A Novel External Resistance Method for Extraction of Accurate Effective Channel Carrier Mobility and Separated Parasitic Source/Drain Resistances in Submicron n-channel LDD MOSFET's (새로운 ERM-방법에 의한 미세구조 N-채널 MOSFET의 유효 캐리어 이동도와 소스 및 드레인 기생저항의 정확한 분리 추출)
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- Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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- v.37 no.12
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- pp.1-9
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- 2000