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Tl-201 심근관류 SPECT 검사에서 광대역 재구성(Wide Beam Reconstruction: WBR) 방법과 여과 후 역투영법에 따른 영상의 질 및 정량적 지표 값 비교 (The Comparison of Image Quality and Quantitative Indices by Wide Beam Reconstruction Method and Filtered Back Projection Method in Tl-201 Myocardial Perfusion SPECT)

  • 윤순상;남기표;심동오;김동석
    • 핵의학기술
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    • 제14권2호
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    • pp.122-127
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    • 2010
  • 광대역 재구성 기법(Wide Beam Reconstruction : WBR)은 잡음을 감소시켜 신호 대 잡음 비를 증가시키고, 또 광속 확산 함수 효과(Beam spread function effect)를 저하시킴으로써 기존의 여과 후 역투영법(Filtered Back Projection : FBP)와 비교하였을 때 영상의 질은 동등하고 영상획득 시간을 줄일 수 있는 장점이 있다고 보고 있다. 본 연구는 UltraSPECT(Haifa,Israel)사 광대역 재구성 기법 인 Xpress3.$cardiac^{TM}$를 이용하여 기존의 FBP기법에 대한 WBR기법의 유용성을 알아보고자 한다. 1. Phantom 실험 : Anthropomorphic torso phantom을 사용하여 심근과 연부조직 그리고 폐 영역에$^{201}Tl$을 각각 74 kBq(2 ${\mu}Ci$)/cc, 11.1 kBq (0.3 ${\mu}Ci$)/cc, 2.59 kBq (0.07 ${\mu}Ci$)/cc의 비율로 투여하여 검사 시 실제 환자의 count와 유사하게 phantom을 제작하였다. 영상획득은 게이트법 적용 없이 Tl-201 심근관류 SPECT를 시행하였다. FBP로 재구성 한 영상은 투사영상 당 50초로 영상을 획득하였고, WBR으로 재구성 한 영상은 시간을 1/4로 단축하여 투사영상 당 13초로 영상을 획득하였다. 두 가지 기법으로 재구성한 영상을 Xeleris ver. 2.0551을 이용하여 반치폭(Full Width at Half Maximum : FWHM)과 평균 영상 대조도를 비교하였다. 2. 환자 정량분석 값 비교 : 2010년 1월 ~ 4월까지 본원에서 Tl-201 심근관류 SPECT 시행한30명의 환자를 대상으로 분석하였다. 먼저 아데노신 부하 후 stress 촬영 시 투사영상당 50초로 약 15분 동안 영상을 획득한 후 곧바로 투사영상당 13초로 약 4분 동안 영상을 다시 획득하였다. 또 rest 촬영시에도 동일하게 획득하였다. 투사영상 당 50초로 획득한 데이터는 FBP기법으로, 투사영상 당 13초로 획득한 데이터는 WBR기법으로 재구성하여 SSS, SDS, SRS, EDV, ESV, EF 값을 산출하여 비교 하였다. Phantom 실험 후 분해능 측정 결과, WBR기법으로 재구성한 경우 FBP기법에 비하여 FWHM은 29.46% 향상되었다(WBR data: 5.47 mm, FBP data: 7.07 mm). 또 평균 영상 대조도 증가하는 것으로 나타났다(WBR data: 0.90, FBP data: 0.56). 반면 환자 데이터를 분석한 결과, SSS, SDS, SRS, EDV, ESV, EF 등 정량분석 값들은 상호간에 유의한 차이를 보였다(p<0.01). 상관계수는 SSS, SDS, SRS에서 각각 0.18, 0.34, 0.08로 통계적으로 유의한 차이를 보였지만 EDV, ESV, EF에서는 각각 0.88, 0.89, 0.71로 좋은 상관관계를 보였다. Phantom 실험 결과 WBR기법은 FBP에 비해 분해능이 향상된 결과를 보였고, 평균 영상 대조도 역시 증가하는 것으로 나타났다. 환자 데이터를 분석하였을 때, WBR기법과 FBP기법 간의 정량분석 값들은 유의한 차이를 보였고, 상관계수 또한 SSS, SRS, SDS에서 유의한 차이가 보였으나, EDV, ESV, EF값에서는 높은 상관관계를 나타났다. 본 연구를 통하여 phantom 실험에서는 영상 획득 시간의 단축 및 영상의 질 향상을 확인할 수 있었다. 단, 환자 데이터에 대한 정량분석에서는 기존의 FBP기법에 비하여 많은 차이가 있어 임상에 적용 시 이에 대한 고려 및 추가적인 연구가 필요할 것이라고 사료된다.

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정공 저지층의 재료변화에 따른 청색유기발광소자의 특성분석 (Analysis of Characteristics of the Blue OLEDs with Changing HBL Materials)

  • 김중연;강명구;오환술
    • 전자공학회논문지 IE
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    • 제43권4호
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    • pp.1-7
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    • 2006
  • 본 연구에서는 정공 저지층이 없는 Type I과 정공 저지층으로 두께가 30${\AA}$인 BCP와 BAlq 재료를 사용한 Type II의 청색 유기발광소자를 제작하였다. ITO 박막 위에 $N_2$ 가스에서 플라즈마 출력이 200 W 일 때, 5.02 eV의 일함수 값을 갖는 ITO를 얻을 수 있었다. Type I 소자는 ITO/2-TNATA/$\alpha$-NPD/DPVBi/$Alq_3$/LiF/Al:Li 구조로 되어 있으며, Type II 소자는 ITO/2-TNATA/$\alpha$-NPD/DPVBi/정공 저지층/$Alq_3$/LiF/Al:Li 구조로 되어 있다. Type I과 Type II 소자의 특성을 비교하였다 제작된 소자 중에서 특성이 가장 우수한 것은 정공 저지층으로 두께가 30${\AA}$인 BAlq 재료를 사용한 Type II 소자이었고, 인가전압 10 V 에서 소자의 전류밀도는 226.75$mA/cm^2$, 휘도는 10,310$cd/cm^2$, 발광효율은 4.55 cd/A, 전력효율은 1.43 lm/W 이었다. EL 스펙트럼의 최대 발광 파장은 456 nm 반치폭은 57 nm 이었고 색좌표값은 x = 0.1438, y = 0.1580 로 NTSC 색좌표 Deep blue영역(x = 014, y = 0.08)에 근접한 순수한 청색에 가까운 값을 얻었다.

(TCTA/$TCTA_{1/3}TAZ_{2/3}/TAZ):Ir(ppy)_3$ 발광층을 이용한 녹색 인광소자 (Phosphorescent Organic Light Emitting Diodes using the Emission Layer of (TCTA/$TCTA_{1/3}TAZ_{2/3}/TAZ):Ir(ppy)_3$)

  • 장지근;신상배;신현관;김원기;유상욱;장호정;공명선;이준엽
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 춘계학술대회 및 기술 세미나 논문집 디스플레이 광소자
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    • pp.33-35
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    • 2008
  • We have fabricated and evaluated new high efficiency green light emitting phosphorescent devices with an emission layer of $[TCTA_{1/3}TAZ_{2/3}/TAZ]:Ir(ppy)_3$. The whole experimental devices have the basic structure of $2-TNATA(500 {\AA})/NPB(300{\AA})/EML(300{\AA})/BCP(50{\AA})/SFC137(500{\AA})$ between anode and cathode. We have also fabricated conventional phosphorescent devices with emission layers of $(TCTA_{1/3}TAZ_{2/3}):Ir(ppy)_3$ and $(TCTA/TAZ):Ir(ppy)_3$ and compared their electroluminescence characteristics with those of the device with an emission layer of $(TCTA/TCTA_{1/3}TAZ_{2/3}/TAZ):Ir(ppy)_3$. The current density(J), luminance(L), and current efficiency($\eta$) of the device with an emission layer of $(80{\AA}-TCTA/90{\AA}-TCTA_{1/3}TAZ_{2/3}/130{\AA}-TAZ):10%-Ir(ppy)_3$ were 95 $mA/cm^2$, 25000 $cd/m^2$, and 27 cd/A at an applied voltage of 10V, respectively. The maximum current efficiency was 52 cd/A under the luminance of 400 $cd/m^2$. The peak wavelength and FWHM(full width at half maximum) in the electroluminescence spectral were 513nm and 65nm, respectively. The color coordinate was (0.30, 0.62) on the CIE (Commission Internationale de l'Eclairage) chart. Under the luminance of 15000 $cd/m^2$, the current efficiency of the device with an emission layer of $(80{\AA}-TCTA/90{\AA}-TCTA_{1/3}TAZ_{2/3}/130{\AA}-TAZ):10%-Ir(ppy)_3$ was 34 cd/A, which has been improved 1.7 times and 1.4 limes compared to those of the devices with emission layers of $(300{\AA}-TCTA_{1/3}TAZ_{2/3}): 10%-Ir(ppy)_3$ and $(100{\AA}-TCTA/200{\AA}-TAZ):10%-Ir(ppy)_3$, respectively.

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(TCTA/TCTA1/3TAZ2/3/TAZ) : Ir(ppy)3 발광층을 이용한 고효율 녹색 인광소자 (High Efficiency Green Phosphorescent Organic Light Emitting Devices using the Emission Layer of (TCTA/TCTA1/3TAZ2/3/TAZ) : Ir(ppy)3)

  • 장지근;신상배;신현관;김원기;유상욱;장호정;공명선;이준엽
    • 한국재료학회지
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    • 제18권7호
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    • pp.347-351
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    • 2008
  • We have fabricated and evaluated newNew high high-efficiency green green-light light-emitting phosphorescent devices with an emission layer of [$TCTA/TCTA_{1/3}TAZ_{2/3}/TAZ$] : $Ir(ppy)_3$ were fabricated and evaluated, and compared the electroluminescence characteristics of these devices were compared with the conventional phosphorescent devices with emission layers of ($TCTA_{1/3}TAZ_{2/3}$) : $Ir(ppy)_3$ and (TCTA/TAZ) : $Ir(ppy)_3$. The current density, luminance, and current efficiency of the a device with an emission layer of ($80{\AA}-TCTA/90^{\circ}{\AA}-TCTA_{1/3}TAZ_{2/3}/130{\AA}-TAZ$) : 10%-$Ir(ppy)_3$ were $95\;mA/cm^2$, $25000\;cd/m^2$, and 27 cd/A at an applied voltage of 10 V, respectively. The maximum current efficiency was 52 cd/A under the a luminance value of $400\;cd/m^2$. The peak wavelength and FWHM (FWHM (full width at half maximum) in the electroluminescence spectral were 513 nm and 65 nm, respectively. The color coordinate was (0.30, 0.62) on the CIE (Commission Internationale de I'Eclairage) chart. Under the a luminance of $15000\;cd/m^2$, the current efficiency of the a device with an emission layer of ($80{\AA}-TCTA/90{\AA}-TCTA_{1/3}TAZ_{2/3}/130{\AA}-TAZ$) : 10%-$Ir(ppy)_3$ was 34 cd/A, which has beenshowed an improvement of improved 1.7 and 1.4 times compared to those of the devices with emission layers of ($300{\AA}-TCTA_{1/3}TAZ_{2/3}$) : 10%-$Ir(ppy)_3$ and ($100{\AA}-TCTA/200{\AA}$-TAZ) : 10%-$Ir(ppy)_3$, respectively.

스핀코팅 방법으로 제작된 ZnO 박막의 두께에 따른 구조적 및 광학적 특성 (Effects of Thickness on Structural and Optical Properties of ZnO Thin Films Fabricated by Spin Coating Method)

  • 임광국;김민수;김군식;최현영;전수민;조민영;김형근;이동율;김진수;김종수;이주인;임재영
    • 한국진공학회지
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    • 제19권4호
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    • pp.281-286
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    • 2010
  • 스핀코팅 방법으로 제작된 ZnO 박막의 두께에 따른 구조적 및 광학적 특성에 관한 연구를 수행하였다. ZnO 박막의 두께가 두꺼워짐에 따라 줄무늬 모양의 폭과 밀도가 증가하고, 두께가 450 nm 일 때 줄무늬 모양은 사라지며 표면이 매끄러워졌다. ZnO 박막의 표면이 매끄러워졌을 때 orientation factor ${\alpha}_{(002)}$가 급격히 증가하였고, (002) 회절 피크의 FWHM (full width at half maximum)는 감소하였다. ZnO 박막의 NBE (near-band edge emission) 피크의 위치는 두께와 표면 형태의 영향을 거의 받지 않았으나, 매끄러운 표면을 갖는 ZnO 박막의 DLE (deep level emission) 피크의 위치는 청색편이 하였다. ZnO 박막의 두께가 증가함에 따라 DLE 피크에 대한 NBE 피크의 발광세기 비율이 증가하는 경향을 보였고, NBE 피크의 FWHM은 감소하는 경향을 보였다.

Effect of boron milling on phase formation and critical current density of MgB2 bulk superconductors

  • Kang, M.O.;Joo, J.;Jun, B.H.;Park, S.D.;Kim, C.S.;Kim, C.J.
    • 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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    • 제21권1호
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    • pp.18-24
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    • 2019
  • This study was carried out to investigate the effect of milling of boron (B), which is one of raw materials of $MgB_2$, on the critical current density ($J_c$) of $MgB_2$. B powder used in this study is semi-amorphous B (Pavezyum, Turkey, 97% purity, 1 micron). The size of B powder was reduced by planetary milling using $ZrO_2$ balls (a diameter of 2 mm). The B powder and balls with a ratio of 1:20 were charged in a ceramic jar and then the jar was filled with toluene. The milling time was varied from 0 to 8 h. The milled B powders were mixed with Mg powder in the composition of (Mg+2B), and the powder mixtures were uniaxially pressed at 3 tons. The powder compacts were heat-treated at $700^{\circ}C$ for 1 h in flowing argon gas. Powder X-ray diffraction and FWHM (Full width at half maximum) were used to analyze the phase formation and crystallinity of $MgB_2$. The superconducting transition temperature ($T_c$) and $J_c$ of $MgB_2$ were measured using a magnetic property measurement system (MPMS). It was found that $B_2O_3$ was formed by B milling and the subsequent drying process, and the volume fraction of $B_2O_3$ increased as milling time increased. The $T_c$ of $MgB_2$ decreased with increasing milling time, which was explained in terms of the decreased volume fraction of $MgB_2$, the line broadening of $MgB_2$ peaks and the formation of $B_2O_3$. The $J_c$ at 5 K increased with increasing milling time. The $J_c$ increase is more remarkable at the magnetic field higher than 3 T. The $J_c$ at 5 K and 4 T was the highest as $4.37{\times}10^4A/cm^2$ when milling time was 2 h. The $J_c$ at 20 K also increased with increasing milling time. However, The $J_c$ of the samples with the prolonged milling for 6 and 8 h were lower than that of the non-milled sample.

수열합성법으로 성장된 ZnO 나노구조의 성장조건에 따른 특성 (Effects of Growth Conditions on Properties of ZnO Nanostructures Grown by Hydrothermal Method)

  • 조민영;김민수;김군식;최현영;전수민;임광국;이동율;김진수;김종수;이주인;임재영
    • 한국재료학회지
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    • 제20권5호
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    • pp.262-266
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    • 2010
  • ZnO nanostructures were grown on an Au seed layer by a hydrothermal method. The Au seed layer was deposited by ion sputter on a Si (100) substrate, and then the ZnO nanostructures were grown with different precursor concentrations ranging from 0.01 M to 0.3M at $150^{\circ}C$ and different growth temperatures ranging from $100^{\circ}C$ to $250^{\circ}C$ with 0.3 M of precursor concentration. FE-SEM (field-emission scanning electron microscopy), XRD (X-ray diffraction), and PL (photoluminescence) were carried out to investigate the structural and optical properties of the ZnO nanostructures. The different morphologies are shown with different growth conditions by FE-SEM images. The density of the ZnO nanostructures changed significantly as the growth conditions changed. The density increased as the precursor concentration increased. The ZnO nanostructures are barely grown at $100^{\circ}C$ and the ZnO nanostructure grown at $150^{\circ}C$ has the highest density. The XRD pattern shows the ZnO (100), ZnO (002), ZnO (101) peaks, which indicated the ZnO structure has a wurtzite structure. The higher intensity and lower FWHM (full width at half maximum) of the ZnO peaks were observed at a growth temperature of $150^{\circ}C$, which indicated higher crystal quality. A near band edge emission (NBE) and a deep level emission (DLE) were observed at the PL spectra and the intensity of the DLE increased as the density of the ZnO nanostructures increased.

InAs/GaSb 제2형 응력 초격자 nBn 장적외선 검출소자 설계, 제작 및 특성평가 (nBn Based InAs/GaSb Type II Superlattice Detectors with an N-type Barrier Doping for the Long Wave Infrared Detection)

  • 김하술;이훈
    • 한국진공학회지
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    • 제22권6호
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    • pp.327-334
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    • 2013
  • InAs/GaSb 제2형 응력 초격자(strained layer type II superlattice, T2SL)을 이용한 nBn 구조 장적외선 검출소자의 설계 및 제작을 하였다. InAs와 GaSb 두께에 따른 T2SL 구조의 장적외선 밴드갭 에너지를 Kronig-Penney 모델을 이용하여 계산하였다. 소자의 암전류 밀도를 줄이기 위해서, nBn 구조에서 장벽층인 $Al_{0.2}Ga_{0.8}Sb$ 성장 중에 Te 보상도핑(compansated doping)을 하였다. 온도(T) 80 K 및 인가전압($V_b$) -1.5 V에서, 반응스펙트럼 측정을 통한 소자의 차단파장은 ${\sim}10.2{\mu}m$ (~0.122 eV)로 나타났다. 또한 온도 변화에 따른 암전류 측정으로부터 도출된 활성화 에너지는 0.128 eV로 계산 되었다. T=80 K 및 $V_b$=-1.5 V에서 암전류는 $1.0{\times}10^{-2}A/cm^2$으로 측정되었다. 흑체복사 적외선 광원을 이용한 반응도(Responsivity)는 소자 온도 80 K 및 인가전압 -1.5 V의 조건에서 0.58 A/W로 측정되었다.

r면 사파이어 위에 HVPE로 성장된 a면 GaN 에피층의 성장온도 효과 및 1000℃에서의 V/III족 비의 효과 (The effects of growth temperatures and V/III ratios at 1000℃ for a-plane GaN epi-layer on r-plane sapphire grown by HVPE)

  • 하주형;박미선;이원재;최영준;이혜용
    • 한국결정성장학회지
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    • 제25권2호
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    • pp.56-61
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    • 2015
  • Ga source 채널의 HCl flow가 700 sccm, 그리고 V/III족 비가 10으로 고정되었을 때, r-면 사파이어 위에 HVPE로 성장된 a-면 GaN 에피층 특성에 대한 성장 온도 영향을 연구하였다. 추가적으로 성장온도가 $1000^{\circ}C$, 그리고 Ga source 채널의 HCl flow가 700 sccm으로 고정되었을 때, 공급가스에 대한 V/III족 비 영향에 대하여 연구하였다. 성장온도가 높아지면서, a-면 GaN 에피층에 대한 (11-20) 면의 Rocking curve(RC)의 반치폭 값이 감소하였고 a-면 GaN 에피층의 성장두께는 증가하였다. $1000^{\circ}C$에서 V/III족 비가 높아짐에 따라, (11-20) 면의 RC의 반치폭 값이 감소하였고, a-면 GaN 에피층의 성장두께가 증가하였다. $1000^{\circ}C$와 V/III족 비=10에서 성장된 a-면 GaN 에피층이 (11-20) 면에서 가장 낮은 RC 반치폭인 734 arcsec을 보이며, RC측정을 통한 (11-20) 면의 방위각 가장 작은 영향을 보여준다.

공간분해능 향상을 위한 0.8 mm 크기의 섬광체를 사용한 PET 시스템 설계 (PET System Design using a Scintillator with a Size of 0.8 mm to Improve Spatial Resolution)

  • 이승재
    • 한국방사선학회논문지
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    • 제16권5호
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    • pp.499-504
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    • 2022
  • 양전자방출단층촬영기기(positron emission tomography, PET)는우수한 공간분해능을 달성하기 위해 매우 작은 섬광체를 사용한다. 이에 본 연구에서는 0.8 mm 크기의 섬광체를 사용한 PET 시스템을 설계하여 성능을 평가하였다. 관심 시야(field of view, FOV) 중심에서부터 10 mm 간격으로 외곽에 이르는 위치에서 소멸방사선을 발생시켜 동시계수하였다. 획득한 데이터를 사용하여 영상을 재구성하였으며, 프로파일을 통해 반치폭을 획득하여 공간분해능을 계산하였다. FOV 중심에서 공간분해능은 1.02 mm로 매우 우수한 결과를 보였으며, 외곽에 위치할수록 공간분해능은 저하되는 특징을 보였다. 팬텀 영상을 평가하기 위해 Derenzo 팬텀을 구성하여 영상을 획득하였으며, 프로파일 분석을 통해 선원간 구분 정도를 평가하였다. 각 위치별 선원의 공간분해능에 비해 선원간의 간격이 더 큰 결과를 보였으며, 이를 통해 모든 위치의 선원들이 구분되는 것을 확인할 수 있었다. 본 연구에서 설계한 PET 시스템을 소동물용 PET에 적용할 경우 매우 우수한 공간분해능을 특성을 통해 우수한 성능을 확보할 수 있을 것으로 판단된다.