• 한국진공학회지
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• 제16권3호
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• pp.192-196
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• 2007

Hot wall epitaxy 방법으로 우물층의 두께를 바꾸어가며 ZnSe/CdSe/ZnSe 단일 양자우물을 성장하였다. 양자우물층의 두께는 TEM을 이용하여 측정하였다. 광발광의 세기와 반치폭의 변화로부터 양자우물층의 임계두께는 약 $9{\AA}$임을 알 수 있었다. 우물층의 두께가 임계두께 보다 작을 때 광발광과 PLE 스펙트럼의 비교로부터 stoke's shift를 확인하였고, 이는 엑시톤 결합 에너지에 의한 것임을 알 수 있었다. 우물층의 두께에 대한 광발광 피크의 에너지 이동은 이론치와 잘 일치하였다.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제15권3호
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• pp.252-263
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• 2011

In this work, for the first time, the quality of restoration in wide-field microscopy images after deconvolution was analyzed as a function of different Point Spread Functions using one deconvolution method, on a specimen of known size and on a biological specimen. The empirical Point Spread Function determination can significantly depend on the numerical aperture, refractive index of the embedding medium, refractive index of the immersion oil and cover slip thickness. The influence of all of these factors is shown in the same article and using the same microscope. We have found that the best deconvolution results are obtained when the empirical PSF utilized is obtained under the same conditions as the specimen. We also demonstrated that it is very important to quantitatively check the process' outcome using several quality indicators: Full-Width at Half-Maximum, Contrast-to-Noise Ratio, Signal-to-Noise Ratio and a Tenengrad-based function. We detected a significant improvement when using an indicator to measure the focus of the whole stack. Therefore, to qualitatively determinate the best deconvolved image between different conditions, one approach that we are pursuing is to use Tenengrad-based function indicators in images obtained using a wide-field microscope.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.345-346
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• 2008

We have studied an emission spectra of top-emssion organic light-emitting diodes(TEOLED) due to a change of cathode and organic layer thickness. Device structure is Al(100nm)/TPD(xnm)/$Alq_3$(ynm)/LiF(0.5nm)/cathode. And two different types of cathode were used; one is LiF(0.5nm)/Al(25nm) and the other is LiF(0.5nm)/Al(2nm)/Ag(30nm). While a thickness of hole-transport layer of TPD was varied from 35 to 65nm, an emissive layer thickness of $Alq_3$ was varied from 50 to 100nm for two devices. A ratio of those two layer was kept to be about 2:3. Al and Al/Ag double layer cathode devices show that the emission spectra were changed from 490nm to 560nm and from 490nm to 560nm, respectively, when the total organic layer increase. Full width at half maximum was changed from 67nm to 49nm and from 90nm to 35nm as the organic layer thickness increases. All devices show that view angle dependent emission spectra show a blue shift. Blue shift is strong when the organic layer thickness is more than 140nm. Devece with Al/Ag double layer cathode is more vivid.

• 한국광학회지
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• 제28권6호
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• pp.361-365
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• 2017

본 논문은 협대역의 플라즈모닉 흡수체 구현을 위한 금속 나노입자 주기구조 설계 및 제작에 관한 연구다. 제안된 플라즈모닉 흡수체의 상단 금속 나노입자는 주기적으로 홈이 파여있는 템플릿을 이용하여 전자빔 증착 후, 열처리하는 제작 기술로 형성하였다. 주기적 홈 템플릿 위에 제작된 금속 나노입자를, 따로 제작한 33 nm 두께의 $Al_2O_3$가 스퍼터 가공된 200 nm 두께의 금속 반사판-기판 상단에 옮기는 방법을 통해 플라즈모닉 흡수체를 제작하였다. 제작된 금속 나노입자는 평균 지름 46 nm, 주기 76 nm의 크기를 가졌다. 광학 측정 결과, 제작된 플라즈모닉 흡수체는 중심파장 572 nm, 반값전폭 109.9 nm의 플라즈모닉 공명 흡수를 나타내었다.

• Progress in Superconductivity
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• 제6권2호
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• pp.133-137
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• 2005

We fabricated the Au/Ni template for YBCO coated conductors and evaluated texture formation and the microstructural evolution. The cube textured Ni substrate was fabricated by rolling and recrystallization annealing, and subsequently Au layer formed on the substrate by electroless-plating method. The texture was evaluated by pole-figure with x-ray goniometer with orientation distribution function (ODF) analysis. The surface roughness and grain boundary morphology of template were characterized by atomic force microscopy (AFM) We observed that Au layer deposited epitaxially on Ni substrate and formed a strong cube texture when plating time was optimized. The full-width at half-maximum (FWHM) was $8.4^{\circ}$ for out-of-plane and $9.98^{\circ}$ for in-plane texture for plating time of 30 min. Microstructural observation showed that the Au layer was homogeneous and dense without formation of crack/microcrack. In addition, we observed that root-mean-square (RMS) and depth of grain boundary were 14.6 nm and 160 $\AA$ for the Au layer, respectively, while those were 27.0 nm and 800 $\AA$ for the Ni substrate, indicating that the electoless-plated Au layer had relatively smooth surface and effectively mollified grain groove.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제36권1호
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• pp.16-23
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• 2011

보다 정확한 우라늄 농축도 분석은 핵물질 관리를 위하여 중요하다. 본 연구에서는 감마선을 이용한 우라늄 농축도 분석에서 시료와 검출기 사이에 차폐체가 있는 경우와 측정시간 변화에 따른 분석결과에 대한 정확성 평가 및 오차분석을 수행하였다. 우라늄 농축도를 분석하기 위하여 FRAM (Fixed energy Response function Analysis with Multiple efficiencies)을 이용하였다. FRAM에 의한 분석결과의 정확성은 화학 분석 결과와의 비교를 통해 평가되었다. 연구결과 선원과 검출기사이에 차폐체가 존재할 경우 차폐체의 두께변화에 따른 감마선의 세기는 지수함수 형태로 감소하며 감마선에너지 피이크의 반치폭 (FWHM : Full Width at Half Maximum)은 차폐체의 두께에 영향을 거의 받지 않는 것을 보였다. 따라서 시료와 검출기 사이에 차폐체가 있는 경우의 우라늄 농축도 분석에서 FRAM을 이용한 감마선분광 분석은 유용하게 활용될 수 있다. 본 연구 결과는 차폐체 안에 우라늄이 있는 경우 핵물질 분석에 기여할 수 있을 것이 기대된다.

• 한국분말재료학회지
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• 제24권1호
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• pp.6-10
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• 2017

This study investigates the main growth mechanism of InP during InP/ZnS reaction of quantum dots (QDs). The size of the InP core, considering a synthesis time of 1-30 min, increased from the initial 2.56 nm to 3.97 nm. As a result of applying the proposed particle growth model, the migration mechanism, with time index 7, was found to be the main reaction. In addition, after the removal of unreacted In and P precursors from bath, further InP growth (of up to 4.19 nm (5%)), was observed when ZnS was added. The full width at half maximum (FWHM) of the synthesized InP/ZnS quantum dots was found to be relatively uniform, measuring about 59 nm. However, kinetic growth mechanism provides limited information for InP / ZnS core shell QDs, because the surface state of InP changes with reaction time. Further study is necessary, in order to clearly determine the kinetic growth mechanism of InP / ZnS core shell QDs.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.332-332
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• 2012

분자선 에피탁시(molecular beam epitaxy)를 이용하여 GaAs 기판에 성장한 InAs 양자점(QDs: quantum dots)은 성장 온도, 압력, As/In의 공급비 등의 성장 조건에 따라 다른 변수(parameter)를 갖는다. 따라서 성장변수에 따라 양자점의 모양과 크기, 밀도가 달라져 균일한 양자점 형성에 어려움이 있어 많은 연구가 진행되고 있다. 예를 들면 In-interruption 법으로 성장한 양자점의 특성이 S-K mode (Stranski-Krastanov mode)로 성장한 양자점에 비해 광학적 특성이 향상되었다. 본 연구에서는 In pre-deposition (IPD) 법으로 성장한 InAs/GaAs 양자점의 광학적 특성을 PL(photoluminescence)와 TRPL (time-resolved PL)을 이용하여 분석하였다. InAs QDs 시료들은 In과 As 공급시간을 각각 1초와 19초 (QD1), 2초와 18초 (QD2), 3초와 17초 (QD3)로 조절하여 성장하였으며, In이 공급되는 시간 동안 As shutter를 차단하여 As 공급을 중단하였다. In과 As의 차단 없이 S-K mode로 성장한 시료를 기준시료로 사용하였다 (QD0). AFM (atomic force microscope) 측정결과, In 공급시간이 1초에서 2초로 증가할 때, 양자점의 밀도와 종횡비(aspect ratio)가 증가하였고, 양자점의 균일도가 증가하였다. 그러나 QD3 시료는 QD1 시료에 비해 밀도와 종횡비, 균일도가 감소하였다. 10 K에서 PL 피크는 In 공급 시간이 증가할 때, 970 nm에서 1020 nm로 적색편이 하였고 반치폭 (FWHM: full width at half maximum)은 75 meV에서 85 meV로 증가하였다. QD2 시료의 PL 피크 에너지가 가장 낮았고, 가장 강한 PL 세기를 보였다. IPD 시간이 증가함에 따라 PL 피크에서 측정한 PL 소멸은 점차 빨라졌다. IPD 기법으로 성장한 양자점의 빠른 PL 소멸은 양자점 밀도와 종횡비 향상에 의한 파동함수 중첩의 증가와 구속 에너지 증가에 의한 것으로 설명된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.187-187
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• 2013

양자점(Quuantum dot, QD)은 0차원 특성을 가지는 구조로 양자 구속 효과로 인하여 bulk와 는 다른 구조적, 광학적, 전기적 특성을 가지고 있다. InAs QD는 size와 barrier의 bandgap 조절을 이용하여 쉽게 bandgap을 바꿀 수 있는 장점이 있어 solar cell, semiconductor laser diode, infrared photodetector 등으로 많은 연구가 이루어지고 있다. 일반적으로 Stranski-Krastanov (SK) mode로 성장한 InAs QD는 보통 GaAs epilayer와의 lattice mismatch (7%)를 이용하여 성장을 하고 이로 인하여 strain을 가지고 있고 QD의 density와 stack이 높을수록 strain이 커진다. 하지만 sub-monolayer (SML) QD 같은 경우 wetting layer가 생기는 지점인 1.7 ML이하에서 성장되는 성장 방식으로 SK-QD보다는 작은 strain을 가지게 된다. 또 QD의 size가 작아 SK-QD보다 큰 bandgap을 가지고 있다. 본 연구에서는 분자선 에피택시(molecular beam epitaxy, MBE)를 이용하여 semi-insulating GaAs substrate 위에 InAs QD를 0.5/1/1.5/1.7/2/2.5 monolayer로 성장을 하였다. GaAs과 InAs의 성장온도와 성장속도는 각각 $590^{\circ}C$, 0.8 ML/s와 $480^{\circ}C$, 0.2 ML/s로 성장을 하였으며 적층사이의 interruption 시간은 10초로 고정하였고 10주기를 성장하였다. Photoluminescence (PL)측정 결과 SML-QD는 size에 따라서 energy가 1.328에서 1.314 eV로 약간 red shift를 하였고 SK-QD의 경우 1.2 eV의 energy정도로 0.1 eV이상 red shift 하였다. 이는 QD size에 의하여 energy shift가 있다고 사료된다. 또 wetting layer의 경우 1.41 eV의 energy를 가지는 것으로 확인 하였다. SML-QD는 SK-QD 보다 반치폭(full width at half maximum, FWHM)이 작은 것은 확인을 하였고 strain field의 감소로 해석된다. 하지만 SML-QD의 경우 SK-QD보다 상대적으로 작은 PL intensity를 가지고 있었다. 이를 개선하기 위해서는 보다 높은 QD density를 요구하게 되는데 growth temperature, V/III ratio, growth rate 등을 변화주어서 연구할 계획이다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제28권12호
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• pp.776-780
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• 2015

In this paper, we have studied the effect of mechanical polishing to Ga-polar face for reducing the wafer bowing and strain in free-standing GaN. After the mechanical polishing to Ga-polar face, the bowing of the free-standing GaN substrate significantly decreased with increasing the size of diamond slurry, and eventually changed the bowing direction from concave to convex. Furthermore, the full width at half maximum (FWHM) of high-resolution X-ray diffraction (HR-XRD) were decreased, especially the FWHM of (1 0 2) reflection for $1.0{\mu}m$ size of diamond slurry was significantly decreased from 630 to 203 arcsec. In the case, we confirmed that the compressive strain in Ga-polar face was fully released by Raman measurement.