References
- L. Vayssieres, K. Keis, A. Hagfeldt and S.-E. Lindquist, Chem. Mater., 13(12), 4395 (2001). https://doi.org/10.1021/cm011160s
- Y. Chen, D. M. Bagnall, H. Koh, K. Park, K. Hiraga, Z. Zhu and T. Yao, J. Appl. Phys., 84(7), 3912 (1998). https://doi.org/10.1063/1.368595
- H. Zhou, M. Wissinger, J. Fallert, R. Hauschild, F. Stelzl, C. Klingshirn and H. Kalt, Appl. Phys. Lett., 91, 181112 (2007). https://doi.org/10.1063/1.2805073
- C. J. Lee, T. J. Lee, S. C. Lyu, Y. Zhang, H. Ruh and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett., 81(19), 3648 (2002). https://doi.org/10.1063/1.1518810
- D. H. Levy, D. Freeman, S. F. Nelson, P. J. Cowdery- Corvan and L. M. Irving, Appl. Phys. Lett., 92, 192101 (2008). https://doi.org/10.1063/1.2924768
- J. J. Wu and S. C. Liu, Adv. Mater., 14(3), 215 (2002). https://doi.org/10.1002/1521-4095(20020205)14:3<215::AID-ADMA215>3.0.CO;2-J
- M. Qiu, Z. Ye, J. Lu, H. He, J. Huang, L. Zhu and B. Zhao, Appl. Surf. Sci., 255, 3972 (2009). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.10.093
- Y. W. Heo, L. C. Tien, D. P. Norton, B. S. Kang, F. Ren, B. P. Gila and S. J. Peaton, Appl. Phys. Lett., 85(11), 2002 (2003).
- S. K. Han, S. K. Hong, H. Kim, J. W. Lee and J. Y. Lee, Kor. J. Mater. Res., 16(6), 360 (2006) (in Korean). https://doi.org/10.3740/MRSK.2006.16.6.360
- X. M. Fan, J. S. Lian, Z. X. Guo and H. J. Lu, Appl. Surf. Sci., 239, 176 (2005). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.05.144
- E. Guziewicz, I. A. Kowalik, M. Godlewski, K. Kopalko, V. Ojoursinniy, A. Wojcik, S. Yatsunenko, E. Lusakowska, W. Paszkowicz and M. Guziewicz, J. Appl. Phys., 103, 033515 (2008). https://doi.org/10.1063/1.2836819
- S. Li, S. Zhou, H. Liu, Y. Hang, C. Xia, J. Xu, S. Gu and R. Zhang, Mater. Lett., 61, 30 (2007). https://doi.org/10.1016/j.matlet.2006.03.145
- S. O’Brken, L. H. K. Koh and G. M. Crean, Thin Solid Films, 516, 1391 (2008). https://doi.org/10.1016/j.tsf.2007.03.160
- J. M. Jang, J. Y. Kim and W. G. Jung, Thin Solid Films, 516, 8524 (2008). https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.05.017
- S. J. Kim, H. H. Kim, J. B. Kwon, J. G. Lee, B. H. O, S. G. Lee, E. H. Lee and S. G. Park, Microelectron. Eng., 87, 1534 (2010). https://doi.org/10.1016/j.mee.2009.11.033
- L. E. Greene, M. Law, H. Goldberger, F. Kim, J. C. Johnson, Y. Zhang, R. J. Saykally and P. Yang, Angew. Chem. Int. Ed., 42, 3031 (2003). https://doi.org/10.1002/anie.200351461
- S. A. Studeninkin, N. Golego and M. Cocivera, J. Appl. Phys., 84(4), 2287 (1998). https://doi.org/10.1063/1.368295
- M. S. Wang, E. J. Kim, J. S. Chung, E. W. Shin, S. H. Hahn, K. E. Lee and C. H. Park, Phys. Stat. Sol. (a), 203(10), 2418 (2006). https://doi.org/10.1002/pssa.200521398
- X. L. Wu, G. G. Siu, C. L. Fu and H. C. Ong, Appl. Phys. Lett., 78(16), 2285 (2001). https://doi.org/10.1063/1.1361288
- A. B. Djurisic, Y. H. Leung, K. H. Tam, Y. F. Hsu, L. Ding, W. K. Ge, Y. C. Zhong, K. S. Wong, W. K. Chan, H. L. Tam, K. W. Cheah, W. M. Kwok and D. L. Phillips, Nanotechnology, 18, 095702 (2007). https://doi.org/10.1088/0957-4484/18/9/095702