본 연구에서는 1.1 eV의 에너지대역을 흡수할 수 있는 InAs 양자점구조와 1.3 eV의 에너지 대역을 흡수 할 수 있는 InGaAs 양자우물구조를 이용한 텐덤형 태양전지의 구조를 1D poisson을 이용해 설계하고, 분자선 에피택시 장비를 이용하여 각각 5, 10, 15층씩 쌓은 양자점 및 양자우물구조를 삽입하여 p-n접합을 성장하였다. Photoluminescence (PL) 측정을 이용한 광학적특성 평가에서 양자점 5층 및 양자우물 10층을 삽입한 구조의 PL 피크가 가장 높은 상대발광강도를 나타냈으며, 각각 1.1 eV 및 1.3 eV에서 57.6 meV 및 12.37 meV의 Full Width at Half Maximum을 나타내었다. 양자점의 밀도 및 크기는 Reflection High-Energy Electron Diffraction system과 Atomic Force Microscope를 이용해 분석하였다. 그리고 GaAs/AlGaAs층을 이용한 터널접합에서는 I-V 측정을 통하여 GaAs층의 두께(20, 30, 50 nm)에 따른 터널링 효과를 평가하였다. GaAs 층의 두께가 30 nm 및 50 nm의 터널접합에서는 backward diode 특성을 나타낸 반면, 20 nm GaAs층의 GaAs/AlGaAs 터널접합에서는 다이오드 특성 곡선을 확인하였다.
단일상을 갖는 $Bi_2S_2CaCu_2O_{8+x}$ (2212)의 x-ray 분말 pattern을 a=5.408, c=30.83 $\AA$의 격자상수 및 역격자 벡터 $q^*=0.211b^*-c^*$을 갖는 pseudo tetragonal subcell을 이용하여 모두 index하였다. 임계온도 110K를 갖는 $Bi_2S_2CaCu_2O_{10+x}$ 상은 incommensurate supercell에 속하는 매우 많은 x-ray분말선들을 가지고 있다. Indixing guide로 전자회절사진(electron diffraction photographs)을 이용 x-ray분말 pattern에 대한 지수결정방법을 얻었다.$Bi_2S_2CaCu_2O_{10+x}$(2223)의 단위세표(unit cell)는 기하학적으로 격자상수 a=5.411, b=5.420, c=37.29(2) A을 갖는 orthorhombic subcell이다. Supercell반사 지수들은 subcell의 파 벡터 $\pm q^*=0.211b^*-0.78c^*$을 갖는 k,1지수로부터 영향을 받은 것이다. b 방향으로의 inconnensurate성분 $\delta$는 두 상에 대해 다 같으나, 2212에서 2223 상으로의 변환에 따라 c 방향으로의 초격자성분(superlattic component)은 connensurate($\varepsilon$=1)로부터 incommensurate($\varepsilon$=0.78)로 변한다.
Objectives: Advancements in nanotechnology have led to nanoparticle (NP) use in various fields of medicine. Although the potential of NPs is promising, the lack of documented evidence on the toxicological effects of NPs is concerning. A few studies have documented that homeopathy uses NPs. Unfortunately, very few sound scientific studies have explored the toxic effects of homeopathic drugs. Citing this lack of high-quality scientific evidence, regulatory agencies have been reluctant to endorse homeopathic treatment as an alternative or adjunct treatment. This study aimed to enhance our insight into the impact of commercially-available homeopathic drugs, to study the presence of NPs in those drugs and any deleterious effects they might have, and to determine the distribution pattern of NPs in zebrafish embryos (Danio rerio). Methods: Homeopathic dilutions were studied using high-resolution transmission electron microscopy with selected area electron diffraction (SAED). For the toxicity assessment on Zebrafish, embryos were exposed to a test solution from 4 - 6 hours post-fertilization, and embryos/larvae were assessed up to 5 days post-fertilization (dpf ) for viability and morphology. Toxicity was recorded in terms of mortality, hatching delay, phenotypic defects and metal accumulation. Around 5 dpf was found to be the optimum developmental stage for evaluation. Results: The present study aimed to conclusively prove the presence of NPs in all high dilutions of homeopathic drugs. Embryonic zebrafish were exposed to three homeopathic drugs with two potencies (30CH, 200CH) during early embryogenesis. The resulting morphological and cellular responses were observed. Exposure to these potencies produced no visibly significant malformations, pericardial edema, and mortality and no necrotic and apoptotic cellular death. Conclusion: Our findings clearly demonstrate that no toxic effects were observed for these three homeopathic drugs at the potencies and exposure times used in this study. The embryonic zebrafish model is recommended as a well-established method for rapidly assessing the toxicity of homeopathic drugs.
뼈는 단계별 (hierarchical) 구조를 가진 복합 재료이며 독특한 구조와 기계적 특성 때문에 재료공학 분야에서 많이 연구되어져 왔다. 뼈는 주로 hydroxyapatite, 콜라겐과 물로 구성된 층판형 유 무기 재료 복합체이다. 주요 무기물로써 hydroxyapatite로 잘 알려진 calcium phosphate를 통하여 뼈는 특유의 강도를 유지하게 된다. 본 실험에서는 광학 현미경(LM)과 투과전자현미경(TEM)을 이용하여 토끼와 닭 대퇴골의 구조를 연구하였다. 구성물질 분석은 대퇴골의 calcium, potassium, oxygen 분포 변화를 알아보는데 이용하였다. 실험은 두 구조 범위에 중점을 두었다: micro scale에서 치밀골의 배열을, nano scale에서 콜라겐 섬유와 apatite 결정을 관찰하였다. Micro scale에서 닭과 토끼 대퇴골 구조의 뚜렷한 차이점이 발견되었다. Nano scale에서는 apatite 결정의 모양과 크기 그리고 콜라겐의 배열을 비교 분석하였다. 그 결과 토끼와 닭은 종이 다름에도 불구하고 nano scale에서는 화학성분과 구조가 매우 유사한 것으로 나타났다.
$Mg_2Ni_{1-x}{^{57}}Fe_x$(x=0.015, 0.03, 0.06, 0.12 and 0.24)합금을 제작하여 $M{\ddot{o}}ssbauer$ 공명에 의한 연구를 하였다. x=0.015, 0.03 합금의 $M{\ddot{o}}ssbauer$ spectrum은 2개의 doublet(doublet 1, 2)을, x=0.06 합금의 spectrum은 2개의 doublet(doublet 1, 2)과 1개의 six-line을, 그리고 x=0.12, 0.24 합금의 spectrum은 six-line만 보인다. x=0.015, 0,03, 0.06 합금의 doublet 1은, 초 상자성 거동을 보여주는 과잉으로 존재하는 일부의 철 때문에 생기는 것으로 판단된다. doublet 2는, $Mg_2Ni$ 상의 Ni에 치환된 철에 기인한 것으로 판단된다. doublet 2의 isomer shift 크기 (0,24 ~ 0.28 mm/s)로 보아 $Fe^{+3}$로 존재함을 추측할 수 있다. 또한 doublet 2의 quadrapole splitting이 영이 아님으로부터 Fe 주위의 전자 배열이 비대칭을 이루고 있음을 알 수 있고, 그 크기 (1.20 ~ 1.38 mm/s)는 산화수 +3의 quadrapole splitting 값에 아주 가까운 값이다. 자기적 초미세 상호 작용을 보여주는 six-line은 합금 속에 들어가지 않는 철 때문에 생긴다. 수소화물화 반웅시킨 x=0.015, 0.03 합금의 $M{\ddot{o}}ssbauer$ spectrum이 six-line을 보였는데, 이로부터 수소화물화 반응으로 인하여 Fe이 편석되었음을 알 수 있다. 수소화물화 반응후 $M{\ddot{o}}ssbauer$ spectrum, 자기장의 함수로서 자화의 변화 측정, Auger electron spectroscopy, electron diffraction pattern 분석 결과, Ni의 편석과 MgO의 형성을 보여주었는데, 이는 수소 속에 들어 있는 미량의 산소가 $Mg_2Ni$와 반응하여 야기된 현상으로 생각된다.
미세화 되고 있는 PCB 솔더 범프 접합을 위해 종래 마이크로 볼에 의한 PCB 솔더 범프의 제조를 대신하여 주석 전기도금을 통한 패턴을 제작하기 위한 도금액을 제작하고 도금공정 조건을 찾는 실험을 진행하였다. SR 패터닝 후에 Cu 씨드층을 형성하고, 다시 DFR 패터닝을 통해 PCB 기판상에 선택성장이 가능한 패턴을 제작하였다. 도금액은 메탄술폰산을 기본액으로 하는 주석도금액을 사용하였으며, 2가의 주석이온의 산화를 방지하기 위해 hydroquinone을 첨가하였다. 표면활성제로는 Triton X-100를 사용하고, 결정립 미세화를 위해 gelatin을 첨가하여 시료를 제작하였다. 전기화학적 분극곡선을 측정함으로써, Triton X-100 및 gelatin 첨가제의 작용 특성을 비교하였으며, gelatin이 -0.7 V vs. NHE까지 수소발생을 억제하는 것에 비해 Triton X-100을 첨가하게 되면 -1 V vs. NHE까지 수소발생이 억제되는 것을 확인할 수 있었다. 결정립의 크기는 전류밀도가 증가하면서 미세화되는 일반적 경향을 나타내었으며, gelatin을 첨가하는 경우에 보다 더 미세해지는 것이 관찰되었다.
There have been great demands for higher density SRAM in all area of SRAM applications, such as mobile, network, cache, and embedded applications. Therefore, aggressive shrinkage of 6T Full CMOS SRAM had been continued as the technology advances, However, conventional 6T Full CMOS SRAM has a basic limitation in the cell size because it needs 6 transistors on a silicon substrate compared to 1 transistor in a DRAM cell. The typical cell area of 6T Full CMOS SRAM is $70{\sim}90F^{2}$, which is too large compared to $8{\sim}9F^{2}$ of DRAM cell. With 80nm design rule using 193nm ArF lithography, the maximum density is 72M bits at the most. Therefore, pseudo SRAM or 1T SRAM, whose memory cell is the same as DRAM cell, is being adopted for the solution of the high density SRAM applications more than 64M bits. However, the refresh time limits not only the maximum operation temperature but also nearly all critical electrical characteristics of the products such as stand_by current and random access time. In order to overcome both the size penalty of the conventional 6T Full CMOS SRAM cell and the poor characteristics of the TFT load cell, we have developed $S^{3}$ cell. The Load pMOS and the Pass nMOS on ILD have nearly single crystal silicon channel according to the TEM and electron diffraction pattern analysis. In this study, we present $S^{3}$ SRAM cell technology with 100nm design rule in further detail, including the process integration and the basic characteristics of stacked single crystal silicon TFT.
There have been great demands for higher density SRAM in all area of SRAM applications, such as mobile, network, cache, and embedded applications. Therefore, aggressive shrinkage of 6 T Full CMOS SRAM had been continued as the technology advances. However, conventional 6 T Full CMOS SRAM has a basic limitation in the cell size because it needs 6 transistors on a silicon substrate compared to 1 transistor in a DRAM cell. The typical cell area of 6 T Full CMOS SRAM is $70{\sim}90\;F^2$, which is too large compared to $8{\sim}9\;F^2$ of DRAM cell. With 80 nm design rule using 193 nm ArF lithography, the maximum density is 72 Mbits at the most. Therefore, pseudo SRAM or 1 T SRAM, whose memory cell is the same as DRAM cell, is being adopted for the solution of the high density SRAM applications more than 64 M bits. However, the refresh time limits not only the maximum operation temperature but also nearly all critical electrical characteristics of the products such as stand_by current and random access time. In order to overcome both the size penalty of the conventional 6 T Full CMOS SRAM cell and the poor characteristics of the TFT load cell, we have developed S3 cell. The Load pMOS and the Pass nMOS on ILD have nearly single crystal silicon channel according to the TEM and electron diffraction pattern analysis. In this study, we present $S^3$ SRAM cell technology with 100 nm design rule in further detail, including the process integration and the basic characteristics of stacked single crystal silicon TFT.
Lim, Yun Soo;Hwang, Seong Sik;Kim, Dong Jin;Lee, Jong Yeon
Nuclear Engineering and Technology
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제52권6호
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pp.1222-1230
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2020
The corrosion rates of the reactor pressure vessel materials of SA508 Grade 3 were measured using a weight loss method in aerated boric acid solutions to simulate the evaporation of leaked PWR primary water in an ambient environment. The corrosion behavior and products were examined using X-ray diffraction and electron microscopy. SA508 showed typical general corrosion characteristics. The corrosion rate increased steadily as the boron concentration was increased. As the immersion time elapsed, the corrosion rate slowly or rapidly decreased according to the oxidation reaction of iron. The corrosion rate showed a complicated pattern depending on the temperature; it increased gradually and then rapidly decreased again when reaching a certain transition temperature. The corrosion products of SA508 were found to be FeO(OH), Fe2O3, and Fe3O4. As the boron concentration decreased and the temperature was increased, the formation of Fe3O4 was more favorable as compared to the formation of FeO(OH) and Fe2O3. Consequently, the changes of the corrosion rate and behavior were closely related to the oxidation reaction of iron on the surface. The corrosive damage to SA508 appears to be most severe when the oxidation reaction is such that Fe2O3 forms as a corrosion product.
스컬용융법에 의해 성장시킨 rutile단결정을 성장 축과 수평 또는 수직으로 절단한 후 ${\phi}5.5mmx1.0mm$ 크기의 웨이퍼로 양면연마 하였다. 연마한 흑색 웨이퍼들은 $1200^{\circ}C$에서 $3{\sim}15$시간, $1300^{\circ}C$에서 $10{\sim}50$시간 annealing을 행함에 의해 옅은 황색으로 변화되었다. Annealing 후 구조적 및 광학적 특성은 비중, SEM-EBSP, XRD, FT-IR, laser Raman, PL 그리고 XPS 등으로 분석하였고, 이들 결과들은 공기중의 무게 증가, 수중의 무게 및 비중의 감소,침상의 2차상, 산소이온 확산 및 $Ti^{3+}$ 이온이 감소되는 것으로 분석되었다. 이는 스컬용융법에 의해 성장된 rutile 단결정에 $O_v,\;Ti^{3+},\;O_v-Ti^{3+}$ interstitial 그리고 $F^+-H^+$와 같은 결함의 존재를 의미한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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