• 대한전자공학회논문지SD
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• 제48권1호
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• pp.14-21
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• 2011

본 논문에서는 LTE-Advanced, Software defined radio(SRD)등 4G 이동통신 핵심기술에 응용 가능한 10b 500MS/s $0.13{\mu}m$ CMOS A/D 변환기(ADC)를 제안한다. 제안하는 AD는 저전력 특성을 만족하기 위해 특별한 보정기법을 포함하지 않는 단일 채널 형태로 설계되었으며, 500MS/s의 고속 변환속도를 만족하기 위해 폴딩 신호처리 기법을 사용하였다. 또한 하위 7b ADC의 높은 folding rate(FR)을 극복하기 위해 cascaded 형태의 폴딩 인터폴레이팅 기법을 적용하였으며, 폴딩 버스에서 발생하는 기생 커패시턴스에 의한 주파수 제한 및 전압이득 감소를 최소화하기 위해 folded cascode 출력단을 갖는 폴딩 증폭기를 설계하였다. 제안하는 ADC는 $0.13{\mu}m$ lP6M CMOS 공정으로 설계되었으며 유효면적은 $1.5mm^2$이다. 시제품 ADC의 INL, DNL은 10b 해상도에서 각각 2.95LSB, 1.24LSB 수준으로 측정되었으며, 입력주파수 9.27MHz, 500MHz의 변환속도에서 SNDR은 54.8dB, SFDR은 63.4dBc의 특성을 보인다. 1.2V(1.5V)의 전원전압에서 주변회로를 포함한 전체 ADC의 전력소모는 150mW ($300{\mu}W/MS/s$)이다.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 제어로봇시스템학회 2001년도 ICCAS
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• pp.158.1-158
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• 2001

An algorithmic gray code analog-to-digital converter (ADC), which is based on gray coding, is proposed in this article. The realization method makes use of a MOS triangular function circuit to provide a high-speed operation and low accumulated error. The proposed ADC is simple, small in size and suitable for fabrication using a standard CMOS process. Simulation results showing the performances of the proposed circuit are also included.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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• pp.1229-1232
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• 2003

In this paper, The High-speed Low-power Analog-to-Digital Convener Archecture is proposed using the parallel S/H for High-speed operation. This technique can significantly reduce the sampling frequency per S/H channel. The Analog-to-Digital Converter is designed using 0.35${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS technology. The simulation result show that the proposed Analog-to-Digital Converter can be operated at 40Ms/s with 8-bit resolution and INL/DNL errors are +0.4LSB~-0.6LSB / +0.9LSB~-1.4LSB , respectively.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1999년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.212-215
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• 1999

High-speed device is essential to optoelectric IC for optical storage system such as CD-ROM, DVD, and to ADC for high-speed communication system. This paper represents the BiCMOS process which contains high-speed SAVEN bipolar transistor and analyzes the frequency and switching characteristics of it briefly. Finally, to prove that the SAVEN device is adequate for high-speed system, latched comparator operating at 500MHz is designed with the SPICE parameter extracted from BiCMOS device simulation.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.164-167
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• 2000

This paper introduces the design of high-speed analog-to-digital converter for hard disk drive (HDD) read channel. This is based on autozero technique for low-error rate, and Double Speed Dual ADC(DSDA) technique lot efficiently increasing the conversion speed of A/D converter. This An is designed by 6bit resolution, 800M sample/s maximum conversion rate, 390㎽ power dissipation, one clock cycle latency in 0.65 $\mu\textrm{m}$ CMOS technology.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권2호
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• pp.1-8
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• 2009

본 논문에서는 일반적인 Folding 구조를 이용한 R-String Folding Block과 Second Folding Block을 제안하여 최대 500Msample/s로 동작하는 ADC를 설계하였다. 제안된 Folding ADC의 R-String Folding Block에서는 상위 4bit를 병렬로 처리하여 디지털 출력을 얻어내며, Second Folding Block에서는 하위 4bit를 새로운 pipeline 방식을 통해 디지털 출력을 얻어낸다. HSPICE 시뮬레이션 과정을 통해 ADC 동작을 확인하였으며 최대 샘플링 주파수인 500Msample/s로 동작할 경우의 평균 전력소모는 1.34mW로 매우 작음을 확인하였다. 램프입력을 인가하면서 디지털 출력이 변할 때의 입력전압을 측정하여 DNL과 INL을 구한 결과 DNL은 $-0.56LSB{\sim}0.49LSB$, INL은 $-0.94LSB{\sim}0.72LSB$의 특성을 나타내었다. 사용된 MOSFET 파라미터는 MOSIS에서 제공하는 $0.35{\mu}m$ 공정 파라미터이다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(1)
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• pp.69-72
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• 2000

This paper shows the more improved design of MRI receiver compared to conventional one based on Elscint Spectrometer. At first, the low-cost ADC is 16 bits, 3MHz sampling A/D converter Comparing to conventional one with signal bits of 14 bits, this device with those of 16 bits helps getting Improved the image resolution improved. If frequency is designed centering around 7.6 MHz to be satisfied in 10 MHz of maximum input bandwidth of ADC. For 1st demodulation, fixed IF is used for the purpose of the implementing multi nuclei system. Control parts & partial digital parts are integrated on one chip(FPGA). In DDC(Digital Down Converter), we got required bandwidth of LPF by controlling its decimation rate. With above considerations, we designed optimal receiver for high resolution imaging to be implemented through PC interface & experimental test of receiver of MRI after receiver's fabrication.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제7권4호
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• pp.115-120
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• 2002

본 논문은 Field Programmable Gate Array (FPGA)와 디지털 신호처리 소자를 이용한 IS-95 CDMA신호 처리기 FPGA와 고속의 ADC/DAC를 이용한 기저대역과 중간주파수(IF)의 디지털 변환기 그리고 주파수 상·하향 변환기를 구현하였다. IS-95 CDMA 채널 처리기는 짧은 PN 코드 발생기와 왈쉬 코드 발생기로 파일롯 채널의 신호를 발생시킨다. 디지털 IF는 FPGA, 디지털 송·수신 신호처리 소자와 고속의 ADC/DAC로 구성하였다. 주파수 상·하향 변환기는 필터, 믹서, 디지털 감쇠기와 PLL로 구성되어 중간주파수(IF)와 RF 주파수를 변환하였다. 이 구현된 시스템은 IS-95 CDMA 기지국 장비 등에 장착할 수 있다.

• 한국항행학회논문지
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• 제20권6호
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• pp.612-616
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• 2016

감마선이 존재하는 시설물에서는 발생 즉시 이를 발견하여 처리해야 하며 이와 관련하여 무작위적으로 발생하는 신호를 처리하는 소프트웨어적인 방법을 사용하기도 하나 소프트웨어의 메모리 용량과 처리시간이 커지게 된다. 한편 하드웨어적인 방법으로 신호처리할 수 있는 회로가 일반화되어 있으나 발생 신호의 크기가 미약하고 속도가 고속인 경우에는 이에 대응하지 못한다. 하드웨어적으로 효과적으로 신호처리하려면 값이 매우 비싼 부품과 복잡한 회로를 필요로 한다. 따라서 본 연구에서는 크기는 미약하지만 속도가 고속인 감마선 발생신호에 대해서 하드웨어적으로 간단한 피크홀드 회로를 개발하여 피크 시점에서 ADC가 신호값을 직접 읽어냄으로써 감마선 신호의 피크치를 검출하는 회로를 연구, 개발하였다. 이러한 방법으로 하면 복잡한 소프트웨어 신호처리 방법을 사용하지 않고도 고속 발생신호를 효과적으로 포착할 수 있으므로 감마선의 존재가 농후한 방사능 환경에서 이를 사용하기에 적합하다.

• 전자공학회논문지
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• 제52권9호
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• pp.63-73
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• 2015

본 논문에서는 특별한 보정기법 없이 채널 간 오프셋 부정합 문제를 최소화한 2채널 time-interleaved (T-I) 구조의 10비트 120MS/s 파이프라인 SAR ADC를 제안한다. 제안하는 ADC는 4비트-7비트 기반의 2단 파이프라인 구조 및 2채널 T-I 구조를 동시에 적용하여 전력소모를 최소화하면서 빠른 변환속도를 구현하였다. 채널 간에 비교기 및 잔류전압 증폭기 등 아날로그 회로를 공유함으로써 일반적인 T-I 구조에서 선형성을 제한하는 채널 간 오프셋 부정합 문제를 추가적인 보정기법 없이 최소화할 뿐만 아니라 전력소모 및 면적을 감소시켰다. 고속 동작을 위해 SAR 로직에는 범용 D 플립플롭 대신 TSPC D 플립플롭을 사용하여 SAR 로직에서의 지연시간을 최소화하면서 사용되는 트랜지스터의 수도 절반 수준으로 줄임으로써 전력소모 및 면적을 최소화하였다. 한편 제안하는 ADC는 기준전압 구동회로를 3가지로 분리하여, 4비트 및 7비트 기반의 SAR 동작, 잔류전압 증폭 등 서로 다른 스위칭 동작으로 인해 발생하는 기준전압 간섭 및 채널 간 이득 부정합 문제를 최소화하였다. 시제품 ADC는 고속 SAR 동작을 위한 높은 주파수의 클록을 온-칩 클록 생성회로를 통해 생성하였으며, 외부에서 duty cycle을 조절할 수 있도록 설계하였다. 시제품 ADC는 45nm CMOS 공정으로 제작되었으며, 측정된 DNL 및 INL은 10비트 해상도에서 각각 최대 0.69LSB, 0.77LSB이며, 120MS/s 동작속도에서 동적 성능은 최대 50.9dB의 SNDR 및 59.7dB의 SFDR을 보여준다. 시제품 ADC의 칩 면적은 $0.36mm^2$이며, 1.1V 전원전압에서 8.8mW의 전력을 소모한다.