어 유도전동기 구동시스템의 전력을 제안된 순시전력이론에 의해 3성분으로 분해한 후, 이들 성분중에서 보상기준전류로 고조파성분과 기본파 무효성분을 각각 제어하여 그 보상결과로부터 타당성을 입증하였다.
고전압 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (IGBT)의 개발로 기존의 GTO(Gate Turnoff Thyristor)가 적용되는 분야에서 더 효율적인 새로운 소자로 인정받고 있다. IGBT는 금속 산화막 반도체 트랜지스터(MOSFET)와 바이폴라 전력 트랜지스터의 장점을 결합한 소자이다. IGBT의 전기적 특성의 변화는 주로 입력단자에 MOSFET와 출력단자에 PNP 트랜지스터의 특성에 달려있다. IGBT의 가장 중요한 설계변수중의 하나인 문턱전압의 변화는 방사선이 존재하는 환경에 게이트 산화막(oxide)에서 전하포획(charge trapping)에 의해 발생되고 에너지 손실을 야기시킨다. 또한, 에너지 손실은 초퍼회로의 인덕턴스 값이 변화될 때 발생됨을 연구한다. 본 논문에서 IGBT의 전기적 특성을 SPICE로 시뮬레이션하고, IGBT 기반 인덕턴스와 문턱전압의 변화에 따른 전기적 특성을 분석하고자 한다.
이 논문에서는 패키지 인덕턴스를 고려한 다중 단자에서의 전도성 실리콘 기판에서의 커플링을 모델링하고 정량적으로 특성화한다. 이것을 위해 2단자 커플링 모델로부터 추출할 수 있는 모델 파라미터를 일반적인 구조에 적용할 수 있도록 개선하였다. 그리고 다중 단자의 노이즈 소스에 의한 기판 커플링 특성을 위해 기판의 주파수 의존적인 특성을 정확히 반영하는 2단자 기판 커플링 모델을 선형적으로 결합함으로써 일반적인 구조에 적용될 수 있도록 확장하였다. 또한 패키지 인덕턴스는 시스템의 특성 주파수를 높은 주파수 영역으로 이동시킴으로써 결과적으로 기판 커플링을 증가시키므로 정확한 분석이 요구된다. 따라서 기판 커플링 모델에 패키지 인덕턴스 성분을 추가하고 이를 정량적으로 분석함으로써 설계 초기 단계에서 패키지의 영향과 기판 커플링의 영향을 동시에 고려한 회로 성능 분석이 가능하도록 하였다. 그러므로 이 논문에서 제안한 방법은 복잡한 혼성 신호 회로의 성능 분석에 매우 유용하게 이용될 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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