• 제목/요약/키워드: electroless-plated Cu

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고효율 태양전지의 저가화를 위한 Ni/Cu/Ag 전극의 Ni Silicide 형성에 관한 연구 (Investigation of Ni Silicide formation at Ni/Cu/Ag Contact for Low Cost of High Efficiency Solar Cell)

  • 김종민;조경연;이지훈;이수홍
    • 한국태양에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국태양에너지학회 2009년도 춘계학술발표대회 논문집
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    • pp.230-234
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    • 2009
  • It is significant technique to increase competitiveness that solar cells have a high energy conversion efficiency and cost effectiveness. When making high efficiency crystalline Si solar cells, evaporated Ti/Pd/Ag contact system is widely used in order to reduce the electrical resistance of the contact fingers. However, the evaporation process is no applicable to mass production because high vacuum is needed. Furthermore, those metals are too expensive to be applied for terrestrial applications. Ni/Cu/Ag contact system of silicon solar cells offers a relatively inexpensive method of making electrical contact. Ni silicide formation is one of the indispensable techniques for Ni/Cu/Ag contact sytem. Ni was electroless plated on the front grid pattern, After Ni electroless plating, the cells were annealed by RTP(Rapid Thermal Process). Ni silicide(NiSi) has certain advantages over Ti silicide($TiSi_2$), lower temperature anneal, one step anneal, low resistivity, low silicon consumption, low film stress, absence of reaction between the annealing ambient. Ni/Cu/Ag metallization scheme is an important process in the direction of cost reduction for solar cells of high efficiency. In this article we shall report an investigation of rapid thermal silicidation of nickel on silngle crystalline silicon wafers in the annealing range of $350-390^{\circ}C$. The samples annealed at temperatures from 350 to $390^{\circ}C$ have been analyzed by SEM(Scanning Electron Microscopy).

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무전해 도금으로 제조한 마이크로 히트싱크 (Micro-Heatsink Fabricated by Electroless Plating)

  • 안현진;손원일;홍주희;홍재민
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제11권2호
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    • pp.11-16
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    • 2004
  • 전자칩의 고집적화에 의해 전자기기들은 점점 소형화 되어가고 있으며, 이들 기기들에서 발생되는 열은 기기의 성능 저하뿐 아니라 수명을 단축시킨다. 본 연구에서는 효율적인 방열 위한 마이크로 히트싱크 제조를 위하여 멤브레인에 금속(금, 니켈, 구리)은 도금하는 무전해 도금 방법을 이용하였다. 무전해 도금은 폴리카보네이트 멤브레인을 sensitization과 activation 등의 전처리 후, 도금하고자 하는 금속염 수용액에 침적시켜 실행하였다. 무전해 도금에 의하여 제조된 각각의 마이크로피브릴의 열전달 특성과 방열량은 표면적이 가장 큰 니켈 마이크로피브릴에서 가장 우수하게 나타났다.

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무전해 도금법으로 제조된 구리 함유 활성탄소섬유 촉매의 제조와 NO 제거 반응성 평가 (Preparation of Electroless Copper Plated Activated Carbon Fiber Catalyst and Reactive Evaluation of NO Removal)

  • 윤희승;오종현;이형근;전종기;유승곤
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • 제46권5호
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    • pp.863-867
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    • 2008
  • 피치계 활성탄소섬유가 납사분해 잔사유를 개질하여 용융 방사하고, 산화, 탄화 및 스팀으로 활성화하여 제조되었다. 활성탄소섬유의 표면은 주석-팔라듐을 사용하여 단일 스텝에 의해 예민화 과정을 거쳤다. 예민화된 활성탄소섬유 표면에 무전해도금법을 사용하여 구리를 골고루 담지하였다. 도금시간을 증가시켜서 구리의 담지량을 변화시키고, BET, SEM, XRD 및 ICP를 이용하여 촉매 특성 변화에 미치는 영향을 관찰하였다. 도금시간에 따라 부가된 구리의 양은 증가하나, 기공부피와 비표면적은 감소하였다. 또한 반응 온도가 증가함에 따라 NO 제거 성능이 증가하였다. $300^{\circ}C$ 이상의 반응 온도에서 부가된 구리의 양이 증가하면 표면적의 감소와 구리 분산도의 감소 때문에 NO 제거 성능은 감소하는 결과를 얻었다.

유무연 용융도금 리본에 따른 결정질 실리콘 태양전지 모듈 열화거동 (Degradation Behavior of Eutectic and Pb-free Solder Plated Ribbon in Crystalline Silicon Photovoltaic Module)

  • 김주희;김아영;박노창;하정원;이상권;홍원식
    • Journal of Welding and Joining
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    • 제32권6호
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    • pp.75-81
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    • 2014
  • Usage of heavy metal element (Pb, Hg and Cd etc.) in electronic devices have been restricted due to the environmental banning of the European Union, such as WEEE and RoHS. Therefore, it is needed to develop the Pb-free solder plated ribbon in photovoltaic (PV) module. This study described that degradation characteristics of PV module under damp heat (DH, $85^{\circ}C$ and 85% R.H.) condition test for 1,000 h. Solar cell ribbons were utilized to hot dipping plate with Pb-free solder alloys. Two types of Pb-free solder plated ribbons, Sn-3.0Ag-0.5Cu (SAC305) and Sn-48Bi-2Ag, and an electroless Sn-40Pb solder hot dipping plated ribbon as a reference sample were prepared to evaluate degradation characteristics. To detect the degradation of PV module with the eutectic and Pb-free solder plated ribbons, I-V curve, electro-luminescence (EL) and cross-sectional SEM analysis were carried out. DH test results show that the reason of maximum power (Pm) drop was mainly due to the decrease fill factor (FF). It was attributed to the crack or oxidation of interface between the cell and the ribbon. Among PV modules with the eutectic and Pb-free solder plated ribbon, the PV module with SAC305 ribbon relatively showed higher stability after DH test than the case of PV module with Sn-40Pb and Sn-48Bi-2Ag solder plated ribbons.

결정질 실리콘 태양전지에 적용될 도금전극 특성 연구 (Investigation of Plated Contact for Crystalline Silicon Solar Cells)

  • 김범호;최준영;이은주;이수홍
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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    • pp.192-193
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    • 2007
  • An evaporated Ti/Pd/Ag contact system is most widely used to make high-efficiency silicon solar cells, however, the system is not cost effective due to expensive materials and vacuum techniques. Commercial solar cells with screen-printed contacts formed by using Ag paste suffer from a low fill factor and a high shading loss because of high contact resistance and low aspect ratio. Low-cost Ni and Cu metal contacts have been formed by using electro less plating and electroplating techniques to replace the Ti/Pd/Ag and screen-printed Ag contacts. Ni/Cu alloy is plated on a silicon substrate by electro-deposition of the alloy from an acetate electrolyte solution, and nickel-silicide formation at the interface between the silicon and the nickel enhances stability and reduces the contact resistance. It was, therefore, found that nickel-silicide was suitable for high-efficiency solar cell applications. Cu was electroplated on the Ni layer by using a light induced plating method. The Cu electroplating solution was made up of a commercially available acid sulfate bath and additives to reduce the stress of the copper layer. In this paper, we investigated low-cost Ni/Cu contact formation by electro less and electroplating for crystalline silicon solar cells.

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도금인자에 따른 LED 리드프레임 상의 도금층의 반사특성 (Reflection Characteristics of Electroplated Deposits on LED Lead frame with Plating Condition)

  • 기세호;김원중;정재필
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제20권2호
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    • pp.29-32
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    • 2013
  • 본 연구에서는 LED 리드프레임 상에 Sn-3.5wt%Ag를 무전해도금하여 표면 거칠기와 반사율을 측정하였다. Sn-3.5wt%Ag를 도금하기에 앞서 Sn-3.5wt%Ag 도금층의 반사율을 향상시키기 위하여 Cu 전해도금을 실시하였다. 도금 후 도금액의 교반속도와 온도가 도금층의 표면 거칠기와 반사율에 어떠한 영향을 미치는지 알아보기 위하여 각각의 도금인자에 대해서 표면 거칠기와 반사율을 측정하고자 하였다. 교반속도가 100~300 rpm으로 증가함에 따라 표면 거칠기는 0.513 ${\mu}m$에서 0.266 ${\mu}m$으로 감소하였으며, 반사율은 1.67 GAM에서 1.86 GAM으로 증가하였다. 또한 온도가 $25{\sim}45^{\circ}C$로 증가함에 따라 표면 거칠기는 0.507 ${\mu}m$에서 0.350 ${\mu}m$으로 감소하였으며, 반사율은 1.68 GAM에서 1.84 GAM으로 증가하였다.

Alkali 물질이 포함되지 않은 화학물질을 이용한 Co 합금박막의 무전해도금 (Electroless Plating of Co-Alloy Thin Films using Alkali-Free Chemicals)

  • 김태호;윤형진;김창구
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • 제45권6호
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    • pp.633-637
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    • 2007
  • Alkali 물질이 포함되지 않은 $(NH_4)_2Co(SO_4)_2{\cdot}6H_2O$, $(NH_4)_2WO_4$, $(NH_4)H_2PO_4$ 등의 전구체를 사용하여 구리배선의 보호막 제조를 위한 Co 합금박막의 무전해도금을 수행하였다. pH, Co 전구체 농도, 증착온도 등의 공정변수들의 변화에 대한 Co 합금박막의 두께와 표면형상을 살펴봄으로써 이들 공정변수가 alkali 물질이 포함되지 않은 화학물질로 무전해도금된 Co 합금박막의 특성에 끼치는 영향을 살펴보았다. pH, Co 전구체 농도, 증착온도가 증가할수록 Co 합금 박막의 두께가 증가하였고 이는 alkali 물질이 포함된 Co 합금박막의 무전해도금 결과와 비슷하다. SEM(scanning electron microscopy)을 이용한 Co 합금박막의 표면형상 관측 결과, 본 연구에서 사용된 공정조건에서 Co 합금박막의 무전해도금을 위한 적절한 pH와 온도의 범위가 각각 8.5~9.5와 $75{\sim}85^{\circ}C$임을 얻었다. 본 연구를 통하여 alkali 물질이 포함되지 않은 화학물질을 이용한 무전해도금으로 구리배선의 보호막 제조용 Co 합금박막의 증착이 가능함을 확인하였다.

Sn-Bi도금 $Sn-3.5\%Ag$ 솔더를 이용한 Capacitor의 저온 솔더링 (Lower Temperature Soldering of Capacitor Using Sn-Bi Coated $Sn-3.5\%Ag$ Solder)

  • 김미진;조선연;김숙환;정재필
    • Journal of Welding and Joining
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    • 제23권3호
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    • pp.61-67
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    • 2005
  • Since lead (Pb)-free solders for electronics have higher melting points than that of eutectic Sn-Pb solder, they need higher soldering temperatures. In order to decrease the soldering temperature we tried to coat Sn-Bi layer on $Sn-3.5\%Ag$ solder by electroplating, which applies the mechanism of transient liquid phase bonding to soldering. During heating Bi will diffuse into the $Sn-3.5\%Ag$ solder and this results in decreasing soldering temperature. As bonding samples, the 1608 capacitor electroplated with Sn, and PCB, its surface was finished with electroless-plated Ni/Au, were selected. The $Sn-95.7\%Bi$ coated Sn-3.5Ag was supplied as a solder between the capacitor and PCB land. The samples were reflowed at $220^{\circ}C$, which was lower than that of normal reflow temperature, $240\~250^{\circ}C$, for the Pb-free. As experimental result, the joint of $Sn-95.7\%Bi$ coated Sn-3.5Ag showed high shear strength. In the as-reflowed state, the shear strength of the coated solder showed 58.8N, whereas those of commercial ones were 37.2N (Sn-37Pb), 31.4N (Sn-3Ag-0.5Cu), and 40.2N (Sn-8Zn-3Bi). After thermal shock of 1000 cycles between $-40^{\circ}C$ and $+125^{\circ}C$, shear strength of the coated solder showed 56.8N, whereas the previous commercial solders were in the range of 32.3N and 45.1N. As the microstructures, in the solder $Ag_3Sn$ intermetallic compound (IMC), and along the bonded interface $Ni_3Sn_4$ IMC were observed.

Flip Chip의 Solder Bump 형성을 위한 Ni/Au 무전해 도금 공정 연구 (Ni/Au Electroless Plating for Solder Bump Formation in Flip Chip)

  • 조민교;오무형;이원해;박종완
    • 한국재료학회지
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    • 제6권7호
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    • pp.700-708
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    • 1996
  • Flip chip bonding에 무전해도금기술을 적용하여 solder bumper형성의 최적 조건을 규명하였다. 시편은 AI 패턴된 4 inch Si 웨이퍼를 사용하고, 활성화 처리시 zincate 용액을 사용하였으며, 무전해 도금은 Ni-P 도금액고 Au immersion 용액을 사용하였다. 활성화 물질의 AI 침식정도 및 Zn 석출 정도를 알아보기 위하여 EDS측정을 하였고, 각 공전에서의 표면형상을 알아보기 위해 SEM 분석을 하였다. 열처리 후 금도금층의 주 결정성장 방향은 XRD를 이용하여 측정하였다. 산처리에서 질산과 황산 중 질산에 의한 산화막제거 정도가 더 우수하게 나타났다. 활성화 처리시 zincate 용액을 희석시킬수록 입자 크기가 미세해 지고, 활성화 물질은 pH 13-13.5, 상온, 농도 15-25%의조건에서 크기가 작은 Zn 활성화 물질이 균일하게 분포하였다. Ni과 Auan전해도금 속도는 온도와 pH가 증가할수록 증가하였다. Ni 무전해 도금 조건은 pH 4.5, 온도 $90^{\circ}C$, 시간 20분이며, Au 무전해 도금조건은 pH7, 온도 $80^{\circ}C$, 시간 10분이었다. 상온에서 $400^{\circ}C$까지 30분동안 열처리 한 후 금도금막의 결정 방향은 pH 7, 온도 $80^{\circ}C$, 시간 10분이었다. 상온에서 $400^{\circ}C$까지 30분 동안 열처리 한 후 금도금막의 결정 방향은 pH 7에서 (111), pH 9에서는 (200)과 (111)이 주 peak로 나타났으며, 열처리에 의한 결정 방향의 변화는 없었다. 전체 공정에서 최종적인 표면 형상에 영향을 주는 단계는 활성화 처리로서 flip chip의 bonding layer형성에 가장 중요한 요소임을 알 수 있었다.보다 자생지(自生地)에서 높은 함량(含量)을 보였다. 5. 무기성분함양(無機成分含量)의 차이(差異)는 K의 경우(境遇) 자생지(自生地)에서 보다 재배지(栽培地)에서 평균적(平均的)으로 10배이상(倍以上) 정도(程度) 높은 함량(含量)의 차이(差異)를 보였으나 Mn, Zn, Na, Cu 등(等)은 일정(一定)한 경향(傾向)을 보이지 않는 것으로 나타났다. 6. 유리(遊離) 아미노산(酸)의 함량(含量)은 자생지(自生地은)보다 재배지(栽培地)에서 전반적(全般的)으로 높은 함량(含量)을 나타내었고, 특(特)히 Arginine은 다른 성분(成分)들과 비교(比較)해 볼 때 가장 높은 조성(組成)의 차이(差異)를 나타내었다. 7. 야생(野生)더덕과 재배(栽培)더덕의 정유성분수율(精油成分收率)은 자생지재배(自生地栽培)에서는 모두 0.004% 였고 재배지(栽培地)에서는 야생(野生)더덕이 0.005%였다. 8. 더덕의 재배장소(栽培場所)에 따른 향기성분(香氣成分)은 총(總) 21종(種)이었으며 自生地(自生地)에서 야생(野生)더덕은 16종(種), 재배(栽培)더덕은 18종(種)이었고, 재배지(栽培地)에서 야생(野生) 더덕은 14종(種), 재배(栽培)더덕은 20(種)이었다. 9. Trans-2-hexanol은 야생(野生)더덕의 자생지(自生地) 재배(栽培)에서 피이크 면적(面積) 당(當) 50.3%, 재배지(栽培地)에서 피이크 면적(面積) 당(當) 43.3%를 보였으며 amylalcohol, furfuryl acetate, 2-methoxy-4-vinyl phenol(MVP)는 재배(栽培)더덕에서만 확인(確認)되었다.는 KI, BMI와 유의적인 양의 상관관계를 보였고 (p<0.01), HCL-C은 비체중, BMI, LBM, TBM와 유의적인 음의 상관관계를 보였으며, (p<0.01), KI, SBP와도 음의 상관관계를 보였다. (p<0.05), LCL-C는 KI와 유의적이인 양의

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