본 연구에서는 micro magnetic device의 제작과 특성 분석을 위하여 고주파수 대역에서 사용가능한 자성체의 개발과 meander형 마이크로 코일의 가공 기술 확립에 그 목적을 두었다. 자성체로서는 DC magnetron reactive sputtering system에 의해 제조된 초 미세결정구조를 갖는 FeTaC, FeTaN막을 사용하였으며, 그 자기적 특성은 다음과 같다. Bs:13~17kG, Hc:0.1~0.2Oe, $\mu$':2000~4000. 전기 도금법에 의해 제작된 Cu코일은 2$\mu$$\Omega$-cm의 비저항을 나타내었으며, 공심형 5turn 언덕터의 경우에는 50nH의 인덕턴스와 700MHz의 공진 주파수 그리고 200MHz에서 30의 성능 지수를 보였다. 또한 meandergudxo의 폐자로 인덕터에서 인덕턴스는 150nH, 공진 주파수는 100MHz, 그리고 성능지수는 10~30 MHz에서 4의 값을 나타내었다.
본 논문에서는 저손실 ${Al_2}{O_3}$ 코아 물질을 이용한 초소형 고성능 솔레노이드 형태 RF 칩 인덕터에 대하여 연구하였다. 본 논문에서 제작된 칩 인덕터의 크기는 $0.86{\times}0.46{\times}0.45m^3$, $1.5{\times}1.0{\times}0.7m^3$, $2.1{\times}1.5{\times}1.0m^3$와 $2.4{\times}2.0{\times}1.4m^3$으로 하였고, 코일은 $27{\sim}40{\mu}m$의 구리선을 사용하였다. 개발된 인덕터의 인덕턴스, 품질계수, 임피던스의 고주파수 특성은 HP16193A test fixture가 장착된 RF Impedance/Material Analyzer(HP4291B)를 이용하여 측정되었다. 7회 권선된 인덕터들은 13${\sim}$100nH의 인덕턴스와 6.4${\sim}$1.1GHz의 자기공진주파수를 가진다. 인덕터들의 자기공진주파수는 인덕턴스가 증가함에 따라 감소하고, 인덕터들의 직접쓰기는 300MHz${\sim}$1.3GHz의 주파수 범위에서 50${\sim}$80을 가진다. 본 연구에서는 높은 인덕턴스와 높은 직접쓰기를 갖는 초소형 솔레노이드 형태 RF 칩 인덕터가 성공적으로 제작되었다.
A novel high-Q vertical jinductor for MMICs is proposed and characterized in a wide range of frequencies (DC~10 GHz) using the numerical methods such as the PeEC(partial equivalent element circuit), the FDM (finite difference method) and the MoM (method of moments). Electrical superiority of the vertical inductor to the horizontal is observed in terms of the magnetic flux linkage and the ground screening effect. The veritcal bondwire inductor is designed in consideration of the wire bonding feasibility and the optimum electrical peformance. This structure is also analyzed using the equivalent circuit and compared with the conventional spiral inductors From the calculated results, high Q-factor, inductance, and cut-off frequency are observed to be inherent characteristics of the veritcal bondwire inductor.
본 논문에서는 LC 공진회로를 이용한 2 단자 능동 인덕터를 제안한다. 제안된 회로는 기존 자이레이터 구조의 1 단자 능동 인덕터들을 캐스코드 형태로 결합하였으며, 두 자이레이터 사이에 LC 공진회로를 추가시켰다. LC 공진회로는 능동 인덕터를 구성하는 트랜지스터의 기생 성분들을 상쇄시킴으로써 넓은 대역에서 높은 Q-지수를 제공한다. 제안된 회로는 삼성전자 65 nm 공정을 이용하여 시뮬레이션과 제작을 수행하였으며, 1~6 GHz 대역에서 2 nH의 일정한 인덕턴스와 40 이상의 높은 Q-지수를 가진다.
본 논문에서는 심장박동 측정 레이더 송수신기용 24 GHz I/Q 발생기를 제안한다. 공정 변화에 따른 I/Q LO 신호간의 부정합 특성을 개선하기 위하여 인덕터와 캐패시터로 구성된 high-pass 위상천이기와 low-pass 위상천이기 기반 24 GHz I/Q LO 발생기를 제안하였다. 제안한 24 GHz I/Q 발생기는 LO 버퍼와 high-pass 위상천이기와 low-pass 위상천이기 구성된 24 GHz I/Q LO 발생기는 65 nm CMOS 공정에서 설계되었고, 전원 전압 1 V에서 8 mA의 전류를 소모하면서 24.05 GHz에서 24.25 GHz의 주파수 대역에서 7.5 dB의 전압 이득, 2.3 dB의 잡음 지수, 공정 및 온도 변화에 대해 0.1 dB의 I/Q 이득 부정합, 4.3도의 I/Q 위상 부정합의 성능을 보인다.
In this paper, a novel design of multilayer ceramic-based Transmit/Receive (T/R) switch using Low Temperature Co-fired Ceramic (LTCC) technology have been presented. Compact T/R switch has been designed by transforming quarter-wave transmission line to its lumped equivalent circuit. Especially, high-Q three dimensional inductors with double strip have been proposed and incorporated. The proposed inductor has been modeled by multi-conductor coupled lines. A measured inductor quality factor (Q) of 80 and a Self-Resonance Frequency (SRF) of 6.6 GHz have been demonstrated. The inductor library has been incorporated into the design of WCDMA T/R switch.
Fully embedded tunable bandpass filter (BPF) with inductive coupling circuits is newly designed and demonstrated for UHF TV tuner ranged from 500MHz to 900MHz receivers. Conventional RF tuning circuit with an electromagnetic coupled tunable filter has several problems such as large size, high volume, and high cost, since the electromagnetic coupled filter is comprised of several passive components and air core inductors to be assembled and controlled manually. To address these obstacles, compact tunable filter with inductive coupling circuit was embedded into low cost organic package substrate. The embedded filter was optimally designed to have high performance by using high Q spiral stacked inductors, high dielectric $BaTiO_3$ composite MIM capacitors, varactor diodes. It exhibited low insertion loss of approximately -2dB, high return loss of below -10dB, and large tuning range of 56.3%. It has an extremely compact size of $3.4{\times}4.4{\times}0.5mm^3$.
In this paper, the modeling and design of high-Q multilayer passives have been investigated, and multilayer diplexer for GSM/DCS applications has been designed and fabricated using the passives. To minimize the system, the configuration of a multilayer inductor has involved a square spiral structure. Modeling of a multilayer inductor was performed by the subsystems of distributed components, and using the modeling the optimal structures of the high-Q multilayer inductor could be designed by analyzing parasitics and couplings which affect their frequency characteristics. Multilayer diplexer for GSM/DCS application has been designed and fabricated using LTCC technology. LPF for GSM band had the passband insertion loss of less than 0.55 dB, the return loss of more than 12 dB, and the isolation level of more than 26 dB by locating attenuation pole at 1800 MHz. HPF for DCS band had the passband insertion loss of less than 0.82 dB, the return loss of more than 11 dB, and the isolation level of more than 38 dB by locating attenuation pole at 930 MHz.
In this paper, fully embedded and miniaturized diplexer device has been developed and characterized for dual-band/mode CDMA handset applications. The size of the embedded diplexer is significantly reduced by embedding high Q circular spiral inductors and high DK MIM capacitors into a low cost organic package substrate. The fabricated diplexer has insertion losses and isolations of -0.5 and -23 dB at 824-894 MHz and -0.7 and -22 dB at 1850-1990 MHz, respectively. Its size is $3.9mm{\times}3.9mm{\times}0.77mm$. The fabricated diplexer is the smallest one which is fully embedded into a low cost organic package substrate.
본 논문은 패키징 인덕터를 이용한 완전 집적화된 DC-DC 벅 컨버터를 소개한다. 사용된 패키징 인덕터는 본딩 와이어와 리드 프레임의 기생 인덕턴스를 포함한다. 이들은 실리콘 위에서 구현되는 온-칩 인덕터 보다 높은 Q 인자를 가진다. 또한 본 논문은 고주파 스위칭 컨버터의 효율적인 레귤레이션을 위해 로우-스윙 게이트 드라이버를 제안한다. 로우-스윙 드라이버는 다이오드-커넥티드 트랜지스터의 전압 드롭을 이용한다. 제안된 컨버터는 $0.13-{\mu}m$ CMOS 공정을 통해 설계 및 제작되었다. 제작된 벅 컨버터의 효율은 입출력 전압비가 3.3 V/ 2.0 V와 2.8 V/ 2.3 V 일 때, 각각 68.7%, 86.6%로 측정되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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