Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.14
no.4
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pp.79-85
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2007
This study was focused on the feasibility of ultrasonic bonding of Au stud flip chip bumps on the flexible printed circuit board (FPCB) with three different surface finishes: organic solderability preservative (OSP), electroplated Au and electroless Ni/immersion Au (ENIG). The Au stud flip chip bumps were successfully bonded to the bonding pads of the FPCBs, irrespective of surface finish. The bonding time strongly affected the joint integrity. The shear force increased with increasing bonding time, but the 'bridge' problem between bumps occurred at a bonding time over 2 s. The optimum condition was the ultrasonic bonding on the OSP-finished FPCB for 0.5 s.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.14
no.6
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pp.2624-2630
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2013
In LED chip packaging, die bonding is a very important process which fixes the LED chip on the lead flame to provide enough strength for the next process. During the process, inspection processes are very important to detect exact locations of dispensed epoxy dots and to determine bonding status of dies whether they are lies at exact positions with sufficient bonding strength. In this study, a useful machine vision based inspection system is proposed for the LED die bonder. In the proposed system, 2 cameras are used for epoxy dot position detection and 2 cameras are sued for die attaching status determination. New vision processing algorithm is proposed, and its efficiency is verified through required field experiments. Measured position error is less than $X:-29{\mu}m$, $Y:-32{\mu}m$ and rotation error:$3^{\circ}$ using proposed vision algorithm. It is concluded that the proposed machine vision based inspection system can be successfully implemented on the developed die bonding system.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.19
no.2
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pp.35-39
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2012
We studied interfacial reaction and bonding characteristics of a flip chip bonding with the viewpoint of formation behavior of intermetallic compounds. For this purpose, Sn-0.7Cu and Sn-3Cu solders were reflowed on the Al/Cu and Al/Ni UBMs. When Sn-0.7Cu was reflowed on the Al/Cu UBM, no intermetallic compounds were formed at the solder/UBM interface. The $Cu_6Sn_5$ intermetallic compounds formed by reflowing Sn-3Cu solder on the Al/Cu UBM were spalled from the interface, resulting in delamination of the solder/UBM interface. On the other hand, the $(Cu,Ni)_6Sn_5$ intermetallic compounds were formed by reflowing of Sn-0.7Cu and Sn-3Cu on the Al/Ni UBM and the interfacial bonding between the Sn-Cu solders and the Al/Ni UBM was kept stable.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.41
no.6
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pp.443-453
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2017
In flip chip technology, the conventional solder bump has been replaced with a copper (Cu) pillar bump owing to its higher input/output (I/O) density, finer pitch, and higher reliability. However, Cu pillar bump technology faces several issues, such as interconnect shorting and higher low-k stress due to stiffer Cu pillar structure when the conventional reflow process is used. Therefore, the thermal compression bonding (TCB) process has been adopted in the flip chip attachment process in order to reduce the package warpage and stress. In this study, we investigated the package warpage induced during the TCB process using a numerical analysis. The warpage of the TCB process was compared with that of the reflow process.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.35
no.4A
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pp.408-416
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2010
A dumbbell-type CPW transmission-line structure has been proposed to improve the return loss of the transmission line between a driver IC and flip-chip-bonding VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser) in a hybrid opto-electric circuit board(OECB). The proposed structure used a pair of dummy ground solder balls on the ground lines for flip-chip bonding of the VCSEL and designed the dumbbell-type CPW transmission line to improve reflection characteristics. The simulated results revealed that the return loss of the dumbbell-type CPW transmission line was 13-dB lower than the conventional CPW transmission line. A 4-dB improvement in the return loss was obtained using the dummy ground solder balls on the ground lines. The variation rate of the reflection characteristic with the variation of terminal impedances of the transmission line (at the output terminal of the driver IC and the input terminal of the VCSEL) is about ${\pm}2.5\;dB$.
In this paper, we present surface treatments for achieving bonds between PMMA and PDMS substrates. Silane primer is used for the formation of hydroxyl group on PMMA surfaces. The formed hydroxyl groups enhance the bonding strength of PDMS-PMMA substrates without channel clogging and structure deformation. The bonding strength on the different surface treatments (include oxygen plasma, 3-APTES, and corona discharge) is evaluated to find optimal bonding condition. The maximum bonding strength at the optimal surface treatment is over 300 kPa. The surface treatment using silane primer can be used to the bonding process of Micro-TAS and Lab-on-a-Chip.
Laser Assisted Thermo-Compression Bonding (LATCB) has been proposed to improve the "chip tilt due to the difference in solder bump height" that occurs during the conventional semiconductor chip bonding process. The bonding module of the LATCB system has used a piezoelectric actuator to control the inclination of the compression jig on a micro scale, and the piezoelectric actuator has been directly coupled to the compression jig to minimize the assembly tolerance of the compression jig. However, this structure generates a lateral force in the piezoelectric actuator when the compression jig is tilted, and the stacked piezoelectric element vulnerable to the lateral force has a risk of failure. In this paper, the optimal design of the flexure hinge was performed to minimize the lateral force generated in the piezoelectric actuator when the compression jig is tilted by using the displacement difference of the piezoelectric actuator in the bonding module for LATCB. The design variables of the flexure hinge were defined as the hinge height, the minimum diameter, and the notch radius. And the effect of the change of each variable on the stress generated in the flexible hinge and the lateral force acting on the piezoelectric actuator was analyzed. Also, optimization was carried out using commercial structural analysis software. As a result, when the displacement difference between the piezoelectric actuators is the maximum (90um), the maximum stress generated in the flexible hinge is 11.5% of the elastic limit of the hinge material, and the lateral force acting on the piezoelectric actuator is less than 1N.
In this study, we report the microstructural evolution and shear strength of an Sn-Sb alloy, used for die attach process as a solder layer of backside metal (BSM). The Sb content in the binary system was less than 1 at%. A chip with the Sn-Sb BSM was attached to a Ag plated Cu lead frame. The microstructure evolution was investigated after die bonding at 330 ℃, die bonding and isothermal heat treatment at 330 ℃ for 5 min and wire bonding at 260 ℃, respectively. At the interface between the chip and lead frame, Ni3Sn4 and Ag3Sn intermetallic compounds (IMCs) layers and pure Sn regions were confirmed after die bonding. When the isothermal heat treatment is conducted, pure Sn regions disappear at the interface because the Sn is consumed to form Ni3Sn4 and Ag3Sn IMCs. After the wire bonding process, the interface is composed of Ni3Sn4, Ag3Sn and (Ag,Cu)3Sn IMCs. The Sn-Sb BSM had a high maximum shear strength of 78.2 MPa, which is higher than the required specification of 6.2 MPa. In addition, it showed good wetting flow.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.14
no.3
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pp.57-64
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2007
New Chip-on-glass technology to attach an Si chip directly on the glass substrate of LCD panel was studied with local heating method of the Si chip by using thin film heater fabricated on the Si chip. Square-shaped Cu thin film heater with the width of $150\;{\mu}m$, thickness of $0.8\;{\mu}m$, and total length of 12.15 mm was sputter-deposited on the $5\;mm{\times}5\;mm$ Si chip. With applying current of 0.9A for 60 sec to the Cu thin film heater, COG bonding of a Si chip to a glass substrate was successfully accomplished with reflowing the Sn-3.5Ag solder bumps on the Si chip.
This paper describes the fabrication methods of a carbon nanotube (CNT) filter and a microdialysis chip. A CNT filter can help perform dialysis on a microfluidic chip. In this study, a membrane type of a CNT filter is fabricated and located in a microfluidic chip. The filter plays a role of a dialysis membrane in a microfluidic chip. In the fabrication process of a CNT filter, individual CNTs are entangled each other by amide bonding that is catalyzed by 1-Ethyl-3-(3-dimethylaminopropyl)carbodiimide (EDC) and N-hydroxysuccinimide (NHS). The chemically treated CNTs are shaped to form a CNT filter using a PDMS film-mold and vacuum filtering. Then, the CNT filter is sandwiched between PDMS substrates, and they are bonded together using a thin layer of PDMS prepolymer as adhesive. The PDMS substrates are fabricated to have a microchannel by standard photo-lithography technique.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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