• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제33권5호
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• pp.367-372
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• 2020

As packaging processes for atomic gyroscope vapor cells, the glass tube tip-off process, anodic bonding, and paste sealing have been widely studied. However, there are stability issues in the alkali metal which are caused by impurity elements and leakage during high-temperature processes. In this study, we investigated the applicability of a vapor cell low-temperature packaging process by depositing Au on a Pyrex cell in addition to forming an Au-Sn thin film on a cap to cover the cell, followed by laser irradiation of the Au/Au-Sn interface. The mechanism of the thin film bonding was evaluated by XRD, while the packaging reliability of an Ne gas-filled vapor cell was characterized by variation of plasma discharge behavior with time. Furthermore, we confirmed that the Rb alkaline metal inside the vapor cell showed no color change, indicating no oxidation occurred during the process.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.194-195
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• 2006

개인 휴대 통신 기기의 급속한 발달로 인해 부품의 소형화, 고집적화가 중요한 요소로 대두되고 있으며 이를 위해서는 모듈내부에 3차원적인 수동소자의 내장이 가능한 LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) 공정이 각광받고 있다. Embedded Capacitor를 제조하기 위해 유전율이 7.6과 6.5인 LTCC 재료를 이종접합 하여 제조하였으며 이종재료의 수축거동 차이에 의한 camber가 발생하였다. 이를 해결하고 또한 고주파 부품용 정밀회로 패턴을 구 현하기 위해 PLAS 방식의 Constrained Sintering 공정을 적용하여 camber 문제를 해결하였으며 capacitance 값이 두 이종재료의 유전율과 1:1로 비례하지 않았는데 이는 유전율 65 tape에 잔존하는 기공 때문으로 판단되며 미세구조로써 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.275-276
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• 2008

통신기기가 고주파수화 함에 따라서 저유전 저손실 재료의 필요성이 증대되고 있으며, 세라믹/폴리머 복합재료를 고주파 회로 기판 소재로 이용하려는 관심이 증폭되고 있다. 본 연구에서는 저손실, 저유전율 특성을 구현하기 위해 $SiO_2$를 세라믹 필러로 복합물을 제작하였다. 평균 입자 크기가 16nm, $2.3{\mu}m$의 fumed 실리카와 평균 입자 크기 $1{\mu}m$, $4{\mu}m$의 fused 실리카를 사용하였다. 이 4종류 실리카를 사용하여 slurry를 제작하고 이를 활용하여 tape을 제작하였다. 제작된 복합체 tape을 적층하여 기판을 제작해 기판의 유전특성을 측정하였다. fumed 실리카의 경우 $SiO_2$ 10vol%이상에서는 균일한 tape성형이 어려워졌으며, 유전 손실이 fused 실리카와 비교하였을 때 큰 폭으로 증가하였다. fumed silica, fused silica 두 종류 모두 입도가 증가하면 유전손실이 증가하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.267-268
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• 2007

기존의 Free Sintering 방법을 사용하는 LTCC(Low Temperature Cofiring Ceramics)는 수축률이 일정하지 않아서 설계 치수와 동일하게 제작하기 어려운 단점을 가지고 있다. 이에 따라서 정밀한 전자부품을 제작하기 위한 방안으로 X-Y면 방향에서의 변형을 거의 zero로 제어하는 Constrained Sintering(CS) 기술이 요구되고 있다. 본 연구에서는 LTCC 기판이 소성되는 동안에 변형을 억제하기 위하여 소성온도가 LTCC 기판 보다 높은 $Al_2O_3$ 분말과 유기물을 혼합하여 페이스트를 제작한 후에 스크린 프린팅 방법을 이용하여 도포 후에 Z축 방향으로 일축가압을 하면서 소성하여 수축률을 제어 하였다. 또한 바인더와 $Al_2O_3$ 분말의 함량에 대한 최적 조성의 $Al_2O_3$ 페이스트를 제작하여 0.5%로 수축률을 가지는 균일한 LTCC 기판을 구현 할 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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• pp.1511_1512
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• 2009

This paper presents a polarization switching antenna integrated with silicon RF MEMS SPDT switches in the form of a package. A low-loss quartz substrate made of SoQ (silicon-on-quartz) bonding is used as a dielectric material of the patch antenna, as well as a packaging lid substrate of RF MEMS switches. The packaging/antenna substrate is bonded with the bottom substrate including feeding lines and RF MEMS switches by BCB adhesive bonding, and RF energy is transmitted from signal lines to antenna by slot coupling. Through this approach, fabrication complexity and degradation of RF performances of the antenna due to the parasitic effects, which are all caused from the packaging methods, can be reduced. This structure is expected to be used as a platform for reconfigurable antennas with RF MEMS tunable components. A linear polarization switching antenna operating at 19 GHz is manufactured based on the proposed method, and the fabrication process is carefully described. The s-parameters of the fabricated antenna at each state are measured to evaluate the antenna performance.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제16권7호
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• pp.3-13
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• 2003

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제22권12호
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• pp.23-29
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• 2009

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제34권2호
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• pp.4-11
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• 2021

• 전자통신동향분석
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• 제39권3호
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• pp.98-106
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• 2024

Advanced packaging is emerging as a core technology owing to the increasing demand for multifunctional and highly integrated semiconductors to achieve low power and high performance following digital transformation. It may allow to overcome current limitations of semiconductor process miniaturization and enables single packaging of individual devices. The introduction of advanced packaging facilitates the integration of various chips into one device, and it is emerging as a competitive edge in the industry with high added value, possibly replacing traditional packaging that focuses on electrical connections and the protection of semiconductor devices.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권11호
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• pp.976-980
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• 2002

This paper repors on low temperature sealing process of PDP using binder and capping glass. The exhausting hole on rear glass of PDP was sealed by capping glass using screen-printed binder without exhausting glass tube. Based on the tubeless packaging process, out gassing problem could be reduced and vacuum conductance could be improved by eliminating exhaust tube.