Journal of Nuclear Fuel Cycle and Waste Technology(JNFCWT)
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v.8
no.1
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pp.1-7
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2010
In the present work, an electrowinning process in the LiCl-KCl/Cd system is considered to model and analyze the electrotransport of the actinide and rare-earth elements. A simple dynamic modeling of this process was performed by taking into account the material balances and diffusion-controlled electrochemical reactions in a diffusion boundary layer at an electrode interface between the molten salt electrolyte and liquid cadmium cathode. The proposed modeling approach was based on the half-cell reduction reactions of metal chloride occurring on the cathode. This model demonstrated a capability for the prediction of the concentration behaviors, a faradic current of each element and an electrochemical potential as function of the time up to the corresponding electrotransport satisfying a given applied current based on a galvanostatic electrolysis. The results of selected case studies including five elements (U, Pu, Am, La, Nd) system are shown, and a preliminary simulation is carried out to show how the model can be used to understand the electrochemical characteristics and provide better information for developing an advanced electrowinner.
Algal blooms in lakes are one of major environmental issues in Korea. A three-dimensional, hydrodynamic and water quality model was developed and tested in Lake Euiam to assess the performance and limitations of numerical modeling with multiple algal groups using field data commonly collected for algal management. In this study, EFDC was adopted as the basic model framework. Simulated vertical profiles of water temperature, dissolved oxygen and nutrients monitored at five water quality monitoring stations from March to October 2013, which are closely related to algal dynamics simulation, showed good agreement with those of observed data. The overall spatio-temporal variations of three algal groups were reasonably simulated against the chlorophyll-a levels of those estimated from the limited monitoring data (chlorophyll-a level and cell numbers of algal species) with the RMSEs ranging from 2.6 to $17.5mg/m^3$. Also, note that $PO_4-P$ level in the water column was a key limiting factor controlling the growth of three algal groups during most of simulation period. However, the algal modeling results were not fully attainable to the levels of observation during short periods of time showing abrupt increase in algae throughout the lake. In particular, the green algae/cyanobacteria and diatom simulations were underestimated in late June to early July and early October, respectively. The results shows that better understanding of internal algal processes, neglected in most algal modeling studies, is necessary to predict the sudden algal blooms more accurately because the concentrations of external $PO_4-P$ and specific algal groups originated from the tributaries (mainly, dam water releases) during the periods were too low to fully capture the sharp rise of internal algal levels. In this respect, this study suggests that future modeling efforts should be focused on the quantification of internal cycling processes including vertical movement of algal species with respect to changes in environmental conditions to enhance the modeling performance on complex algal dynamics.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.16
no.1
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pp.91-105
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2016
Carbon Nanotube Field-Effect Transistors (CNTFETs) have been studied as candidates for post Si CMOS owing to the better electrostatic control and high mobility. To enhance the immunity against short - channel effects (SCEs), the novel channel and gate engineered architectures have been proposed to improve CNTFETs performance. This work presents a comprehensive study of the influence of channel and gate engineering on the CNTFET switching, high frequency and circuit level performance of carbon nanotube field-effect transistors (CNTFETs). At device level, the effects of channel and gate engineering on the switching and high frequency characteristics for CNTFET have been theoretically investigated by using a quantum kinetic model. This model is based on two-dimensional non-equilibrium Green's functions (NEGF) solved self - consistently with Poisson's equations. It is revealed that hetero - material - gate and lightly doped drain and source CNTFET (HMG - LDDS - CNTFET) structure can significantly reduce leakage current, enhance control ability of the gate on channel, improve the switching speed, and is more suitable for use in low power, high frequency circuits. At circuit level, using the HSPICE with look - up table(LUT) based Verilog - A models, the impact of the channel and gate engineering on basic digital circuits (inverter, static random access memory cell) have been investigated systematically. The performance parameters of circuits have been calculated and the optimum metal gate workfunction combinations of ${\Phi}_{M1}/{\Phi}_{M2}$ have been concluded in terms of power consumption, average delay, stability, energy consumption and power - delay product (PDP). In addition, we discuss and compare the CNTFET-based circuit designs of various logic gates, including ternary and binary logic. Simulation results indicate that LDDS - HMG - CNTFET circuits with ternary logic gate design have significantly better performance in comparison with other structures.
In this paper, the performance analysis results of time/frequency synchronization and cell search algorithm are presented for aeronautical mobile airport communication systems (AeroMACS). AeroMACS is based on IEEE 802.16e mobile WiMAX standard and uses the aeronautical frequency band of 5GHz with the bandwidth of 5MHz. The simulation model of AeroMACS is designed and the performance evaluation is conducted with the various airport channel models such as apron (APR), runway (RWY), taxiway (TWY), and park (PRK). The proposed synchronization unit was designed in hardware description language (HDL) and implemented on FPGA. Also, the real-time operation was verified and evaluated using FPGA test system.
Lam, Ray Y. W.;Chan, Henry C. B.;Chen, Hui;Dillon, Tharam S.;Li, Victor O. K.;Leung, Victor C. M.
Journal of Communications and Networks
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v.10
no.3
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pp.316-330
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2008
This paper proposes a novel method for transporting various types of user traffic effectively over the next generation network called integrated services digital network 3 (ISDN3) (or quantum network) using quantum packets. Basically, a quantum packet comprises one or more 53-byte quanta as generated by a "quantumization" process. While connection-oriented traffic is supported by fixed-size quantum packets each with one quantum to emulate circuit switching, connectionless traffic (e.g., IP packets and active packets) is carried by variable-size quantum packets with multiple quanta to support store-and-forward switching/routing. Our aim is to provide frame-like or datagram-like services while enabling cell-based multiplexing. The quantum packet method also establishes a flexible and extensible framework that caters for future packetization needs while maintaining backward compatibility with ATM. In this paper, we discuss the design of the quantum packet method, including its format, the "quantumization" process, and support for different types of user traffic. We also present an analytical model to evaluate the consumption of network resources (or network costs) when quantum packets are employed to transfer loss-sensitive data using three different approaches: cut-through, store-and-forward and ideal. Close form mathematical expressions are obtained for some situations. In particular, in terms of network cost, we discover two interesting equivalence phenomena for the cut-through and store-and-forward approaches under certain conditions and assumptions. Furthermore, analytical and simulation results are presented to study the system behavior. Our analysis provides valuable insights into the. design of the ISDN3/quantum network.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.48
no.7
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pp.1-9
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2011
Memristor is a portmanteau of "memory resistor". The resistance of memristor is changed depends on the history of electric charge that passed through the device and it is able to memorize the last resistance after turning off the power supply. This paper presents this device that has a high chance to be the next generation of commercial non-volatile memory and its behavior modeling using SPICE simulation. The memristor MOS content addressable memory (M_CAM) is also designed and simulated using the proposed behavioral model. The proposed M_CAM unit cell area and power consumption show an improvement around 40% and 96%, respectively, compare to the conventional SRAM based CAMs. The M_CAM layout is also implemented using 0.13${\mu}m$ mixed-signal CMOS process under 1.2 V supply voltage.
Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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v.31
no.5
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pp.1-9
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2003
Detailed flow of a shrouded tail rotor in hover is studied by using a compressible inviscid flow solver on unstructured meshes. The numerical method is based on a cell-centered finite-volume discretization and an implicit Gauss-Seidel time integration. Numerical simulation is made for a single blade attached to the center body and guide by the duct by imposing a periodic boundary condition between adjacent rotor blades. The results show that the performance of an isolated rotor without shroud compares well with experiment. In case of a shrouded rotor, correction of the collective pitch angle is made such that the overall performance matches with experiment to account for the uncertainties of the experimental model configuration. Details of the flow field compare well with the experiment confirming the validity of the present method.
Journal of Institute of Control, Robotics and Systems
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v.15
no.9
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pp.877-880
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2009
A curing process in post-printing section of R2R process is required for an electrical property of the printed pattern when devices such as RFID, Solar cell are printed. PEN as well as heat-stabilized PET which is used as a plastic substrate would be deformed at high temperature due to change of its elastic modulus. And crack in the printed pattern, which is on the plastic substrate is occurred due to the deformation of the substrate. The occurrence of crack causes electrical resistance to increase and the quality of the device to deteriorate. In case of RFID antenna, the range of reading distance is shortened as the electrical resistance of the antenna is increased. Therefore, the deformation of the plastic substrate, which causes the occurrence of crack, should be minimized by setting up low operating tension in R2R process. In low tension, slippage between a moving substrate and a roller would be generated when the operating speed is increased. And scratch would be occurred when slippage is generated due to an air entrainment, which is related to the thickness of the air film. The thickness of the air film is increased when operating speed is increased as shown by simulation based on mathematical model. The occurrence of scratch in conductive pattern printed by roll to roll process is a critical damage because it causes degradation or failure of electrical property of it.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.30
no.5
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pp.407-417
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2019
When a free-falling ballistic missile intercepts a maritime target in a sea clutter environment at high grazing angle, detection performance of the ballistic missile's seeker can be rapidly degraded by the effect of sea clutter. To solve this problem, it is necessary to verify the performance of maritime target detection via simulations based on various scenarios. We accomplish this by applying a two-dimensional cell -averaging constant false alarm rate detector to a two-dimensional radar image, which is generated by merging a sea clutter signal at high grazing angle with a maritime target signal corresponding to the signal-to-clutter ratio. Simulation results using a computer-aided design model and commercial numerical electromagnetic solver in various scenarios show that the performance of maritime target detection significantly depends on the grazing and azimuth angles.
Jeong, Da Un;Yoo, Yedam;Marcellinus, Aroli;Lim, Ki Moo
Journal of Biomedical Engineering Research
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v.43
no.5
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pp.331-340
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2022
Early afterdepolarization (EAD), a significant cause of fatal ventricular arrhythmias including Torsade de Pointes (TdP) in long QT syndromes, is a depolarizing afterpotential at the plateau or repolarization phase in action potential (AP) profile early before completing one pace. AP duration prolongation is related to EAD but is not necessarily accounted for EAD. Several computational studies suggested EAD can form from an abnormality in the late plateau and/or repolarization phase of AP shape. In this sense, we hypothesized the slope during repolarization has the characteristics to predict TdP risk, mainly focusing on the maximum slope during repolarization (dVm/dtmax_repol). This study aimed to predict the sensitivity of dVm/dtmax_repol to ion channel conductances as a TdP risk metric through a population simulation considering multiple effects of simultaneous reduction in six ion channel conductances of gNaL, gKr, gKs, gto, gK1, and gCaL. Additionally, we verified the availability of dVm/dtmax_repol for TdP risk prediction through the correlation analysis with qNet, the representative TdP metric. We performed the population simulations based on the methodology of Gemmel et al. using the human ventricular myocyte model of Dutta et al. Among the sixion channel conductances, dVm/dtmax_repol and qNet responded most sensitively to the change in gKr, followed by gNaL. Furthermore, dVm/dtmax_repol showed a statistically significant high negative correlation with qNet. The dVm/dtmax_repol values were significantly different according to three TdP risk levels of high, intermediate, and low by qNet (p<0.001). In conclusion, we suggested dVm/dtmax_repol as a new biomarker metric for TdP risk assessment.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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